一種用作隧道燈的雙面出光LED燈制造技術

本實用新型專利技術提供一種用作隧道燈的雙面出光LED燈，其包括底座、燈罩以及設置于所述燈罩內的LED發光組件，所述LED發光組件為雙面出光LED組件，所述燈罩底部開口，開口端與所述底座固定，所述底座上的與所述開口對應的面上安裝有控制電路板，所述雙面出光LED組件垂直設立于控制電路板上，其導電針腳插入控制電路板的正電極通孔中與外部電路正極電性連接，而將引線通過焊接方式與控制電路板的負電極電性連接。本實用新型專利技術的隧道燈采用雙面出光LED組件，克服了傳統LED隧道燈只能單面出光，出光效率低下的缺點、存在死角、發光效率不高的缺點，極大提高了LED的出光效率，且可以同時在雙面發射不同波長的光，便于推廣。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術提供一種用作隧道燈的雙面出光LED燈，其包括底座、燈罩以及設置于所述燈罩內的LED發光組件，所述LED發光組件為雙面出光LED組件，所述燈罩底部開口，開口端與所述底座固定，所述底座上的與所述開口對應的面上安裝有控制電路板，所述雙面出光LED組件垂直設立于控制電路板上，其導電針腳插入控制電路板的正電極通孔中與外部電路正極電性連接，而將引線通過焊接方式與控制電路板的負電極電性連接。本技術的隧道燈采用雙面出光LED組件，克服了傳統LED隧道燈只能單面出光，出光效率低下的缺點、存在死角、發光效率不高的缺點，極大提高了LED的出光效率，且可以同時在雙面發射不同波長的光，便于推廣。【專利說明】一種用作隧道燈的雙面出光LED燈
本技術涉及LED燈
，具體涉及一種用作隧道燈的雙面出光的LED燈。
技術介紹
隨著我國道路交通建設的迅速發展，公路隧道的建設規模及數量也越來越大，隧道照明也由此出現了如節能、安全等亟待解決的問題，隨著LED光源技術的日漸成熟，國內照明行業也開展了 LED在公路隧道照明中應用的研究和應用實踐，因此，在隧道照明中結合先進的控制方式，采用高光效、穩定性好、壽命長的新一代光源將會成為一種需求和趨勢。 隧道燈由于其安裝和使用的環境的特殊性，因此，不僅需要上文所述的高光性、穩定性及壽命長，而且，由于隧道燈主要用于照射兩個方向來往的車輛，因此安裝于隧道內壁上的隧道燈最好在其左右兩邊均具有良好的出光效果。但是，目前的隧道燈往往在兩燈之間有陰影，或者采用多個LED發光體，造成成本上升，光利用率不夠。
技術實現思路
有鑒于
技術介紹
所述，本技術有必要提供一種新型的用于隧道照明的LED燈。 本技術的目的是通過以下技術方案實現的: 一種用作隧道燈的雙面出光LED燈，其包括底座、燈罩以及設置于所述燈罩內的LED發光組件，所述LED發光組件為雙面出光LED組件，其包括:第一 LED芯片、高導熱性、高導電性基板、第二 LED芯片，其中第一 LED芯片包括第一 N型層、第一 P型層、第一活性層、與第一 N型層歐姆接觸的第一 N電極層，以及與第一 P型層歐姆接觸的第一 P電極層，第二LED芯片包括第二 P型層、第二活性層、第二 N型層，以及與第二 N型層歐姆接觸的第二 N電極層、與第二 P型層歐姆接觸的第二 P電極層，該組件還包括位于所述基板一側的導電針腳；其中，還包括位于所述LED組件另一側側壁的絕緣層以及覆蓋所述絕緣層的金屬層，其中金屬層電性連接第一 LED芯片的第一 N電極層與第二 LED芯片的N電極層,且所述絕緣層覆蓋除了第一 LED芯片的第一 N電極層以及第二 LED芯片的第二 N電極層以外的側壁，且在所述金屬層之上設置有引線，還包括第一 LED芯片的第一 P電極層與所述基板之間的高導熱、高導電粘合劑層；以及第二 LED芯片3的第二 P電極與所述基板之間的高導熱、高導電粘合劑層；所述燈罩底部開口，開口端與所述底座固定，所述底座上的與所述開口對應的面上安裝有控制電路板，所述雙面出光LED組件垂直設立于所述控制電路板上，所述導電針腳插入控制電路板的正電極通孔中與外部電路正極電性連接，而將所述引線通過焊接方式與控制電路板的負電極電性連接。 所述燈罩為鋼化玻璃燈罩。 所述底座為沿隧道延伸方向較長、垂直于隧道方向較短的金屬板，其外表面設有多個凸棱作為散熱翅片。 而且，所述多個凸棱均其底部至端部向遠離LED發光組件的方向傾斜。 所述底座和所述多個凸棱的表面均涂覆有反射層。 相對于現有技術，本技術包括以下優點: 本技術的隧道燈采用雙面出光LED組件，克服了傳統LED隧道燈只能單面出光，出光效率低下的缺點、存在死角、發光效率不高的缺點，極大提高了 LED的出光效率，且可以同時在雙面發射不同波長的光，始于推廣。 說明書附圖 圖1:本技術雙面出光LED組件的結構圖。 具體實施例 本技術提供了一種雙面出光的LED組件，現結合說明書附圖以及具體實施例進一步說明本技術的技術方案，說明書附圖與具體實施例僅是本技術技術方案的一種具體體現形式，并不會對其保護范圍作出特別的限定，任何符合本技術技術方案的精神的內容都在其保護范圍之內。 