單晶體生長設備制造技術

公開了一種單晶體生長裝置，該裝置包括：腔室；坩鍋，其設置在腔室中并且構造成容置熔化物，該熔化物是用于單晶體生長的原材料；加熱器，其設置在坩鍋和腔室的側壁之間并且加熱該坩鍋；以及坩鍋屏，其設置在坩鍋的上端上，并且坩鍋屏具有彎曲構件，該彎曲構件將從坩鍋中的熔化物產生的輻射熱量反射到坩鍋的內壁。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
實施例涉及一種單晶體生長設備。
技術介紹
用于藍寶石的單晶體生長的代表性方法包括丘克拉斯基法(Czochralski)以及凱羅普洛斯法(Kyropoulos)。有利地，凱羅普洛斯法比丘克拉斯基法具有較低的設備價格和生產成本以及較少的缺陷。凱羅普洛斯法可以包括將原材料填充到坩鍋中，以高于原材料熔點的溫度加熱原材料，通過使耔晶與在處于引晶的溫度下的坩鍋中的熔化物接觸而形成調制品(seasoning)，并且通過以恒定的速率減小功率而形成本體，然后維持用于單晶體生長的溫度變化率。
技術實現思路
技術問題實施例提供了一種單晶體生長設備，該單晶體生長設備可以防止當單晶體橫向生長時產生的側部粘結。技術方案根據一實施例，提供了一種單晶體生長設備，該設備包括:腔室；坩鍋，其設置在腔室中并且構造成容置熔化物，該熔化物是用于單晶體生長的原材料；加熱器，其設置在坩鍋和腔室的側壁之間并且加熱該坩鍋；以及坩鍋屏，其設置在坩鍋的上端上，其中坩鍋屏具有彎曲構件，該彎曲構件將從坩鍋中的熔化物產生的輻射熱量反射到坩鍋的內壁。該彎曲構件可以是坩禍屏的彎曲部分，該彎曲部分沿朝向坩禍的方向彎曲。坩禍屏可以接觸坩鍋的上端并且由坩鍋的上端支承。坩禍屏可以是圓板型，并且具有中心開口，并且坩禍屏可以包括外側部和內側部，外側部設置在外周表面附近并且由坩鍋的上端支承，內側部設置在內周表面附近并且具有彎曲構件。內側部的下表面可以相對于外側部的下表面朝向坩鍋傾斜。內側部可以相對于外側部沿著朝向坩鍋的方向彎曲。內側部的厚度可以與外側部的厚度相等。內側部的厚度可以從內周表面朝向外周表面減小。外側部的上表面和內側部的上表面可以彼此平行并且在相同的平面上。單晶體生長設備可以進一步包括設置在坩鍋屏上的至少一個頂部隔離器，并且該至少一個頂部隔離器可以是多個層構成的堆疊件。根據另一實施例，提供了一種單晶體生長設備，該設備包括:腔室；坩鍋，其設置在腔室中并且構造成容置熔化物，該熔化物是用于單晶體生長的原材料；反射構件，其設置在坩鍋的上端并且將從坩鍋中的熔化物所產生的輻射熱量反射到坩鍋的內壁；以及坩鍋屏，其設置在反射構件上，并且將從熔化物的表面發出的輻射熱量反射到熔化物中。該反射構件可以是圓板型并且具有中心開口。反射構件可以包括:支承部，其用于支承坩鍋屏；和彎曲部，其從支承部彎曲，并且將熔化物所產生的輻射熱量反射到坩鍋的內壁中。支承部的一端可以接觸坩禍屏的下表面的邊緣，而支承部的另一端可以接觸坩禍的上端。 彎曲部的長度可以比坩禍屏的徑向長度短。彎曲部的長度小于或等于支承部的高度除以cos Θ I的值，并且Θ I可以是彎曲部和支承部之間的角度。彎曲部的上表面可以接觸坩鍋屏的下表面，并且彎曲部的下表面可以相對于彎曲部的上表面傾斜。彎曲部的厚度可以從彎曲部和支承部之間的邊界表面朝向彎曲部的端部增加。該反射構件可以由鉬形成。有利效果根據實施例，可以防止側部粘結。【附圖說明】包括附圖以提供對本專利技術的進一步理解，所述附圖示出本專利技術的實施例，并與說明書一起用于解釋本專利技術的原理。在附圖中:圖1示出了根據一實施例的單晶體生長設備。 圖2a示出了圖1所示的坩鍋的平面圖；圖2b示出了圖2a所示的坩鍋的沿AB方向剖切得到的剖視圖；圖3示出了常規的坩禍結構；圖4示出了防止由于坩禍屏結構而導致的側部粘結的構思；圖5示出了根據一實施例的包括在單晶體生長設備中的間隔件；圖6示出了圖5所示的間隔件的布置。圖7示出了根據另一實施例的第一頂部隔離器的剖視圖；圖8示出了根據另一實施例的單晶體生長設備。圖9示出了圖8所示的反射構件的平面圖；圖10示出了圖9所示的反射構件的沿AB方向剖切得到的剖視圖；圖11示出了由于圖8所示的反射構件而防止側部粘結的構思；圖12示出了反射構件的另一實施例。【具體實施方式】下文中，通過對附圖和實施例的描述，將清晰地理解各實施例。在各個實施例的以下描述中，當諸如層(薄膜)、區、型式或結構的元件形成于諸如層(薄膜)、區、型式或結構的另一元件之“上”或之“下”時，它可以直接位于該另一元件之“上”或之“下”，或者間接形成有位于它們指尖的相關元件。另外，將理解的是，在該元件之“上”或之“下”可以是相對于附圖描述的。在附圖中，為了清晰和方便，該尺寸可以放大、省略或者示意性地示出。另外，每個構成元件的尺寸不總體上反映其實際尺寸。在附圖中，相同或相似的元件由相同的附圖標記表示，即使它們在不同的附圖中描繪時也是如此。下面，將參照附圖來描述根據實施例的單晶體生長設備。圖1示出了根據一實施例的單晶體生長設備100。參照圖1，單晶體生長設備100包括腔室101、坩鍋110、坩禍支承底座120、加熱器130、側壁隔熱器135、底部隔熱器140、頂部隔熱器150和傳輸單元170。腔室101可以是這樣的空間，即，該空間提供生長環境以生長單晶體I。坩禍110可以設置在腔室101中，以容置用于單晶體I生長的原材料熔化物。坩禍110可以由鎢形成，但是不限于此。i甘禍支承底座120可以位于i甘禍110的下方以支承該i甘禍110。i甘禍支承底座120可以由具有優良導熱能力和耐熱性以及高抗熱沖擊能力、但由于其低熱膨脹率而不易于受熱變形的任何材料形成。例如，坩禍支承底座120可以由鉬形成，但是不限于此。加熱器130可以以與坩禍110的外周表面的恒定的間距設置在腔室101中以加熱該坩禍110。加熱器130可以由鎢形成，但是不限于此。加熱器130可以定位成環繞坩禍110的側壁和底部，但是不限于此。可替換地，加熱器130可以僅環繞坩禍110的側壁定位。加熱器130可以加熱坩禍110。當通過加熱器130的加熱而升高坩禍110的溫度時，形式為多晶體塊的原材料可以變為熔化物M。側壁隔離器135可以位于繞坩禍110的側壁的位置，以防止腔室101中的熱量通過腔室101的側壁逃逸。例如，側壁隔離器135可以位于加熱器130和腔室101的側壁之間，以防止加熱器130的熱量逃逸出腔室101。底部隔熱器140可以位于坩禍110下方以防止腔室101中的熱量通過腔室101的底部逃逸。例如，底部隔熱器140可以位于加熱器130和腔室101的底部之間，以防止加熱器130的熱量逃逸出腔室101。頂部隔離器150可以位于坩禍110上，以防止熱量通過腔室101的頂部逃逸。傳輸單元170可以支承正在生長的單晶體I并且升高或降低該正在生長的單晶體1傳輸單元170可以位于坩禍110上，并且包括:籽晶連接器172，該籽晶連接器172具有固定到籽晶162的一端；和升降構件174，該升降構件174連接該籽晶連接器172并且升高和降低籽晶連接器172。籽晶連接器172可以是軸桿類型。頂部隔離器150可以具有開口 190，該開口 190對準該正在生長的單晶體I或與該正在生長的單晶體I對應。頂部隔離器150可以具有圖2a和圖2b所示的彎曲構件，該彎曲構件將來自坩禍110中的熔化物M的輻射熱量反射到坩禍110的側壁中。頂部隔離器150的彎曲構件可以是頂部隔離器150的彎曲部分，該彎曲部分朝著坩禍的內側或者朝著坩禍110的方向彎曲。頂部隔離器150可以包括坩禍屏152、第一隔離器154和第二隔離器156。坩禍屏152可以設置在坩禍110的上端上，并且由坩禍110的上本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種單晶體生長設備，包括：腔室；坩鍋，所述坩鍋設置在所述腔室中并且構造成容置熔化物，所述熔化物是用于單晶體生長的原材料；加熱器，所述加熱器設置在所述坩鍋和所述腔室的側壁之間并且加熱所述坩鍋；以及坩鍋屏，所述坩鍋屏設置在所述坩鍋的上端上，其中，所述坩鍋屏具有彎曲構件，所述彎曲構件將從所述坩鍋中的所述熔化物產生的輻射熱量反射到所述坩鍋的內壁。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李昌潤，宋到原，崔俊赫，孫賑晧，金喆煥，
申請(專利權)人：LG矽得榮株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR