• 
    <ul id="o6k0g"></ul>
    <ul id="o6k0g"></ul>

    擴(kuò)散頭裝置和氣體分布方法制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):12200595 閱讀:108 留言:0更新日期:2015-10-14 13:02
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種形成具有改進(jìn)的層厚度均勻性的薄膜太陽(yáng)能電池的頂部接觸層的裝置和方法。該裝置包括用于將工藝氣體引入室內(nèi)的擴(kuò)散頭。該擴(kuò)散頭包括具有多個(gè)開(kāi)口的擴(kuò)散板,每個(gè)開(kāi)口均具有第一圓柱形部分和第二圓錐臺(tái)部分。本發(fā)明專利技術(shù)還提供了擴(kuò)散頭裝置和氣體分布方法。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)總體涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,更具體地,涉及。
    技術(shù)介紹
    本專利技術(shù)涉及薄膜太陽(yáng)能電池的制造。膜的化學(xué)汽相沉積(CVD)廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)以用于制造薄膜太陽(yáng)能電池。薄膜太陽(yáng)能電池(又稱為薄膜光伏電池)用于將光能直接轉(zhuǎn)化為電流。薄膜太陽(yáng)能電池的制造包括將一個(gè)或多個(gè)薄膜層依次沉積至襯底上的步驟。薄膜太陽(yáng)能電池通常包括底層(也稱為襯底或載體)、背面電極層、吸收層、緩沖層、和頂部接觸層。許多薄膜太陽(yáng)能電池在吸收層中使用“CIGS基”吸收件,其中,“CIGS”通常指的是銅銦鎵硒化物或Cu (In,Ga) Se2。通常由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)(通過(guò)CVD)形成頂部接觸層。通常在反應(yīng)室中實(shí)施沉積工藝。在室內(nèi),通過(guò)在襯底、太陽(yáng)能電池或半導(dǎo)體晶圓上方的擴(kuò)散器將用于形成膜的反應(yīng)物工藝氣體引入。位于期望區(qū)域中的非均勻的化學(xué)汽相沉積的膜的可能引起沉積的膜的非均勻的物理、光學(xué)、和電學(xué)性能,這降低了太陽(yáng)能電池模塊的功率產(chǎn)額。例如,應(yīng)該將沉積的膜厚度精確地控制在埃級(jí)或納米級(jí)。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,本專利技術(shù)提供了一種形成薄膜太陽(yáng)能電池的方法,包括:在室中提供包括襯底、背面接觸層、吸收層和緩沖層的部分制造的薄膜太陽(yáng)能電池;以及通過(guò)具有配置成蜂巢狀圖案的多個(gè)開(kāi)口的擴(kuò)散板將工藝氣體引入至所述室內(nèi),以在所述緩沖層上方形成頂部接觸層,其中,所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)均包括圓錐臺(tái)部分。在上述方法中,其中,所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在所述第一方向上彼此偏移。在上述方法中,其中,所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在所述第一方向上彼此偏移;所述頂部接觸層是透明導(dǎo)電氧化物。在上述方法中,其中,所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在所述第一方向上彼此偏移;所述頂部接觸層是透明導(dǎo)電氧化物;所述吸收層是CIGS吸收件。在上述方法中,其中,所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在所述第一方向上彼此偏移;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)還包括圓柱形部分。在上述方法中,其中,所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在所述第一方向上彼此偏移;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)還包括圓柱形部分;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)的所述圓錐臺(tái)部分的底部的寬度是圓柱形部分的頂部的寬度的至少兩倍。在上述方法中,其中,所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在所述第一方向上彼此偏移;第一軸垂直于所述擴(kuò)散板的表面,并且其中,所述圓錐臺(tái)部分的外表面相對(duì)于所述第一軸設(shè)置成介于O度和60度之間的角度。在上述方法中,其中,通過(guò)MOCVD形成所述頂部接觸層。在上述方法中,其中,通過(guò)MOCVD形成所述頂部接觸層;由摻雜的材料形成所述頂部接觸層。根據(jù)本專利技術(shù)的另一個(gè)方面,提供了一種在薄膜太陽(yáng)能電池制造期間用于化學(xué)汽相沉積的裝置,包括:擴(kuò)散頭,包括:第一板;第二板,連接至所述第一板,所述第二板具有配置成蜂巢狀圖案的多個(gè)開(kāi)口,其中,所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)均包括圓錐臺(tái)部分;以及供應(yīng)腔,限定在所述第一板和所述第二板之間,所述供應(yīng)腔流體連接至第一工藝氣體入口。在上述裝置中,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在室中。在上述裝置中,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在室中;還包括:第二工藝氣體入口 ;以及混合腔,與所述第一工藝氣體入口、所述第二工藝氣體入口和所述供應(yīng)腔流體連接。在上述裝置中,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在室中;所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在第二方向上彼此偏移。在上述裝置中,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在室中;所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在第二方向上彼此偏移;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)還包括圓柱形部分。在上述裝置中,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在室中;所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在第二方向上彼此偏移;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)還包括圓柱形部分;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)的所述圓錐臺(tái)部分的底部的寬度是所述圓柱形部分的頂部的寬度的至少兩倍。在上述裝置中,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在室中;所述蜂巢狀圖案包括設(shè)置成行的所述多個(gè)開(kāi)口,所述行以第一方向定向,其中,鄰近的行在第二方向上彼此偏移;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)還包括圓柱形部分;所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)的所述圓錐臺(tái)部分的底部的寬度是所述圓柱形部分的頂部的寬度的至少兩倍;所述室包括面向所述第二板的臺(tái)。根據(jù)本專利技術(shù)的又一個(gè)方面,提供了一種在薄膜太陽(yáng)能電池制造期間用于化學(xué)汽相沉積的裝置,包括:擴(kuò)散頭,包括:第一板;第二板,連接至所述第一板,所述第二板具有配置成蜂巢狀圖案的多個(gè)開(kāi)口,其中,所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)都包括圓柱形部分和圓錐臺(tái)部分;及供應(yīng)腔,限定在所述第一板和所述第二板之間,所述供應(yīng)腔流體連接至第一工藝氣體入口 ;以及室,其中,所述擴(kuò)散頭安裝在所述室中。在上述裝置中,其中,所述第一工藝氣體入口可操作地連接至工藝氣體源。在上述裝置中,其中,所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)都具有中心點(diǎn),并且其中,開(kāi)口的中心點(diǎn)離每個(gè)相鄰的開(kāi)口的中心點(diǎn)的距離相等。在上述裝置中,其中,所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)都具有中心點(diǎn),并且其中,開(kāi)口的中心點(diǎn)離每個(gè)相鄰的開(kāi)口的中心點(diǎn)的距離相等;還包括:第二工藝氣體入口 ;以及混合腔,與所述第一工藝氣體入口、所述第二工藝氣體入口和所述供應(yīng)腔流體連接?!靖綀D說(shuō)明】當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí),從以下詳細(xì)描述可以最好地理解本專利技術(shù)的各方面。應(yīng)該注意,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上,為了清楚的論述,各個(gè)部件的尺寸可以任意增大或縮小。圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的具有擴(kuò)散頭的示例性化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)的示意性截面圖。圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的示例性擴(kuò)散頭開(kāi)口的示意性截面圖。圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的示出了擴(kuò)散頭開(kāi)口的配置的平面圖。圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的示出了擴(kuò)散頭開(kāi)口的配置的擴(kuò)散頭的一部分的平面圖。圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的使用本專利技術(shù)的擴(kuò)散頭形成薄膜太陽(yáng)能電池的方法的流程圖。圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的使用本專利技術(shù)的擴(kuò)散頭形成薄膜太陽(yáng)能電池的方法的流程圖?!揪唧w實(shí)施方式】本專利技術(shù)的以下內(nèi)容提供了許多用于實(shí)施本專利技術(shù)的主題的不同當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 4 本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種形成薄膜太陽(yáng)能電池的方法,包括:在室中提供包括襯底、背面接觸層、吸收層和緩沖層的部分制造的薄膜太陽(yáng)能電池;以及通過(guò)具有配置成蜂巢狀圖案的多個(gè)開(kāi)口的擴(kuò)散板將工藝氣體引入至所述室內(nèi),以在所述緩沖層上方形成頂部接觸層,其中,所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)均包括圓錐臺(tái)部分。

