本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了一種光學(xué)膜片、背光模組及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的勻光膜片發(fā)光不均勻的問(wèn)題。一種光學(xué)膜片，包括一維納米材料，所述一維納米材料沿同一方向排列，且所述一維納米材料的兩端分別朝向所述光學(xué)膜片的兩個(gè)底面。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及顯示
，尤其涉及一種光學(xué)膜片、背光模組及顯示裝置。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的液晶顯示裝置如圖1所示，包括:液晶顯示面板107、為液晶顯示面板107提供背光的背光模組10。其中，圖1所示的為一種側(cè)入式背光模組，包括:背板101、膠框102、光源103、反射片104、導(dǎo)光板105以及勾光膜片106。其中，光源103位于導(dǎo)光板105的側(cè)面，勾光膜片106 一般為量子點(diǎn)膜層，量子點(diǎn)不規(guī)則的分布在量子點(diǎn)膜層中。由于在形成量子點(diǎn)膜層時(shí)，量子點(diǎn)容易發(fā)生團(tuán)聚，從而量子點(diǎn)膜層的發(fā)光不均勻。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例提供一種光學(xué)膜片、背光模組及顯示裝置，所述背光模組包括的光學(xué)膜片能夠使光均勻發(fā)出。為達(dá)到上述目的，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:—方面，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種光學(xué)膜片，包括一維納米材料，所述一維納米材料沿同一方向排列，且所述一維納米材料的兩端分別朝向所述光學(xué)膜片的兩個(gè)底面。可選的，所述一維納米材料由半導(dǎo)體構(gòu)成，用于在第一波長(zhǎng)的光的激發(fā)下發(fā)出第二波長(zhǎng)的光。可選的，所述一維納米材料的結(jié)構(gòu)包括:納米線或納米棒。可選的，所述一維納米材料包括核體以及包圍所述核體的側(cè)壁的殼層，其中，形成所述核體和所述殼層的材料的晶格之差不大于5%。可選的，所述核體的材料為GaAs，所述殼層的材料為InGaAs。可選的，所述殼層包括:至少兩個(gè)依次包覆的子層，形成所述兩個(gè)子層的材料的晶格之差不大于10%。可選的，所述一維納米材料包括核體、包圍所述核體側(cè)壁的第一子層以及包圍所述第一子層側(cè)壁的第二子層，其中，所述第二子層的材料與所述核體的材料相同。另一方面，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種背光模組，包括:光源、導(dǎo)光板以及位于所述導(dǎo)光板出光側(cè)的勻光膜片，所述勻光膜片為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的任一所述的光學(xué)膜片，所述光學(xué)膜片的一側(cè)底面朝向所述導(dǎo)光板。可選的，還包括:位于所述光學(xué)膜片和所述導(dǎo)光板之間的透明基板，所述光學(xué)膜片朝向所述導(dǎo)光板的底面與所述透明基板接觸。另一方面，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的任一所述的背光模組。本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例提供一種光學(xué)膜片、背光模組及顯不裝置，其包括沿同一方向排列的一維納米材料，相對(duì)于量子點(diǎn)而言，一維納米材料不容易發(fā)生團(tuán)聚，從而該光學(xué)膜片的發(fā)光較量子點(diǎn)膜層發(fā)光均勻。此外，一維納米材料可以是相當(dāng)于一個(gè)諧振腔的存在，其可以將一側(cè)端面入射的光線從另一側(cè)端面發(fā)出，從而提高出光均勻性。【附圖說(shuō)明】為了更清楚地說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本專(zhuān)利技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有的液晶顯不裝置不意圖；圖2為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的一種光學(xué)膜片示意圖；圖3為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中納米線的出光示意圖；圖4為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的一種殼型結(jié)構(gòu)的納米線示意圖；圖5為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的另一種殼型結(jié)構(gòu)的納米線示意圖；圖6為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的一種背光模組示意圖。附圖標(biāo)記:10-背光模組；20_納米線；30_透明基板；21_核體；22_殼層；101-背板；102_膠框；103-光源；104-反射片；105-導(dǎo)光板；106-勻光膜片；107-液晶顯示面板；200_光學(xué)膜片；221_第一子層；222_第二子層。【具體實(shí)施方式】下面將結(jié)合本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專(zhuān)利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本專(zhuān)利技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本專(zhuān)利技術(shù)保護(hù)的范圍。