一種用作隧道燈的雙面出光LED燈，其包括底座、燈罩以及設置于所述燈罩內的LED發光組件，所述燈罩安裝于所述底座上，所述LED發光組件為雙面出光LED組件。 如圖1所述，所述雙面出光LED組件包括，第一 LED芯片1，基板2，第二 LED芯片3，其中第一 LED芯片I包括N型層102，P型層103，活性層105，與N型層102歐姆接觸的N電極層101，以及與P型層103歐姆接觸的P電極層104。支撐整個雙面出光LED組件的基板2，其中該基板2高導熱性、高導電性基板，包括但不限于包括但不限于銅、銀、金、鋁、極其合金等。第二 LED芯片3包括P型層301，活性層302，N型層303，以及與N型層303歐姆接觸的N電極層304，與P型層歐姆接觸的P電極層305。該組件還包括位于基板2一側的導電針腳107，導電針腳107為該組件與控制電路板(例如PCB)電性連接的引線，該導電針腳107的材料包括但不限于銅、銀、金、鋁及其合金等，此外，本技術的雙面出光LED組件還包括位于所述組件側邊的絕緣層108以及覆蓋所述絕緣層108的金屬層106，其中金屬層106電性連接第一 LED芯片I的第一 N電極層101與第二 LED芯片3的N電極層304，且絕緣層108覆蓋除了第一 LED芯片I第一 N電極層101以及第二 LED芯片3的第二N電極層304以外的側壁，且在金屬層106之上設置有引線109，該引線109用于將所述LED組件中第一、二芯片的N電極與控制電路板(例如PCB)電性連接。所述金屬層106和引線109的材料包括但不限于銅、銀、金、鋁及其合金等。其中，第一 LED芯片I和第二 LED芯片3包括但不限于氮化鎵，砷化鎵，銦磷等藍光，綠光，紅光，白光LED芯片，一 LED芯片I和第二 LED芯片3的活性層包括但不限于單層，多層量子阱結構。且第一 LED芯片I和第二 LED芯片3均采用激光剝離(lifit-ofT)方法，將生長基板上生長的大功率LED芯片與生長基板分離，然后通過鍵和方式將第一 LED芯片I和第二 LED芯片3的P電極與基板2之間通過高導熱、高導電粘合劑層相互粘結在一起，確保了各個LED芯片的散熱效果。 所述燈罩底部開口，開口端與所述底座固定，所述底座上的與所述開口對應的面上安裝有控制電路板，所述雙面出光LED組件垂直設立于所述控制電路板上，所述導電針腳107插入控制電路板的正電極通孔中與外部電路正極電性連接，而將所述引線109通過焊接方式與控制電路板的負電極電性連接。這樣，在通電的情況下，該LED組件即可分別從第一 LED芯片I和第二 LED芯片3的兩面出光，極大的提高了 LED芯片的出光效率，且第一LED芯片I和第二 LED芯片3的發射光波長可以不一致，也就是可以雙面發射不同顏色的光，極大的豐富了其應用范圍。【權利要求】1.一種用作隧道燈的雙面出光LED燈，其包括底本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用作隧道燈的雙面出光LED燈，其包括底座、燈罩以及設置于所述燈罩內的LED發光組件，所述LED發光組件為雙面出光LED組件，其特征在于：所述LED組件包括：第一LED芯片、高導熱性、高導電性基板、第二LED芯片，其中第一LED芯片包括第一N型層、第一P型層、第一活性層、與第一N型層歐姆接觸的第一N電極層，以及與第一P型層歐姆接觸的第一P電極層，第二LED芯片包括第二P型層、第二活性層、第二N型層，以及與第二N型層歐姆接觸的第二N電極層、與第二P型層歐姆接觸的第二P電極層，該組件還包括位于所述基板一側的導電針腳；其中，還包括位于所述LED組件另一側側壁的絕緣層以及覆蓋所述絕緣層的金屬層，其中金屬層電性連接第一LED芯片的第一N電極層與第二LED芯片的N電極層，且所述絕緣層覆蓋除了第一LED芯片的第一N電極層以及第二LED芯片的第二N電極層以外的側壁，且在所述金屬層之上設置有引線，還包括第一LED芯片的第一P電極層與所述基板之間的高導熱、高導電粘合劑層；以及第二LED芯片3的第二P電極與所述基板之間的高導熱、高導電粘合劑層；所述燈罩底部開口，開口端與所述底座固定，所述底座上的與所述開口對應的面上安裝有控制電路板，所述雙面出光LED組件垂直設立于所述控制電路板上，所述導電針腳插入控制電路板的正電極通孔中與外部電路正極電性連接，而將所述引線通過焊接方式與控制電路板的負電極電性連接。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：張言彬，
申請(專利權)人：珠海綠金能控科技有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44