本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)涉及一種硅芯方錠，屬于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。它包括長(zhǎng)方體的硅錠本體（1），所述硅錠本體（1）上端通過(guò)粘結(jié)層（3）固定設(shè)置連接基座（2），所述連接基座（2）頂部設(shè)置有連接柱體（4），所述連接柱體（4）頂部設(shè)置有懸掛圓臺(tái)（6），所述連接柱體（4）中部設(shè)置有上下兩個(gè)限位圓臺(tái)（5）。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)一種硅芯方錠，它能夠方便地懸掛至切割設(shè)備上，有利于提高硅芯切割的生產(chǎn)效率，并且切割過(guò)程中邊皮的損耗極小，材料利用率高。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種硅芯方錠，屬于多晶硅生產(chǎn)
技術(shù)介紹
目前，目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)多晶硅的工藝大部分都是常規(guī)三氯氫硅氫還原法，即改良西門(mén)子法，改良西門(mén)子法或其他類(lèi)似方法生產(chǎn)大直徑多晶硅的主要設(shè)備是多晶硅還原爐，多晶硅還原爐在細(xì)長(zhǎng)的硅芯上通上電源，使硅芯加熱發(fā)紅，直至表面溫度達(dá)到1100攝氏度，通入高純的三氯氫硅和氫氣，使其在高溫下發(fā)生氫還原反應(yīng)，使三氯氫硅中的硅分子堆積在硅芯上，使其的直徑不斷地增大，通常，硅芯的直徑在7-10毫米，可以是圓形也可以是方型，或是其他形狀，最終通過(guò)氫還原反應(yīng)使直徑不斷地增大到120-200毫米，生產(chǎn)出高純太陽(yáng)能級(jí)6N或電子級(jí)11N的多晶硅。目前硅芯的制備方法有二種，傳統(tǒng)的方法是用CZ法(區(qū)熔提拉法)，即把直徑在SO-SO 毫米的硅棒在充滿惰性氣體的真空爐膛內(nèi)用高頻感應(yīng)加熱 ，使其頂部局部熔化 ，從上部放入I根直徑在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成為直徑在7-10毫米，長(zhǎng)度在1900-3000毫米之間的細(xì)長(zhǎng)硅芯，其缺點(diǎn)是提拉速度慢，一般為8-12毫米/分鐘，拉制I根2米的硅芯需要4小時(shí)，生產(chǎn)效率低，電力消耗大，設(shè)備投資大。另一種是用金剛石工具切割法，美國(guó)DiamondWire Technology公司研制出采用金剛石線的數(shù)控多晶硅細(xì)長(zhǎng)硅芯多線切割機(jī)床，用于硅芯的制備。通過(guò)利用電鍍上金剛石微粒的細(xì)鋼絲線在被加工工件上高速地往復(fù)運(yùn)動(dòng)或單向移動(dòng)，將硅棒壓在該機(jī)床用金剛石線交叉組成的方形線網(wǎng)上，從而將該硅棒切割成細(xì)長(zhǎng)的硅芯。其優(yōu)點(diǎn)十分明顯，10-12小時(shí)可以切割出200根左右2米長(zhǎng)的7X7或8X8毫米的方形硅芯，電力消耗小，加工效率高。目前硅芯切割的母料直接采用還原爐中制得的硅棒，這使得切割的硅芯長(zhǎng)度受到硅棒長(zhǎng)度的限制，且直接還原得到的硅棒質(zhì)地較為疏松，切割過(guò)程中成品率低，最終得到的硅芯的強(qiáng)度較差，并且由于硅棒母料呈圓柱形，因此在切割方硅芯時(shí)邊皮損耗較大，材料利用率較低，相應(yīng)地增加了最終成品硅芯的生產(chǎn)成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服上述不足，提供一種硅芯方錠，它能夠方便地懸掛至切割設(shè)備上，有利于提高硅芯切割的生產(chǎn)效率，并且切割過(guò)程中邊皮的損耗極小，材料利用率高。本技術(shù)的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種硅芯方錠，它包括長(zhǎng)方體的硅錠本體，所述硅錠本體上端通過(guò)粘結(jié)層固定設(shè)置連接基座，所述連接基座頂部設(shè)置有連接柱體，所述連接柱體頂部設(shè)置有懸掛圓臺(tái)，所述連接柱體中部設(shè)置有上下兩個(gè)限位圓臺(tái)。所述連接基座呈長(zhǎng)方體狀，所述連接柱體呈圓柱狀。所述硅錠本體采用多晶硅鑄造而成，所述硅錠本體外表面涂覆有防護(hù)層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有以下有益效果:本技術(shù)一種硅芯方錠，它能夠方便地懸掛至切割設(shè)備上，有利于提高硅芯切割的生產(chǎn)效率，并且切割過(guò)程中邊皮的損耗極小，材料利用率高。【附圖說(shuō)明】圖1為本技術(shù)一種硅芯方錠的結(jié)構(gòu)示意圖。其中:硅錠本體I，連接基座2，粘結(jié)層3，連接柱體4，限位圓臺(tái)5，懸掛圓臺(tái)6。【具體實(shí)施方式】參見(jiàn)圖1，本技術(shù)一種硅芯方錠，它包括長(zhǎng)方體的硅錠本體I，所述硅錠本體I上端通過(guò)粘結(jié)層3固定設(shè)置連接基座2，所述連接基座2頂部設(shè)置有連接柱體4，所述連接柱體4頂部設(shè)置有懸掛圓臺(tái)6，所述連接柱體4中部設(shè)置有上下兩個(gè)限位圓臺(tái)5。所述連接基座2呈長(zhǎng)方體狀，所述連接柱體4呈圓柱狀。所述硅錠本體I采用多晶硅鑄造而成，所述硅錠本體I外表面涂覆有防護(hù)層。【主權(quán)項(xiàng)】1.一種娃芯方錠，其特征在于:它包括長(zhǎng)方體的娃錠本體(I)，所述娃錠本體(I)上端通過(guò)粘結(jié)層(3)固定設(shè)置連接基座(2)，所述連接基座(2)頂部設(shè)置有連接柱體(4)，所述連接柱體(4)頂部設(shè)置有懸掛圓臺(tái)(6)，所述連接柱體(4)中部設(shè)置有上下兩個(gè)限位圓臺(tái)(5)，所述連接基座(2)呈長(zhǎng)方體狀，所述連接柱體(4)呈圓柱狀，所述硅錠本體(I)采用多晶硅鑄造而成，所述硅錠本體(I)外表面涂覆有防護(hù)層。【專(zhuān)利摘要】本技術(shù)涉及一種硅芯方錠，屬于多晶硅生產(chǎn)
它包括長(zhǎng)方體的硅錠本體（1），所述硅錠本體（1）上端通過(guò)粘結(jié)層（3）固定設(shè)置連接基座（2），所述連接基座（2）頂部設(shè)置有連接柱體（4），所述連接柱體（4）頂部設(shè)置有懸掛圓臺(tái)（6），所述連接柱體（4）中部設(shè)置有上下兩個(gè)限位圓臺(tái)（5）。本技術(shù)一種硅芯方錠，它能夠方便地懸掛至切割設(shè)備上，有利于提高硅芯切割的生產(chǎn)效率，并且切割過(guò)程中邊皮的損耗極小，材料利用率高。【IPC分類(lèi)】C01B33/03【公開(kāi)號(hào)】CN205204836【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520977420【專(zhuān)利技術(shù)人】武東偉 【申請(qǐng)人】江陰東升新能源有限公司【公開(kāi)日】2016年5月4日【申請(qǐng)日】2015年12月1日本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種硅芯方錠，其特征在于：它包括長(zhǎng)方體的硅錠本體（1），所述硅錠本體（1）上端通過(guò)粘結(jié)層（3）固定設(shè)置連接基座（2），所述連接基座（2）頂部設(shè)置有連接柱體（4），所述連接柱體（4）頂部設(shè)置有懸掛圓臺(tái)（6），所述連接柱體（4）中部設(shè)置有上下兩個(gè)限位圓臺(tái)（5），所述連接基座（2）呈長(zhǎng)方體狀，所述連接柱體（4）呈圓柱狀，所述硅錠本體（1）采用多晶硅鑄造而成，所述硅錠本體（1）外表面涂覆有防護(hù)層。
【技術(shù)特征摘要】
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：武東偉，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：江陰東升新能源有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：江蘇;32
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