本發明專利技術公開了一種陣列基板及顯示裝置，其中，陣列基板的非顯示區域設置有與扇出走線異層設置的電容補償膜層，而且，該電容補償膜層與每條扇出走線的正對面積按照所述扇出走線的長度由大至小的順序逐漸增大，使得長度較長的扇出走線與電容補償膜層的正對面積相對較小，長度較短的扇出走線與電容補償膜層的正對面積相對較大，進而，長度較長的扇出走線的電阻與相應補償電容的乘積與長度較短的扇出走線的電阻與相應補償電容的乘積近乎相等，這種設計方案可以減小電阻差異，保證每條扇出走線的電阻與相應補償電容的乘積近乎相等，改善扇出走線信號不均一的問題，提升畫面顯示均一性。同時，還可以避免增加額外的布線空間，保證窄邊框的需求。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
技術介紹
目前扇出區(fanout)布線跨度較大，在由驅動IC向兩側布線的時候，由于像素單元的位置不同，導致fanout布線中每條扇出走線長度可能不同，形成電阻差異，從而導致各扇出走線上的信號延遲差異而使信號不均一，進而影響畫面顯示的均一性；現有技術中可以通過增加扇出走線長度的方式將所有扇出走線的長度調整為近乎相等，從而減少電阻差異，但是需要較大的布線空間，影響窄邊框的設計。
技術實現思路
本專利技術實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，用以在保證窄邊框的基礎上解決現有技術中存在的扇出走線上信號延時存在差異的問題。本專利技術實施例采用以下技術方案:一種陣列基板，包括顯示區域和非顯示區域，其中，所述陣列基板的非顯示區域設置有多條不同長度的扇出走線，所述陣列基板的非顯示區域還包括:與所述扇出走線異層設置的電容補償膜層，其中，所述電容補償膜層與每條扇出走線的正對面積按照所述扇出走線的長度由大至小的順序逐漸增大。本方案利用電容補償膜層與每條扇出走線之間的正對面積形成不同的補償電容，對于長度較長的扇出走線，與電容補償膜層的正對面積相對較小，即補償電容較小，對于長度較短的扇出走線，與電容補償膜層的正對面積相對較大，即補償電容較大，這樣，才能保證長度較長的扇出走線的電阻與其對應的較小的補償電容的乘積與長度較短的扇出走線的電阻與其對應的較大的補償電容的乘積近乎相等，減小電阻差異，從而，使得每個扇出走線的電阻與其對應的補償電容的乘積近乎相等，即保證RC值近乎相等，改善扇出走線信號不均一的問題，進而改善畫面顯示均一性。優選地，所述電容補償膜層與每條扇出走線的正對面積與相應扇出走線的長度呈反比例關系。該方案可使得每個扇出走線的電阻與相應電容乘積相等。優選地，所述多條扇出走線中長度最長的扇出走線為參考扇出走線，所述電容補償膜層與所述多條扇出走線中長度最長的扇出走線的正對面積的取值范圍為:8 μηι2-12 μπι2。在該方案中，以最長的扇出走線的正對面積確定反比例關系中的比例系數，可以盡可能減小電容補償膜層的覆蓋面積，進而，減小補償電容，保證較小的信號延遲。優選地，所述電容補償膜層的部分邊緣具有鋸齒狀圖案。該方案中的電容補償膜層具有鋸齒狀圖案，從而保證形成的補償電容較穩定。優選地，所述電容補償膜層在所述陣列基板上的正投影僅覆蓋所述扇出走線，且圖案連續。該方案中的電容補償膜層的形狀可以保證形成的補償電容更為精確。優選地，所述電容補償膜層的材料為透明導電氧化物。在該方案中，透明導電氧化物為陣列基板中常用材質，可以更好的形成補償電容。優選地，所述陣列基板的顯示區域設置有公共電極層；所述電容補償膜層與所述公共電極層同層設置，同一次工藝形成；或所述陣列基板的顯示區域設置有像素電極層，所述電容補償膜層與所述像素電極層同層設置，同一次工藝形成。在該方案中，將電容補償膜層與公共電極層或像素電極層同層設置，從而，避免了額外制備膜層作為電容補償膜層的操作。優選地，所述電容補償膜層的材料為金屬或合金。在該方案中，金屬與合金為陣列基板中常用材質，可以更好的形成補償電容。優選地，所述陣列基板的顯示區域異層設置有源漏層和柵線；其中，所述扇出走線與源漏層同層設置，同一次工藝形成；所述電容補償膜層與柵線同層設置，同一次工藝形成；或者所述扇出走線與所述柵線同層設置，同一次工藝形成；所述電容補償膜層與源漏層同層設置，同一次工藝形成。在該方案中，將電容補償膜層與源、漏極或柵線同層設置，從而，避免了額外制備膜層作為電容補償膜層的操作。一種顯示裝置，包含所述的陣列基板。由于該顯示裝置包含上述陣列基板，因此能夠很好的改善信號不均一的問題，進而改善畫面顯示均一性。【附圖說明】為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；圖2(a)為以圖1中扇出走線11所在區域的放大圖；圖2(b)為將扇出走線111-扇出走線Iln分別等效成各電路元件的η條電路示意圖；圖3為電容補償膜層的膜層結構示意圖之一；圖4為電容補償膜層的膜層結構示意圖之二 ；圖5 (a)為電容補償膜層所在膜層位置的剖面示意圖之一；圖5 (b)為電容補償膜層所在膜層位置的剖面示意圖之二 ；圖6 (a)為電容補償膜層所在膜層位置的剖面示意圖之三；圖6(b)為電容補償膜層所在膜層位置的剖面示意圖之四。【具體實施方式】為了使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本專利技術作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。下面通過具體的實施例對本專利技術所涉及的技術方案進行詳細描述，本專利技術包括但并不限于以下實施例。如圖1所示，為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖，該陣列基板10被限定為顯示區域A(陣列基板的中間區域，斜條紋填充)和非顯示區域B(陣列基板的邊緣區域)，其中，該陣列基板10的非顯示區域B設置有多條不同長度的扇出走線11，每條扇出走線11的一端連接驅動IC或控制1C，另一端連接位于陣列基板的顯示區域A的電路。該陣列基板10的非顯示區域B還包括:與扇出走線11異層設置的電容補償膜層12，其中，電容補償膜層12與每條扇出走線11的正對面積S按照扇出走線11的長度由大至小的順序逐漸增大。在本專利技術實施例中，電容補償膜層位于后續覆蓋的彩膜基板在陣列基板的正投影范圍內。具體地，參照圖2(a)所示的以圖1中扇出走線11所在區域的局部放大圖，圖2(a)中僅示出部分扇出走線U。在圖1中，扇出走線11呈對稱排布，且每條扇出走線11的長度根據其距離電路的遠近而不同，一般情況下，都會在驅動IC或控制IC的附近將扇出走線11設置成弓字形。電容補償膜層12可以位于扇出走線11所在膜層的上方或下方，圖2(a)中以位于上方為例。扇出走線111的長度大于扇出走線112的長度，而電容補償膜層12與扇出走線111的正對面積SI小于電容補償膜層12與扇出走線112的正對面積S2。其他的扇出走線11與電容補充膜層12的正對面積也按照扇出走線11的長度由大至小的順序逐漸增大。其中，針對不同扇出走線而言，其與電容補充膜層12的正對面積的差值可以相等也可以不等。為了便于理解，如圖2(b)示出將扇出走線111-扇出走線Iln分別轉換成各電路元件的η條電路示意圖，其中，扇出走線111等效成電阻R1，電容補償膜層與其的正對面積形成的補償電容為Cl ;扇出走線112等效成電阻R2，電容補償膜層與其的正對面積形成的補償電容為C2 ;依次類推，扇出走線Iln等效成電阻Rn，電容補償膜層與其的正對面積形成的補償電容為Cn，從而，通過調整電容補償膜層與每條扇出走線的正對面積(即補償電容大小)，保證R1*C1 = R2*C2.......Rn*Cn，從而，改善每條扇出走線的信號均一"性的問題。通過在上述陣列基板本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種陣列基板，包括顯示區域和非顯示區域，其中，所述陣列基板的非顯示區域設置有多條不同長度的扇出走線，其特征在于，所述陣列基板的非顯示區域還包括：與所述扇出走線異層設置的電容補償膜層，其中，所述電容補償膜層與每條扇出走線的正對面積按照所述扇出走線的長度由大至小的順序逐漸增大。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王小元，王武，金在光，白雅杰，
申請(專利權)人：重慶京東方光電科技有限公司，京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：重慶;85
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