附有帶框的晶片用的托盤制造技術

本發明專利技術提供一種托盤，即使在將包含半導體晶片的厚度為200μm以下的極薄的晶片在內的附有帶框的晶片收納于容器并進行搬運的情況下，也能夠減小因容器的振動而導致的半導體晶片的振幅，能夠防止半導體晶片的破損。本發明專利技術的托盤在將附有帶框的晶片收納于收納容器時使用，該附有帶框的晶片在環狀的框架背面粘貼有切割膠帶、并且在切割膠帶上支承有半導體晶片，該托盤的特征在于，托盤被設置于附有帶框的晶片的上下并且呈大致圓形，托盤正面的載置附有帶框的晶片的部位大致平坦，并且托盤正面在外周緣部的至少一部分具有凸部，托盤背面設置有突起部，在將托盤設置于附有帶框的晶片之上時，該突起部位于附有帶框的晶片的半導體晶片的外周的外側。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及在將附有帶框(tape frame)晶片收納到收納容器中時使用的托盤。
技術介紹
以往，將在環狀的框架上粘貼切割膠帶、且半導體晶片支承于該切割膠帶上而成的附有帶框的晶片收納于收納容器，并搬運到劃片工序、粘片工序。并且，作為收納附有帶框的晶片的容器，例如已知專利文獻I所記載的那樣的將半導體晶片沿水平方向收納的橫置(晶片堆疊式)搬運容器。具體而言，是能夠將附有帶框的晶片堆疊2層以上來收納的容器，其特征在于，包括:容器主體，其設置有將附有帶框的晶片堆疊來收納的收納筒部；及蓋體，其拆裝自如地安裝于該容器主體并覆蓋收納筒部的整體，在上述收納筒部的內周面突設有將環狀的框架在周向定位的定位棱。另外，為了使容器搬運中的振動、沖擊難以傳導到附有帶框的晶片中的半導體晶片，也經常使撓性的合成樹脂片、無塵紙等間隔片介在于附有帶框的晶片之間。另一方面，近年來，由于實現了利用了娃貫通電極(TSV = Through Silicon Via)的芯片組合技術(3DS -1C = 3維層疊一 IC)，從而能夠達成芯片的高功能化、高速化、低電力消耗化，被定位為今后的半導體技術的引領者。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:專利第4562930號公報
技術實現思路
本專利技術欲解決的技術問題然而，例如為了實現TSV/3DS -1C構造，需要使半導體晶片的厚度為200 μ m以下的極薄，其結果是，極薄的半導體晶片的操作時的破損率高。例如，在專利文獻I所記載的容器中，當半導體晶片的厚度為200μπι以下時，在將附有帶框的晶片收納于容器并搬運時，因容器的振動而導致的半導體晶片的振幅變大，其結果是，存在使半導體晶片破損的問題。另外，即使在使間隔片介在于附有帶框的晶片之間的情況下，當半導體晶片的厚度為200 μπι以下時，容器搬運中的振動、沖擊也傳導到半導體晶片，不足以防止半導體晶片的破損。另外，具有3DS -1C構造的半導體晶片表面在微型凸塊的形成、TSV端子的露出等方面具有非常纖細的構造，其結果是，在例如間隔片直接接觸到具有3DS -1C構造的半導體晶片表面的情況下，具有的問題是:間隔片的一部分被轉印到3DS — IC構造、或者摩擦而帶傷痕，使半導體晶片破損。因此，本專利技術目的在于提供一種托盤，即使在將包含半導體晶片的厚度為200 μπι以下的極薄的晶片在內的附有帶框的晶片收納于容器并進行搬運的情況下，也能夠減小因容器的振動而導致的半導體晶片的振幅，而且，即使在將具有3DS -1C構造的半導體晶片做成為附有帶框的晶片收納于容器并進行搬運的情況下，也不在半導體晶片的表面上發生轉印、傷痕而能夠防止半導體晶片的破損。用于解決問題的技術方案為了解決上述問題，本專利技術的托盤是在將附有帶框的晶片收納于收納容器時使用所述托盤，所述附有帶框的晶片是在環狀的框架背面粘貼有切割膠帶、且半導體晶片支承在切割膠帶上，所述托盤的特征在于，托盤被設置在所述附有帶框的晶片的上下，并且呈大致圓形，托盤正面的載置附有帶框的晶片的部位大致平坦，并且，托盤正面在外周緣部的至少一部分具有凸部，托盤背面設置有突起部，在將托盤設置于附有帶框的晶片之上時，所述突起部位于比該附有帶框的晶片的半導體晶片的外周更靠外側的位置。此時，優選的是，托盤背面以所述突起部與所述半導體晶片的外周緣部之間為起點，朝向中心部分傾斜，其傾斜角Θ為0.1?1.0度。專利技術效果本專利技術的將附有帶框的晶片收納于收納容器時使用的托盤，即使在將包含半導體晶片的厚度為200 μπι以下的極薄的晶片在內的附有帶框的晶片收納于容器并進行搬運的情況下，也能夠減小因容器的振動而導致的半導體晶片的振幅，此外，即使在將具有3DS —IC構造的半導體晶片作為附有帶框的晶片而收納于容器并進行搬運的情況下，也不會在半導體晶片的表面發生轉印、傷痕而能夠可靠地防止半導體晶片的破損。另外，本專利技術的托盤在將收納容器內抽真空時容易進行抽真空，而且，在從該真空包裝的容器取出托盤時，空氣容易進入(也容易進行真空解除)，因此，能夠容易地取出托盤。而且，本專利技術的托盤在利用注射模塑成形來形成時，由于氣模具的構造而樹脂蔓延(熔融樹脂的填充效率)良好，因此，能夠進行成品率高的生產。【附圖說明】圖1是說明收納容器內的收納狀態的圖。圖2是說明本專利技術的托盤的一例的圖，(a)是俯視圖，(b)是后視圖，(C)是用于說明(a)的i 一 ii線切斷面的示意圖。圖3是說明本專利技術的托盤另一例的圖，(a)是俯視圖，(b)是后視圖，(C)是用于說明(a)的i 一 ii 一 iv線切斷面的示意圖。圖4是說明本專利技術的托盤與附有帶框的晶片在收納容器內的載置狀態的一例的圖，是圖2(a)的iii 一 ii線切斷面的示意圖。圖5是本專利技術的托盤其他例的表面的局部放大圖，是說明設置在該表面上的引導部的圖。圖6(a)?(C)是說明本專利技術的托盤與附有帶框的晶片在收納容器內的載置狀態的其他例的圖，是圖3(a)的V — ii線切斷面的示意圖。圖7是說明附有帶框的晶片的圖。附圖標記說明I 托盤11凸部12突起部12，凹陷13引導部2附有帶框的晶片3緩沖材料4容器4A容器主體4AA基底部4AB收納筒部4AC缺口部4B蓋體4BA圓筒部W半導體晶片F環狀框架T切割膠帶O托盤正面側V托盤背面側e晶片的外周緣部Θ傾斜角【具體實施方式】以下，參照附圖詳細說明用于實施本專利技術的實施方式。如圖1所示，本專利技術的托盤I在包括容器主體4A和蓋體4B的收納容器4中，設置在附有帶框的晶片2的上下來使用。并且，即使在將附有帶框的晶片2堆疊2層以上的情況下，托盤I也設置在附有帶框的晶片2的上下。本專利技術的托盤I是大致圓形，既可以是正圓形，也可以例如如圖2(a)、(b)所示將外周緣的一部分切除。圖2(a)是從表面側觀察托盤I的俯視圖，圖2(b)是從背面側觀察托盤I的后視圖。通過將外周緣的一部分切除，從而在將托盤I收納到容器主體4A時、或者將托盤I從容器主體4A取出時，容易使自動機械、人的手抓住，操作性提高，因此優選。另外，圖1、圖2(a)、(b)所示的托盤I在中央部分設置有圓狀的缺口部，但是，也可以如圖3(a)、(b)所示被形成為不在中央部分設置缺口部。圖2 (C)及圖3 (C)中的附圖標記O指托盤I的表面側，附圖標記V指托盤I的背面側。如圖2(c)、圖3(c)、圖4所示，本專利技術的托盤I的表面O的載置附有帶框的晶片2的部位大致平坦，并且，如圖2 (a)、圖3 (a)、圖4所示，在外周緣部的至少一部分具有凸部Ilo首先，在托盤I的表面，由于載置附有帶框的晶片2的部位大致平坦，從而半導體晶片W難以向下方向搖動。其結果是，在將附有帶框的晶片2收納于收納容器4內并進行搬運時，能夠減小因收納容器4的振動所導致的半導體晶片W的振幅，能夠抑制半導體晶片W的破損。此外，只要是不妨礙半導體晶片W難以向下方向搖動的范圍，也可以在托盤I的表面設置棱構造。接下來，在托盤I的表面，由于在外周緣部的至少一部分具有凸部11，從而能夠抑制環狀的框架F在水平方向的移動，能夠抑制半導體晶片W的破損。而且，如圖2(a)等所示，通過至少在時鐘12點、3點、6點、9點這4個方向設置凸部11，從而提高在收納容器4內將托盤I堆疊2層以上時的穩定性，其結果是，能夠進一步抑制載置于本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種托盤，在將附有帶框的晶片收納于收納容器時使用所述托盤，所述附有帶框的晶片是在環狀的框架背面粘貼有切割膠帶、且半導體晶片支承在切割膠帶上，所述托盤的特征在于，托盤被設置在所述附有帶框的晶片的上下，并且呈大致圓形，托盤正面的載置附有帶框的晶片的部位大致平坦，并且，托盤正面在外周緣部的至少一部分具有凸部，托盤背面設置有突起部，在將托盤設置于附有帶框的晶片之上時，所述突起部位于比該附有帶框的晶片的半導體晶片的外周更靠外側的位置。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：西島正敬，
申請(專利權)人：阿基里斯株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP