一種LED芯片光刻方法技術(shù)

本申請公開了LED芯片光刻方法，包括：將LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分鐘；勻速轉(zhuǎn)動LED芯片3～5秒；降低轉(zhuǎn)速再勻速轉(zhuǎn)動LED芯片1～2秒；在LED芯片上添加體積為V1的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R1轉(zhuǎn)動LED芯片時間T1進(jìn)行勻膠；在LED芯片上添加體積為V2的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn)動LED芯片時間T2進(jìn)行勻膠；在LED芯片上添加體積為V3的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn)動LED芯片時間T3進(jìn)行勻膠，其中，V1>V2>V3，R1＜R2＜R3，且T1＞T2＞T3；將LED芯片在95度～105度下，熱板軟烤60秒～120秒；在曝光能量為80～120mj/cm2下曝光5-7秒；在105℃～110℃下硬烤80秒～100秒；用顯影液顯影50秒～70秒。本發(fā)明專利技術(shù)減少了LED芯片表面各處光刻膠厚度差異。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本申請涉及半導(dǎo)體照明
，具體地說，是涉及一種LED芯片光刻方法。
技術(shù)介紹
發(fā)光二極管（Light-EmittingDiode，簡稱LED)是一種能將電能轉(zhuǎn)化為光能的半 導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出 其他單色光的版本，時至今日能發(fā)出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相 當(dāng)?shù)墓舛取６猛疽灿沙鯐r作為指示燈、顯示板等；隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，發(fā)光二極管已被 廣泛的應(yīng)用于顯示器、電視機(jī)采光裝飾和照明。 LED的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半 導(dǎo)體之間有一個P-N結(jié)構(gòu)的過渡層。 光刻是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一，光刻的成本約為整個半導(dǎo)體制造 工藝的1/3,耗費(fèi)時間約占整個半導(dǎo)體制造工藝的40% - 60%。光刻的本質(zhì)是把制作在掩 膜版上的圖形復(fù)制到待刻蝕的晶圓上，其原理與照相相似，不同的是半導(dǎo)體晶圓與光刻膠 代替了照相底片與感光涂層。 目前LED光刻的制作工序主要有烘烤、勻膠、軟烤、曝光、硬烤、顯影等六個步驟。 光刻膠包含有光敏材料，通過掩模曝光產(chǎn)生于掩模相同的圖形，有兩類通用的光刻膠：正膠 和負(fù)膠。 光刻膠是一種有機(jī)化合物，受紫外曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。制造 中所用的光刻膠通常以液態(tài)涂在半導(dǎo)體晶片表面，進(jìn)而干燥成膠膜。其中，負(fù)性光刻膠在曝 光硬化后不能溶解；正性光刻膠曝光后軟化變得可溶。 現(xiàn)有技術(shù)的LED光刻步驟如下： 步驟101，烘烤 烘箱烘烤，溫度為95度烘烤5分鐘。 步驟102,勻膠 以1000~1500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動所述LED芯片3~5秒； 調(diào)整轉(zhuǎn)速，以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動芯片1~2秒； 添加光刻膠的量V= 10~20毫升，芯片轉(zhuǎn)速為R= 2000~4500轉(zhuǎn)/分鐘，以轉(zhuǎn) 速為R轉(zhuǎn)動T= 40~70秒； 以4000~4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動所述芯片1~2秒； 調(diào)整轉(zhuǎn)速，以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動芯片1~2秒。 步驟103,軟烤 在溫度95度~105度下進(jìn)行熱板軟烤60秒~120秒。 步驟104,曝光。 在曝光能量為80~120mj/cm2下曝光。 步驟105,軟烤 使用熱板105°C~110°C軟烤80秒~100秒。 步驟106,顯影。 用化學(xué)顯影液顯影50秒~70秒。 用化學(xué)顯影液將曝光造成光刻膠的可溶解區(qū)域溶解，主要目的是把掩膜版的圖形 準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。 常見的顯影液有NaOH(Shipley351)，KOH(Shipley606)，TMAH(ShipleyCD-26， MF-321，OCG945)等。 現(xiàn)有技術(shù)中，光刻勻膠采用一次性勻膠，而采用一次性勻膠，會造成光刻膠在芯片 表面覆蓋不均勻，導(dǎo)致芯片表面各處光刻膠厚度相差較大，也就會對后續(xù)的光刻曝光及顯 影產(chǎn)生影響，導(dǎo)致最終的光刻圖形異常，最終造成制備的LED不合格率較高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為了解決在上述現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問題，本專利技術(shù)的目的是提供LED芯片光刻方 法。 本專利技術(shù)提供了一種LED芯片光刻方法，該LED光刻方法包括： 將LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分鐘； 勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片3~5秒； 降低轉(zhuǎn)速再勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片1~2秒； 在所述LED芯片上添加體積為VI的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R1轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間 T1進(jìn)行勻膠； 在所述LED芯片上添加體積為V2的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間 T2進(jìn)行勻膠； 在所述LED芯片上添加體積為V3的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間 T3進(jìn)行勻膠，其中， V1>V2>V3,Rl<R2 <R3,且Tl>T2 >T3 ; 將所述LED芯片在95度~105度下，熱板軟烤60秒~120秒； 在曝光能量為80~120mj/cm2下曝光5-7秒； 在105°C~110°C下硬烤80秒~100秒； 用顯影液顯影50秒~70秒。 進(jìn)一步地，其中，所述勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片3~5秒，進(jìn)一步為： 以1000~1500轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片3~5秒。 進(jìn)一步地，其中，所述降低轉(zhuǎn)速再勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片1~2秒，進(jìn)一步為： 以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動所述LED芯片1~2秒。 進(jìn)一步地，其中，所述VI、R1及T1進(jìn)一步為： VI= 4 ~8 毫升；R1 = 2000 ~3000 轉(zhuǎn) / 分鐘；且 T1 = 20 秒~30 秒。 進(jìn)一步地，其中，所述在所述LED芯片上添加體積為VI的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R1轉(zhuǎn) 動所述LED芯片進(jìn)行勻膠，進(jìn)一步包括： 以R1 = 2000~3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動所述LED芯片T1 = 20~30秒后，以 4000~4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動所述LED芯片1~2秒，再以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn) 動所述LED芯片1~2秒。 進(jìn)一步地，其中，所述在所述LED芯片上添加體積為V2的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn) 動所述LED芯片進(jìn)行勻膠，進(jìn)一步包括： 以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間為T2后，以4000-4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動 所述芯片1~2秒，再以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動所述LED芯片1~2秒。 進(jìn)一步地，其中，所述V2、R2及T2進(jìn)一步為： V2 = 0? 7V1 ~0? 8V1、R2 = 1. 2R1 且T2 = 0? 75T1。 進(jìn)一步地，其中，所述在所述LED芯片上添加體積為V3的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn) 動所述LED芯片進(jìn)行勻膠，進(jìn)一步包括： 以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間為T3后，以4000-4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動 所述芯片1~2秒，再以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動所述LED芯片1~2秒。 進(jìn)一步地，其中，所述V3、R3及T3進(jìn)一步為： V3 = 0? 7V2 ~0? 8V2、R3 = 1. 2R2 且T3 = 0? 75T2。 進(jìn)一步地，其中，所述顯影液進(jìn)一步為： NaOH(氫氧化鈉）、K0H(氫氧化鉀）或者TMAH(四甲基氫氧化銨）。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請所述的LED芯片光刻方法，具有以下優(yōu)點(diǎn)： (1)本專利技術(shù)的LED芯片光刻方法通過三步勻膠的方式，與現(xiàn)有技術(shù)的一次性勻膠 方法相比，使得光刻膠在LED芯片表面覆蓋更均勻，減少了LED芯片表面各處光刻膠厚度差 異，保證了經(jīng)過曝光、顯影后產(chǎn)生較良的光刻圖形，提高了LED芯片的品質(zhì)。 (2)本專利技術(shù)的LED芯片光刻方法通過三步勻膠的方式，使得光刻膠在芯片表面覆 蓋分層均勻覆蓋，后面層能彌補(bǔ)上一層的厚度差異，均勻的LED芯片表面光刻膠覆蓋也有 利于對LED芯片的軟烤。 當(dāng)然，實施本申請的任一產(chǎn)品必不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有技術(shù)效果?！靖綀D說明】 此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申 請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中： 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的LED芯片光刻方法步驟示意圖。 圖2是本專利技術(shù)實施例1的LED芯片光刻方法流程示意圖。 圖3是本專利技術(shù)實施例2的LED芯片光刻方法流程示意圖。【具體實施方式】 如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種LED芯片光刻方法，其特征在于，該LED光刻方法包括：將LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分鐘；勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片3～5秒；降低轉(zhuǎn)速再勻速轉(zhuǎn)動所述LED芯片1～2秒；在所述LED芯片上添加體積為V1的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R1轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間T1進(jìn)行勻膠；在所述LED芯片上添加體積為V2的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間T2進(jìn)行勻膠；在所述LED芯片上添加體積為V3的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn)動所述LED芯片時間T3進(jìn)行勻膠，其中，V1>V2>V3，R1＜R2＜R3，且T1＞T2＞T3；將所述LED芯片在95度～105度下，熱板軟烤60秒～120秒；在曝光能量為80～120mj/cm2下曝光5?7秒；在105℃～110℃下硬烤80秒～100秒；用顯影液顯影50秒～70秒。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐平，苗振林，盧國軍，
申請(專利權(quán))人：湘能華磊光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：湖南;43