激光二極管器件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種激光二極管器件，所述激光二極管器件包括：載體芯片，從載體基板上單一化；一個或多個外延材料晶片，從基板上被轉(zhuǎn)移至所述載體基板；所述外延材料包括n型包覆層區(qū)域、包括與所述n型包覆層區(qū)域重疊的至少一個有源層的有源區(qū)以及與所述有源層區(qū)域重疊的p型包覆層區(qū)域；以及一個或多個激光二極管帶區(qū)域，形成在所述外延材料晶片中。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種激光二極管器件，所述激光二極管器件包括：載體芯片，從載體基板上單一化；一個或多個外延材料晶片，從基板上被轉(zhuǎn)移至所述載體基板；所述外延材料包括n型包覆層區(qū)域、包括與所述n型包覆層區(qū)域重疊的至少一個有源層的有源區(qū)以及與所述有源層區(qū)域重疊的p型包覆層區(qū)域；以及一個或多個激光二極管帶區(qū)域，形成在所述外延材料晶片中。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邁爾文·麥克勞林，亞歷山大·施泰因，許博善，埃里克·古坦，丹·施泰格瓦爾德，詹姆斯·W·拉林，
申請(專利權(quán))人：天空激光二極管有限公司，
類型：新型
國別省市：美國;US