分解半導體器件的布局的方法和制造半導體器件的方法技術

公開了分解半導體器件的布局的方法和制造半導體器件的方法。分解半導體器件的布局的方法包括：半導體器件的布局中包括的多邊形當中的多個交叉點的多邊形可以被確定為復雜多邊形，其中在所述多個交叉點中的每個交叉點處至少兩條線交叉。第一針腳可以被插入在復雜多邊形上的所述多個交叉點之間。可以通過在布局上執行圖形劃分操作來生成多個分解圖形。

【技術實現步驟摘要】
【專利說明】相關申請的交叉引用本申請要求于2014年9月4日在韓國知識產權局(ΚΙΡ0)提交的韓國專利申請第10-2014-0117785號的優先權，其全部內容通過引用合并于此。
示例實施例涉及一種制造半導體器件的方法，并且更具體地，涉及一種分解半導體器件的布局的方法。
技術介紹
在制造高密度半導體器件期間，通常使用雙重圖形技術(DPT)過程以避免包括在半導體器件的布局中的圖形之間的沖突。在DPT過程中，半導體器件的布局被分解成兩個圖形，并且通過使用兩個圖形在襯底上執行光刻過程兩次而在襯底上形成布線圖形。最近，已經開發了三重圖形技術(TPT)過程和四重圖形技術(QPT)過程，其中在TPT過程中半導體器件的布局被分解成三個圖形，并且通過使用三個圖形在襯底上執行光刻過程三次而在襯底上形成布線圖形，其中在QPT過程中，半導體器件的布局被分解成四個圖形，并且通過使用四個圖形在襯底上執行光刻過程四次而在襯底上形成布線圖形。如上所述，半導體器件的布局可以分解成多個分解圖形以執行DPT過程、TPT過程或QPT過程。然而，當多個分解圖形的圖形密度彼此不同時，可能影響臨界尺寸均勻性，并且當基于多個分解圖形執行掩模制造過程和刻蝕過程的時候負載效應可能增大。
技術實現思路
示例實施例涉及一種有效地降低多個分解圖形的圖形密度之間的差異的分解半導體器件的布局的方法。示例實施例涉及一種使用分解半導體器件的布局的方法來制造半導體器件的方法。根據示例實施例，一種分解半導體器件的布局的方法包括:確定包括在半導體器件的布局中的多個多邊形當中的多邊形是復雜多邊形；在復雜多邊形上的多個交叉點之間插入第一針腳(stitch);以及通過在布局上執行圖形劃分操作來生成多個分解圖形。每個復雜多邊形包括多個交叉點，其中在所述多個交叉點中的每個交叉點處至少兩條線交叉。在示例實施例中，所述插入第一針腳可以包括在復雜多邊形中包括的多個交叉點當中的兩個相鄰交叉點的中心處插入第一針腳。在示例實施例中，所述布局可以包括多個復雜多邊形，并且所述插入第一針腳可以包括在所述多個復雜多邊形中的至少一個上的所述多個交叉點之間插入第一針腳。在示例實施例中，所述生成所述多個分解圖形可以包括至少基于復雜多邊形的第一部分和復雜多邊形的第二部分將所述多個分解圖形分離為彼此不同的分解圖形。所述復雜多邊形的第一部分可以在第一針腳的一側。所述復雜多邊形的第二部分可以在第一針腳的另一側。在示例實施例中，所述方法還可以包括在布局中包括的多邊形當中彼此距離臨界尺寸之內的兩個多邊形之間插入第一分離符。在示例實施例中，所述生成多個分解圖形可以包括至少基于所述兩個多邊形將多個分解圖形分離為彼此不同的分解圖形。所述兩個多邊形可以位于第一分離符的各側。在示例實施例中，所述方法還可以包括確定在布局中的連接到第一分離符的多邊形當中是否形成奇回路(odd cycle)。如果奇回路形成，則所述方法還可以包括在奇回路中包括的奇數數目的多邊形中的一個上插入第二針腳。在示例實施例中，所述生成所述多個分解圖形可以包括至少基于所述兩個多邊形、包括第二針腳的多邊形的第一部分、以及包括第二針腳的多邊形的第二部分將所述多個分解圖形分離為彼此不同的分解圖形。所述包括第二針腳的多邊形的第一部分可以在第二針腳的一側。所述包括第二針腳的多邊形的第二部分可以在第二針腳的另一側。在示例實施例中，所述方法還可以包括在布局中包括的多邊形當中的以大于臨界尺寸的距離彼此相鄰的兩個多邊形之間插入第二分離符。在示例實施例中，所述生成多個分解圖形可以包括至少基于所述兩個多邊形將多個分解圖形分離為彼此不同的分解圖形。所述兩個多邊形可以位于第二分離符的各側。在示例實施例中，所述生成所述多個分解圖形可以包括:如果第二分離符被插入在第一多邊形和沿相應于第一多邊形的短軸的方向遠離第一多邊形超過臨界尺寸的第二多邊形之間，則當執行圖形劃分操作的時候向第二分離符分配第一優先級。所述生成所述多個分解圖形可以包括:如果第二分離符被插入在第一多邊形和沿相應于第三多邊形的長軸的方向遠離第三多邊形超過臨界尺寸的第三多邊形之間，則當執行圖形劃分操作的時候向第二分離符分配第二優先級。在示例實施例中，所述通過在布局上執行圖形劃分操作來生成所述多個分解圖形可以包括:將位于第一分離符的各側的兩個多邊形分配為所述多個分解圖形當中的彼此不同的分解圖形，將包括在布局中的未分配多邊形當中的鄰近于具有第一優先級的第二分離符的多邊形分配為所述多個分解圖形中的一個，以及將包括在布局中的未分配多邊形當中的鄰近于具有第二優先級的第二分離符的多邊形分配為所述多個分解圖形中的一個。在示例實施例中，可以使用用于雙重圖形技術(DPT)過程的雙重圖形劃分算法來執行所述圖形劃分操作。在示例實施例中，所述多個分解圖形的數目可以是二。在示例實施例中，所述多個分解圖形可以利用彼此不同的顏色來顯示。在示例實施例中，所述半導體器件可以相應于片上系統。根據示例實施例，一種制造半導體器件的方法可以包括執行上面描述的分解半導體器件的布局的方法，分別生成相應于所述多個分解圖形的多個掩模，以及通過使用所述多個掩模在襯底上執行光刻過程在襯底上形成布線圖形。在示例實施例中，所述方法還可以包括在布局中包括的多個多邊形當中的彼此距離臨界尺寸之內的在兩個多邊形之間插入第一分離符。在示例實施例中，所述方法還可以包括確定在布局中的連接到第一分離符的多邊形當中是否形成奇回路(odd cycle)。如果奇回路形成，則所述方法還可以包括在奇回路中包括的奇數數目的多邊形中的一個上插入第二針腳。在示例實施例中，所述方法還可以包括在布局中包括的多邊形當中的以大于臨界尺寸的距離彼此相鄰的兩個多邊形之間插入第二分離符。根據不例實施例，一種分解半導體器件的布局的方法包括:在半導體器件的布局中包括的多個多邊形當中的彼此距離臨界尺寸之內的兩個多邊形之間插入第一分離符；在布局中包括的多邊形當中的以大于臨界尺寸的距離彼此相鄰的兩個多邊形之間插入第二分離符；以及通過在布局上執行圖形劃分操作來生成多個分解圖形。在示例實施例中，所述方法還可以包括確定是否在布局中包括的通過第一分離符連接的多邊形當中形成奇回路。如果奇回路形成，則可以在奇回路中包括的奇數數目的多邊形中的一個上插入針腳。在示例實施例中，所述方法還可以包括:多邊形是布局中的多邊形當中的復雜多邊形，所述復雜多邊形包括多個交叉點，其中在所述多個交叉點中的每個交叉點處至少兩條線交叉；以及在復雜多邊形上的所述多個交叉點之間插入第一針腳。根據示例實施例，提供一種分解半導體器件的布局的方法。所述布局包括多個多邊形。所述方法包括在布局中如下插入第一針腳和第一分離符中的至少一個:如果所述多個多邊形包括至少一個復雜多邊形，則在至少一個復雜多邊形中的所述多個交叉點之間插入第一針腳，其中在所述多個交叉點中的每個交叉點處至少兩條線交叉；以及如果所述多個多邊形包括以小于臨界尺寸的距離彼此間隔的兩個多邊形，則在以小于臨界尺寸的距離彼此間隔的所述兩個多邊形之間插入第一分離符。所述方法還可以包括通過在布局上執行圖形劃分操作來生成多個分解圖形。在示例實施例中，所述方法可以包括:在所述至少一個復雜多邊形中的所述多個交叉點之間插入第一針腳，其本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種分解半導體器件的布局的方法，包括：確定包括在半導體器件的布局中的多個多邊形當中的多邊形是復雜多邊形，該復雜多邊形包括多個交叉點，其中在所述多個交叉點中的每個交叉點處至少兩條線交叉；在復雜多邊形上的所述多個交叉點之間插入第一針腳；以及通過在布局上執行圖形劃分操作來生成多個分解圖形。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：姜大權，鄭智榮，金東均，梁在錫，黃盛昱，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR