【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體材料
，具體為一種雙子藍(lán)寶石襯底。
技術(shù)介紹
GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍(lán)寶石襯底上，藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點，首先，藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；其次，藍(lán)寶石的穩(wěn)定性很好，能夠運用在高溫生長過程中；最后，藍(lán)寶石的機械強度高，易于處理和清洗。因此，大多數(shù)工藝一般都以藍(lán)寶石作為襯底，傳動的藍(lán)寶石圖形襯底在實際的測試結(jié)果中并不能達到很好的光提取率，且目前做LED外延的藍(lán)寶石襯底大都采用平片襯底，存在少量表面損傷和亞表面損傷的現(xiàn)象，使得外延的結(jié)晶質(zhì)量差，器件在制作的過程中藍(lán)寶石材料的成本較高，從結(jié)構(gòu)上講，LED芯片有正裝LED芯片和倒裝LED芯片之分，倒裝芯片存在散熱難的問題，熱量聚集在芯片會影響芯片可靠性，增加光衰和減少芯片壽命，封裝和應(yīng)用較難，使整個芯片的可靠性變差，為此，我們提出一種雙子藍(lán)寶石襯底。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提供一種雙子藍(lán)寶石襯底，以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問題。為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種雙子藍(lán)寶石襯底，包括聚合物層，所述聚合物層的上表面和下表面分別沉積有上藍(lán)寶石襯底和下藍(lán)寶石襯底，所述上藍(lán)寶石襯底的頂部等距離規(guī)則排列有錐形凸塊，且上藍(lán)寶石襯底的平坦頂部生長有GaN結(jié)晶生長層，所述錐形凸塊的錐形頂部和GaN結(jié)晶生長層之間形成錐形槽體，所述GaN結(jié)晶生長層的頂部經(jīng)化學(xué)機械拋光設(shè)置有粗糙層，所述GaN結(jié)晶生長層的頂部開有矩陣刻槽，且矩陣刻槽包括橫向刻槽和豎向刻槽，所述下藍(lán)寶石襯底的上表面和下表面均通過感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝形成有微透鏡...
【技術(shù)保護點】
一種雙子藍(lán)寶石襯底，包括聚合物層（1），其特征在于：所述聚合物層（1）的上表面和下表面分別沉積有上藍(lán)寶石襯底（2）和下藍(lán)寶石襯底（8），所述上藍(lán)寶石襯底（2）的頂部等距離規(guī)則排列有錐形凸塊（3），且上藍(lán)寶石襯底（2）的平坦頂部生長有GaN結(jié)晶生長層（4），所述錐形凸塊（3）的錐形頂部和GaN結(jié)晶生長層（4）之間形成錐形槽體（5），所述GaN結(jié)晶生長層（4）的頂部經(jīng)化學(xué)機械拋光設(shè)置有粗糙層（7），所述GaN結(jié)晶生長層（4）的頂部開有矩陣刻槽（6），且矩陣刻槽（6）包括橫向刻槽（61）和豎向刻槽（62），所述下藍(lán)寶石襯底（8）的上表面和下表面均通過感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝形成有微透鏡（9），且聚合物層（1）的內(nèi)腔設(shè)置有與微透鏡（9）相配合的透鏡槽。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種雙子藍(lán)寶石襯底，包括聚合物層（1），其特征在于：所述聚合物層（1）的上表面和下表面分別沉積有上藍(lán)寶石襯底（2）和下藍(lán)寶石襯底（8），所述上藍(lán)寶石襯底（2）的頂部等距離規(guī)則排列有錐形凸塊（3），且上藍(lán)寶石襯底（2）的平坦頂部生長有GaN結(jié)晶生長層（4），所述錐形凸塊（3）的錐形頂部和GaN結(jié)晶生長層（4）之間形成錐形槽體（5），所述GaN結(jié)晶生長層（4）的頂部經(jīng)化學(xué)機械拋光設(shè)置有粗糙層（7），所述GaN結(jié)晶生長層（4）的頂部開有矩陣刻槽（6），且矩陣刻槽（6）包括橫向刻槽（61）和豎向刻槽（62），所述下藍(lán)寶石襯底（8）的上表面和下表面均通過感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝形成有微...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳銘欣，林木榕，林永騰，
申請(專利權(quán))人：福建晶安光電有限公司，
類型：新型
國別省市：福建;35
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