    【技術(shù)特征摘要】
    ...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:許麗,
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:臺(tái)積太陽(yáng)能股份有限公司,
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:中國(guó)臺(tái)灣;71

    網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條評(píng)論
    • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。

    1
    主站蜘蛛池模板: 下载天堂国产AV成人无码精品网站| 精品无码av一区二区三区| 精品无码人妻一区二区三区| 亚洲国产成人无码AV在线| 深夜a级毛片免费无码| 久久久久亚洲AV成人无码| 亚洲国产精品无码久久| 国产精品多人p群无码| 在线A级毛片无码免费真人| 国内精品无码一区二区三区| 99国产精品无码| 亚洲国产成人片在线观看无码| 日韩精品成人无码专区免费| 亚洲人成人无码网www电影首页 | 无码国模国产在线无码精品国产自在久国产 | 亚洲中文字幕无码中文| 永久免费AV无码网站国产| 久久无码av亚洲精品色午夜| 国产成人AV片无码免费| 一本大道无码日韩精品影视_| 精品国产aⅴ无码一区二区| 国产羞羞的视频在线观看 国产一级无码视频在线 | 久久精品无码中文字幕| 无码精品一区二区三区免费视频 | 亚洲av无码专区青青草原| 国产av无码专区亚洲av桃花庵| 内射无码午夜多人| 无码视频一区二区三区| 精品久久久久久无码中文野结衣 | 精品久久久久久无码人妻| 亚洲精品GV天堂无码男同| 亚洲中文无码线在线观看| 无码区国产区在线播放| 国产AV无码专区亚洲AV男同 | 久久久久久久久免费看无码| 麻豆国产精品无码视频| 亚洲AV色吊丝无码| 亚洲成av人无码亚洲成av人| 亚洲熟妇无码一区二区三区| 亚洲人片在线观看天堂无码| 亚洲日韩av无码中文|