需要指出的是，除非另有定義，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本專(zhuān)利技術(shù)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如在通常字典里定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)的上下文中的含義相一致的含義，而不應(yīng)用理想化或極度形式化的意義來(lái)解釋?zhuān)沁@里明確地這樣定義。并且，本專(zhuān)利技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)以及權(quán)利要求書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本專(zhuān)利技術(shù)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)理解，由于本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例所涉及的一維納米材料非常微小，為了清楚起見(jiàn)，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例附圖中各結(jié)構(gòu)的尺寸、比例以及電極膜層的相對(duì)厚度均被放大，不代表實(shí)際尺寸。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種光學(xué)膜片200，如圖2所示，包括一維納米材料(納米線20)，一維納米材料(納米線20)沿同一方向排列，且一維納米材料(納米線20)的兩端分別朝向光學(xué)膜片200的兩個(gè)底面。需要說(shuō)明的是，一維納米材料又稱為線性納米材料，具有超細(xì)線性結(jié)構(gòu)，其定義為徑向方向的尺寸取值范圍為Inm-lOOnm，軸向方向的尺寸為納米至微米數(shù)量級(jí)。其中，在一維納米材料中，一般將縱橫比(即軸向方向的尺寸與徑向方向的尺寸的比率)較小的稱為納米棒，縱橫比較大的稱為納米線。縱橫比的數(shù)值沒(méi)有嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，一般將長(zhǎng)度(即軸向方向的尺寸)小于I μπι的稱為納米棒，長(zhǎng)度大于I μπι的稱為納米線。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中以一維納米材料的結(jié)構(gòu)包括納米線或納米棒為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。其中，對(duì)于納米線而言，其徑向方向的尺寸即為其截面線度，軸向方向的尺寸即為其線長(zhǎng)。對(duì)于納米棒而言，其徑向方向的尺寸即為其截面直徑，軸向方向的尺寸即為其棒長(zhǎng)。圖2中以一維納米材料為納米線為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。納米線20沿同一方向排列，且納米線20的兩端分別朝向光學(xué)膜片200的兩個(gè)底面。即納米線20的軸向方向(201方向)與光學(xué)膜片200的厚度方向一致，納米線20的長(zhǎng)度等同于光學(xué)膜片200的厚度。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的一種光學(xué)膜片，其包括沿同一方向排列的一維納米材料，相對(duì)于量子點(diǎn)而言，一維納米材料不容易發(fā)生團(tuán)聚，從而該光學(xué)膜片的發(fā)光較量子點(diǎn)膜層發(fā)光均勻。此外，如圖3所示，一維納米材料(圖3中以納米線20為例)可以是相當(dāng)于一個(gè)諧振腔的存在，其可以將一側(cè)端面入射的光線從另一側(cè)端面發(fā)出，從而提高出光均勻性。在制作過(guò)程中，不能完全保證一維納米材料的軸向與光學(xué)膜片的厚度方向一致，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中可選的一維納米導(dǎo)體材料的軸向方向與光學(xué)膜片的底面呈夾角設(shè)置，夾角的取值范圍為不大于30°。這里需要說(shuō)明現(xiàn)有的一維納米材料的制備。以納米線為例，納米線可以由懸置法、沉積法或者元素合成法等方法制得。現(xiàn)有生長(zhǎng)的納米線分為兩種，分別為垂直于基底平面的納米線和平行于基底平面的納米線。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中，一維納米材料的兩端分別朝向光學(xué)膜片的兩個(gè)底面，則本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例中的一維納米材料為垂直于基底平面的納米。以InGaN (銦氮化鎵)納米線為例具體說(shuō)明其制備方法。示例的，可以將硅球均勻的灑在InGaN薄膜上，硅球充當(dāng)前第1頁(yè)1 2 本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種光學(xué)膜片，其特征在于，包括一維納米材料，所述一維納米材料沿同一方向排列，且所述一維納米材料的兩端分別朝向所述光學(xué)膜片的兩個(gè)底面。
【技術(shù)特征摘要】
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王博，孫拓，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京;11
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