一種DDR快速測量方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結(jié)果，將好的內(nèi)存上板測試。本發(fā)明專利技術(shù)利用測試工具的功能在測試前期快速的排查內(nèi)存是否好壞，內(nèi)存上系統(tǒng)前可以儀器排查，避免造成主板的損傷；保護(hù)主板因為異常內(nèi)存造成的損傷；增加外部測試點位測試，減少直接在內(nèi)存測試的風(fēng)險。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及計算機存儲
，具體涉及一種DDR快速測量方法。
技術(shù)介紹
—般服務(wù)器電路板都會使用大量的內(nèi)存，然后對于內(nèi)存的測試現(xiàn)階段都局限在直接上電測試，但是不排除個別的板卡由于機構(gòu)、電源設(shè)計、空間等等的原因，造成不必要的損傷，沒有一個針對內(nèi)存DDR4上電源對地情況、電源與電源之間的阻抗情況的排查設(shè)備，增大了系統(tǒng)由于異常內(nèi)存造成的風(fēng)險。從事服務(wù)器的設(shè)計時，我們會發(fā)現(xiàn)內(nèi)存需要使用的電源很多，不論是前期的設(shè)計和后期的保護(hù)，通常我們在設(shè)計的過程中都會加相應(yīng)的供電電路，是內(nèi)存能在多路電源的情況下都能正常工作，但內(nèi)存上一路電源對地阻抗發(fā)生變化會產(chǎn)生，在不知情的條件下會對板卡造成損壞。一旦我們的服務(wù)器主板發(fā)生上電異常，不論是由于設(shè)計上的失誤、人為操作、或者其他的意外情況都有可能對電路板造成很大的傷害。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題是:為了解決上述問題，提供一種DDR快速測量方法。本專利技術(shù)所采用的技術(shù)方案為: 一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結(jié)果，將好的內(nèi)存上板測試，減少主板因為內(nèi)存異常造成的燒毀現(xiàn)象，而這對服務(wù)器而言是致命的，如果使用測試設(shè)備對內(nèi)存部件進(jìn)行初步的檢測判斷好壞的設(shè)備，降低由于內(nèi)存異常造成的主板損傷，進(jìn)而減少對板卡造成燒壞的可能狀況，在內(nèi)存使用前用該測試設(shè)備檢測內(nèi)存單體各電源及地之間的阻抗情況，當(dāng)阻抗超過規(guī)定的目標(biāo)值認(rèn)為存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理，這樣就可以減少內(nèi)存異常對主板的損傷，實現(xiàn)保護(hù)的措施。所述方法涉及的測試工具，其結(jié)構(gòu)包括PCB電路板，DDR插座，所述電路板上設(shè)置有內(nèi)存測試點位，其中包括:電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位；通過萬用表測試相應(yīng)的點位，就可以判斷內(nèi)存的電源點及對地阻抗情況。如果當(dāng)電源板由于不確定因素出現(xiàn)有短路的地方，可以通過儀器具體的測試出來，使異常單體內(nèi)存可以前期排查出來。所述測試工具PCB布線的銅箔的通流量符合電流大小的要求，使用的內(nèi)存接觸DI麗符合行業(yè)內(nèi)規(guī)范，使測量出來的數(shù)值接近內(nèi)存本體數(shù)值。所述測試工具上的測試點位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。所述DDR內(nèi)存包括DDR3內(nèi)存和DDR4內(nèi)存。本專利技術(shù)的有益效果為: 本專利技術(shù)利用測試工具的功能在測試前期快速的排查內(nèi)存是否好壞，內(nèi)存上系統(tǒng)前可以儀器排查，避免造成主板的損傷；保護(hù)主板因為異常內(nèi)存造成的損傷；增加外部測試點位測試，減少直接在內(nèi)存測試的風(fēng)險。【附圖說明】圖1為本專利技術(shù)測試工具結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】下面根據(jù)說明書附圖，結(jié)合【具體實施方式】對本專利技術(shù)進(jìn)一步說明: 實施例1: 一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結(jié)果，將好的內(nèi)存上板測試，減少主板因為內(nèi)存異常造成的燒毀現(xiàn)象，而這對服務(wù)器而言是致命的，如果使用測試設(shè)備對內(nèi)存部件進(jìn)行初步的檢測判斷好壞的設(shè)備，降低由于內(nèi)存異常造成的主板損傷，進(jìn)而減少對板卡造成燒壞的可能狀況，在內(nèi)存使用前用該測試設(shè)備檢測內(nèi)存單體各電源及地之間的阻抗情況，當(dāng)阻抗超過規(guī)定的目標(biāo)值認(rèn)為存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理，這樣就可以減少內(nèi)存異常對主板的損傷，實現(xiàn)保護(hù)的措施。實施例2: 如圖1所示，在實施例1的基礎(chǔ)上，本實施例所述方法涉及的測試工具，其結(jié)構(gòu)包括PCB電路板1，DDR插座2，所述電路板上設(shè)置有內(nèi)存測試點位，其中包括:電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位；通過萬用表測試相應(yīng)的點位，就可以判斷內(nèi)存的電源點及對地阻抗情況。如果當(dāng)電源板由于不確定因素出現(xiàn)有短路的地方，可以通過儀器具體的測試出來，使異常單體內(nèi)存可以前期排查出來。實施例3: 在實施例2的基礎(chǔ)上，本實施例所述測試工具PCB布線的銅箔的通流量符合電流大小的要求，使用的內(nèi)存接觸DIMM符合行業(yè)內(nèi)規(guī)范，使測量出來的數(shù)值接近內(nèi)存本體數(shù)值。實施例4: 在實施例2或3的基礎(chǔ)上，本實施例所述測試工具上的測試點位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPDo實施例5: 在實施例4的基礎(chǔ)上，本實施例所述DDR內(nèi)存包括DDR3內(nèi)存和DDR4內(nèi)存。以上實施方式僅用于說明本專利技術(shù)，而并非對本專利技術(shù)的限制，有關(guān)
的普通技術(shù)人員，在不脫離本專利技術(shù)的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本專利技術(shù)的范疇，本專利技術(shù)的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。【主權(quán)項】1.一種DDR快速測量方法，其特征在于:DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結(jié)果，將好的內(nèi)存上板測試。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述方法涉及的測試工具，其結(jié)構(gòu)包括PCB電路板，DDR插座，所述電路板上設(shè)置有內(nèi)存測試點位，其中包括:電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位；通過測試相應(yīng)的點位，判斷內(nèi)存的電源點及對地阻抗情況。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述測試工具PCB布線的銅箔的通流量符合電流大小的要求，使用的內(nèi)存接觸DIMM符合行業(yè)內(nèi)規(guī)范。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述測試工具上的測試點位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述DDR內(nèi)存包括DDR3內(nèi)存和DDR4內(nèi)存。【專利摘要】本專利技術(shù)公開了一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結(jié)果，將好的內(nèi)存上板測試。本專利技術(shù)利用測試工具的功能在測試前期快速的排查內(nèi)存是否好壞，內(nèi)存上系統(tǒng)前可以儀器排查，避免造成主板的損傷；保護(hù)主板因為異常內(nèi)存造成的損傷；增加外部測試點位測試，減少直接在內(nèi)存測試的風(fēng)險。【IPC分類】G11C29/56【公開號】CN105427894【申請?zhí)枴緾N201510756168【專利技術(shù)人】張曉 , 付猛猛 【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司【公開日】2016年3月23日【申請日】2015年11月9日本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種DDR快速測量方法，其特征在于：DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結(jié)果，將好的內(nèi)存上板測試。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張曉，付猛猛，
申請(專利權(quán))人：浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：山東;37