本實用新型專利技術是關于一種輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，是用于高能粒子加速器功放之間的大功率合成，其包括：外導體腔體、主路內導體、多個輸入端內導體及絕緣支柱；其中，多個輸入端內導體設置于外導體腔體中形成多個輸入端同軸導體，主路內導體以絕緣支柱同軸架設于外導體腔體中形成主路同軸導體，多個輸入端內導體的一端分別與主路內導體的一端連接；多個輸入端內導體在與主路內導體連接的平面內是沿圓周非均勻分布，其軸線分別與主路內導體的軸線垂直；多個輸入端內導體包括具有階梯阻抗及均勻阻抗的兩種結構。本實用新型專利技術可有效地解決現有合成器輸入端口與放大器射頻輸出端口對接不便，占用機柜體積大的問題，使整機裝配更加合理。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種功率合成器，特別是涉及一種輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，該合成器用于高能粒子加速器功放之間的大功率合成。
技術介紹
功率合成器是一種能夠將多路輸出功率有效疊加獲得高輸出功率的器件，現有的大功率合成器多采用同軸腔體形式，其結構如圖1及圖2所示，包括:由外導體和內導體構成的主路同軸導體10，由多個外導體和具有均勻阻抗的內導體構成的輸入端同軸導體11，其中多個輸入端同軸導體11是在同一平面內沿圓周均勻分布，并且其軸線與主路同軸導體10的軸線垂直。由于大功率合成器在整機裝配時，需要放入金屬盒中，并在金屬盒上開孔，安裝接頭，而沿圓周均布，呈360°輻射狀的輸入端同軸導體11會占用金屬盒的四個面，使大功率合成器輸入端口與放大器射頻輸出端口對接不便，且占用機柜體積大，造成空間浪費。由此可見，上述現有的大功率合成器在結構與使用上，顯然仍存在不便與缺陷，而亟待進一步改進。
技術實現思路
本技術的目的在于，克服現有的大功率合成器存在的缺陷，而提供一種新型結構的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，所要解決的技術問題是通過調整輸入端內導體的分布形式，并應用具有階梯阻抗和具有均勻阻抗的兩種結構的輸入端內導體，使輸入端插入損耗具有高幅相一致性，可有效地解決現有大功率合成器輸入端口與放大器射頻輸出端口對接不便，且占用機柜體積大的問題，非常適于實用。本技術的目的以及解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現的。依據本技術提出的一種輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其包括:外導體腔體、主路內導體、多個輸入端內導體及絕緣支柱；其中，多個所述輸入端內導體設置于所述外導體腔體中與所述外導體腔體形成多個輸入端同軸導體，所述主路內導體通過所述絕緣支柱同軸架設于所述外導體腔體中與所述外導體腔體形成主路同軸導體，多個所述輸入端內導體的一端分別與所述主路內導體的一端連接；多個所述輸入端內導體在與所述主路內導體連接的平面內是沿圓周非均勻分布，并且多個所述輸入端內導體的軸線分別與所述主路內導體的軸線垂直；多個所述輸入端內導體包括:具有階梯阻抗的內導體及具有均勻阻抗的內導體。本技術的目的以及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現。前述的輸入端內導體非均勾分布的多路大功率合成器，包括6個所述輸入端內導體；其中，所述具有階梯阻抗的內導體在與所述主路內導體連接的平面內是沿順時針方向分布于圓周的0°、90°、180°及270°的位置；所述具有均勻阻抗的內導體在與所述主路內導體連接的平面內是沿順時針方向分布于圓周的45°及225°的位置。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中所述具有階梯阻抗的內導體是由多節同種材料制成的具有不同橫截面積的圓柱形導體構成，所述具有均勻阻抗的內導體是由同種材料制成的具有相同橫截面積的圓柱形導體構成。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中所述外導體腔體包括:下段腔體及多個上段腔體，所述下段腔體及多個所述上段腔體具有圓形截面；所述下段腔體一端開口，另一端以上蓋板封閉；多個所述上段腔體設置于所述下段腔體上部，且靠近所述上蓋板，其一端開口，另一端與所述下段腔體連接；其中，多個所述上段腔體在與所述下段腔體連接的平面內是沿圓周非均勻分布，并且多個所述上段腔體的軸線分別與所述下段腔體的軸線垂直；多個所述輸入端內導體是分別同軸設置于多個所述上段腔體中與所述上段腔體形成多個所述輸入端同軸導體，其中多個所述輸入端內導體分別與多個所述上段腔體的開口形成多個同軸輸入端；所述主路內導體是通過所述絕緣支柱同軸架設于所述下段腔體中與所述下段腔體形成所述主路同軸導體，其中所述主路內導體與所述下段腔體的開口形成同軸輸出端。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，包括6個所述上段腔體，6個所述上段腔體在與所述下段腔體連接的平面內是沿順時針方向分布于圓周的0°、45°、90。、180。、225。及 270。的位置。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中在所述外導體腔體的外表面上設有散熱結構。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中在所述下段腔體的外表面上設有散熱結構；所述散熱結構為圓片狀，設置于所述上段腔體與所述下段腔體的開口之間。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中所述外導體腔體、所述主路內導體及所述輸入端內導體均由鋁合金棒或銅棒加工而成。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中所述上蓋板是由鋁合金板或銅板加工而成。前述的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其中所述絕緣支柱為聚四氟絕緣支柱，通過金屬螺釘與所述主路內導體及所述外導體腔體固定。本技術與現有技術相比具有明顯的優點及有益效果。借由上述技術方案，本技術輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器至少具有下列優點及有益效果:一、本技術輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器的輸入端內導體是在同一平面內沿圓周非均勻分布，使多個輸入端口被控制在主路同軸導體的兩側，在放入金屬盒后，僅占用金屬盒的左右兩個平面，相比于傳統結構的大功率合成器尺寸小，可有效地解決現有大功率合成器輸入端口與放大器射頻輸出端口對接不便，且占用機柜體積大的問題，使整機裝配更加合理。二、本技術輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器的輸入端內導體同時應用具有階梯阻抗和具有均勻阻抗的兩種結構的內導體，使輸入端插入損耗具有高幅相一致性，同時改善了大功率合成器輸出端的回波損耗。三、本技術輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器通過設置散熱結構，散熱效果好，穩定性好，可以適用于標準化、規模化生產。上述說明僅是本技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本技術的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本技術的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。【附圖說明】圖1是現有的一種同軸腔體形式的大功率合成器的組成結構的剖視圖。圖2是圖1的A-A向的剖視圖。圖3是本技術輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器一較佳實施例顯示其組成結構的分解立體示意圖。圖4是圖3的主視圖。圖5是圖4的剖視圖。圖6是圖4的B-B向的剖視圖。【具體實施方式】為更進一步闡述本技術為達成預定專利技術目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本技術提出的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器其【具體實施方式】、結構、特征及其功效，詳細說明如后。請參閱圖3、圖4、圖5及圖6所示，圖3是本技術輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器一較佳實施例顯示其組成結構的分解立體示意圖。圖4是圖3的主視圖。圖5是圖4的剖視圖。圖6是圖4的B-B向的剖視圖。本技術的輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器主要由外導體腔體1、主路內導體2、多個輸入端內導體4、5及絕緣支柱3組成。其中，多個輸入端內導體4、5設置于外導體腔體I中與外導體腔體I形成多個輸入端同軸導體，主路內導體2通過絕緣支柱3同軸架設于外導體腔體I中與外導體腔體I形成主路同軸導體，多個輸入端內導體4、5的一端分別與主路內導體2的一端連接。多個輸入端內導體本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種輸入端內導體非均勻分布的多路大功率合成器，其特征在于其包括：外導體腔體(1)、主路內導體(2)、多個輸入端內導體(4、5)及絕緣支柱(3)；其中，多個所述輸入端內導體(4、5)設置于所述外導體腔體(1)中與所述外導體腔體(1)形成多個輸入端同軸導體，所述主路內導體(2)通過所述絕緣支柱(3)同軸架設于所述外導體腔體(1)中與所述外導體腔體(1)形成主路同軸導體，多個所述輸入端內導體(4、5)的一端分別與所述主路內導體(2)的一端連接；多個所述輸入端內導體(4、5)在與所述主路內導體(2)連接的平面內是沿圓周非均勻分布，并且多個所述輸入端內導體(4、5)的軸線分別與所述主路內導體(2)的軸線垂直；多個所述輸入端內導體(4、5)包括：具有階梯阻抗的內導體(4)及具有均勻阻抗的內導體(5)。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：田麗，賀正，匡瑩，張東升，
申請(專利權)人：北京北廣科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11
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