一種玉米高產無公害栽培方法技術

本發明專利技術公開了一種玉米高產無公害種植方法，包括以下步驟：（1）科學整地，（2）選種及種子處理，（3）合理種植，（4）田間管理，（5）適時采收。本發明專利技術的玉米高產無公害栽培方法，通過合理的整地、選種、品種種植布局設計及科學防治病蟲害，提高了玉米植株的受光率、降低病蟲害的發病率，所收獲的玉米產量高、籽粒飽滿、農藥化肥含量少，具有高產無公害的特點，適合于大范圍種植推廣。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及農作物栽培
，特別是涉及。
技術介紹
玉米是我國重要的糧食作物之一。傳統的玉米種植方法一般都是一穴單株、等行距種植，由于玉米植株的葉片寬而長，若種植過密，則葉片相互遮擋，影響采光率，造成作物減產，而種植過稀，則同樣不利于高產；在傳統的玉米種植過程中，不注重土壤的深層結構特點，種植土地的透氣性和保水保肥能力差，不能將有限的肥料高效的供給玉米植株；另夕卜，為了提高產量，傳統種植通常采用大劑量、高頻率的方法噴灑農藥，以消滅和防治病蟲害和雜草對玉米的侵害，這種種植方法在短期內可以減少蟲害的發生，但長期如此，則不利于植株的生長和產量的提高。
技術實現思路
本專利技術主要解決的技術問題是提供，能夠解決傳統玉米栽培中存在的上述問題。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是:提供一種玉米高產無公害種植方法，包括以下步驟: (1)科學整地:在前茬收獲后，清除地里的雜草、殘余植株和枯枝敗葉，向田地內施撒毒土、斬碎的秸桿、殺菌除草藥肥和底肥，然后將田地深耕25?30cm，將上述毒土、斬碎的秸桿、殺菌除草藥肥和底肥埋入土中，耙平磨細表層土壤，在耙平后的田地內按東西走向挖制出田壟，相鄰田壟的間距為70?90cm，每個田壟寬40?50cm ; (2)選種及種子處理:選擇高產、抗病、抗旱、出苗率高于90%的緊湊型高植株品種和平展型矮植株品種，將所述兩種種子分別用紫外光照射殺菌，然后置于日光下日曬I?2天； (3)合理種植:在步驟(I)中挖制好的田壟上種植步驟(3)中處理后的玉米種子，每壟種植兩行，按從南到北依次為平展型矮植株行和緊湊型高植株行的順序種植，每行間距20?30cm，每行株間距20?25cm，每株種植深度為3?5cm，每穴播種2?3粒，全部播種后，按壟噴灑清水使涂層濕潤，然后按壟覆上地膜； (4)田間管理:播種后5?10天出苗，待全苗并長至I?2個葉片時，放苗；待幼苗長至5?7個葉片時，定苗，每穴留一株健康的壯苗；在植株開花前期，鋤地破土，并進行人工除草，然后每畝追施腐熟農家肥1000?1500kg，磷鉀復合肥50?100kg，在結出玉米果穗后，每畝追施速效氮磷鉀復合肥30?50kg，尿素50?80kg ;每次追施后，及時澆透水；在每公頃玉米田地吊掛15?25盞殺蟲燈，并在開花前期，每畝噴灑500?1000L 10%吡蟲啉可濕性粉劑1500倍液，2.5%敵殺死800倍液，2%蟲螨克乳油800倍液的混合液，進行噴霧防治，同時在每株葉心內放置3?5粒甲拌磷顆粒劑； (5)適時采收:待玉米授粉后50?60天，將玉米植株砍伐放于田地內，放置I?2周以后，將玉米穗掰下，儲運加工。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(I)中，所述毒土為1.5kg 30%辛硫磷乳劑和30kg田土混拌均勾的混合土，所述毒土的施用量為每畝50?100kg。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(I)中，所述秸桿為小麥秸桿，所述斬碎后小麥秸桿的長度為2?5cm，所述小麥秸桿的施用量為每畝0.5?1kg。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(I)中，所述殺菌除草藥肥為腐熟的苦楝皮、瑞香狼毒、五倍子、無患子外種皮、蘑菇渣、秸桿灰、膨潤土鈣石粉和75%甲基托布津的混合物，所述殺菌除草藥肥的施用量為每畝3?5kg。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(I)中，所述基肥包括腐熟農家肥、尿素和磷酸二氫鉀，所述基肥的施用量為每畝施用腐熟農家肥3000?4000kg，尿素30?50kg，磷酸二氫鉀15?20kg。本專利技術的有益效果是:本專利技術，通過合理的整地、選種、品種種植布局設計及科學防治病蟲害，提高了玉米植株的受光率、降低病蟲害的發病率，所收獲的玉米產量高、籽粒飽滿、農藥化肥含量少，具有高產無公害的特點，適合于大范圍種植推廣。【具體實施方式】下面對本專利技術的較佳實施例進行詳細闡述，以使本專利技術的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本專利技術的保護范圍做出更為清楚明確的界定。本專利技術實施例包括: 實施例1 (1)科學整地:在前茬收獲后，清除地里的雜草、殘余植株和枯枝敗葉，向每畝田地內施撒50kg毒土、0.5kg長度為2?5cm斬碎的小麥稻桿、5kg殺菌除草藥肥和底肥(包括3000kg腐熟農家肥，30 kg尿素和20kg磷酸二氫鉀)，然后將田地深耕25?30cm，將上述毒土、斬碎的秸桿、殺菌除草藥肥和底肥埋入土中，耙平磨細表層土壤，在耙平后的田地內按東西走向挖制出田壟，相鄰田壟的間距為70cm，每個田壟寬40cm ;其中，所述毒土為1.5kg 30%辛硫磷乳劑和30kg田土混拌均勻的混合土，所述殺菌除草藥肥為腐熟的苦楝皮、瑞香狼毒、五倍子、無患子外種皮、蘑菇渣、秸桿灰、膨潤土鈣石粉和75%甲基托布津的混合物； (2)選種及種子處理:選擇高產、抗病、抗旱、出苗率高于90%的緊湊型高植株品種和平展型矮植株品種，將所述兩種種子分別用紫外光照射，以殺死種子內外的細菌和蟲卵，然后置于日光下日曬I?2天； (3)合理種植:在步驟(I)中挖制好的田壟上種植步驟(3)中處理后的玉米種子，每壟種植兩行，每壟按從南到北依次為平展型矮植株行和緊湊型高植株行的順序種植兩行，每行間距20cm，每行株間距25cm，每株種植深度為3?5cm，每穴播種2?3粒，這種種植方式以及密植度可以使玉米植株的葉子充分接受光照，防止遮光和漏光，使高矮植株均充分接受光照，待全部播種后，按壟噴灑清水使涂層濕潤，然后按壟覆上地膜，以保持土壤濕潤，促進種子萌發； (4)田間管理:播種后5?10天出苗，待全苗并長至I?2個葉片時，放苗；待幼苗長至5?7個葉片時，定苗，每穴留一株健康的壯苗；在植株開花前期，鋤地破土，并進行人工除草，然后每畝追施腐熟農家肥1000kg，磷鉀復合肥100kg，在結出玉米果穗后，每畝追施速效氮磷鉀復合肥30kg，尿素80kg ;每次追施后，及時澆透水，以防燒苗；在每畝玉米田地吊掛3盞殺蟲燈，燈盞離地面的高度為2.5m，每天傍晚7點開燈，次日早晨4點半閉燈，以殺死害蟲，另外，在開花前期，每畝噴灑500L 10%吡蟲啉可濕性粉劑1500倍液，2.5%敵殺死800倍液，2%蟲螨克乳油800倍液的混合液當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種玉米高產無公害種植方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）科學整地：在前茬收獲后，清除地里的雜草、殘余植株和枯枝敗葉，向田地內施撒毒土、斬碎的秸稈、殺菌除草藥肥和底肥，然后將田地深耕25～30cm，將上述毒土、斬碎的秸稈、殺菌除草藥肥和底肥埋入土中，耙平磨細表層土壤，在耙平后的田地內按東西走向挖制出田壟，相鄰田壟的間距為70～90cm，每個田壟寬40～50cm；（2）選種及種子處理：選擇高產、抗病、抗旱、出苗率高于90%的緊湊型高植株品種和平展型矮植株品種，將所述兩種種子分別用紫外光照射殺菌，然后置于日光下日曬1～2天；（3）合理種植：在步驟（1）中挖制好的田壟上種植步驟（3）中處理后的玉米種子，每壟種植兩行，按從南到北依次為平展型矮植株行和緊湊型高植株行的順序種植，每行間距20～30cm，每行株間距20～25cm，每株種植深度為3～5cm，每穴播種2～3粒，全部播種后，按壟噴灑清水使涂層濕潤，然后按壟覆上地膜；（4）田間管理：播種后5～10天出苗，待全苗并長至1～2個葉片時，放苗；待幼苗長至5～7個葉片時，定苗，每穴留一株健康的壯苗；在植株開花前期，鋤地破土，并進行人工除草，然后每畝追施腐熟農家肥1000～1500kg，磷鉀復合肥50～100kg，在結出玉米果穗后，每畝追施速效氮磷鉀復合肥30～50kg，尿素50～80kg；每次追施后，及時澆透水；在每畝玉米田地吊掛3～5盞殺蟲燈，并在開花前期，每畝噴灑500～1000L?10%吡蟲啉可濕性粉劑1500倍液，2.5%敵殺死800倍液，2%蟲螨克乳油800倍液的混合液，進行噴霧防治，同時在每株葉心內放置3～5粒甲拌磷顆粒劑；（5）適時采收：待玉米授粉后50～60天，將玉米植株砍伐放于田地內，放置1～2周以后，將玉米穗掰下，儲運加工。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王祖明，
申請(專利權)人：太倉市家欣農場專業合作社，
類型：發明
國別省市：江蘇;32