檢測噴頭靜電結構和方法技術

本發明專利技術提供了一種檢測噴頭靜電結構和方法，在晶圓的表面形成具有預定間距的第一金屬線和第二金屬線，分別連接第一測試盤和第二測試盤，在進行清洗工藝時，若噴頭存在靜電積聚現象則靜電在轉移至晶圓的表面時，會使第一金屬線和第二金屬線之間導通，通過測試第一測試盤和第二測試盤之間的電流大小即可判斷噴頭是否存在靜電積聚現象，是否會對晶圓造成損傷。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造領域，尤其涉及一種。
技術介紹
在集成電路制造過程中，許多道工藝都會用到噴頭對晶圓進行噴霧、噴水等制程用以達到對晶圓進行清洗或去氧化層等效果。請參考圖1，圖1為現有技術中清洗裝置的結構示意圖，所述清洗裝置包括金屬托盤10和噴嘴30。其中，晶圓20放置于所述金屬托盤10的表面,所述噴嘴30位于所述晶圓20的上方，用于進行噴霧或者噴水對所述晶圓20進行清洗。然而，當所述噴頭30使用時間過長時，所述噴頭30的表面會老化，在其老化的表面容易積累靜電荷。在對所述晶圓20進行清洗時，靜電荷就容易隨著所述噴頭30轉移到所述晶圓20上，從而對所述晶圓20造成破壞性的傷害，嚴重時，則會導致所述晶圓20的報廢。因此，如何檢測噴頭靜電，便成為本領域技術人員急需解決的技術問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種，能夠檢測噴頭的是否存在靜電積聚現象，是否回對晶圓造成損傷。為了實現上述目的，本專利技術提出了一種檢測噴頭靜電結構，形成于晶圓的表面，所述結構包括:第一測試盤和第二測試盤，所述第一測試盤連接有第一金屬線，所述第二測試盤連接有第二金屬線，所述第一金屬線和第二金屬線之間保持預定間隔。進一步的，在所述的檢測噴頭靜電結構中，所述第一金屬線和第二金屬線為梳狀結構，兩者交錯排列。進一步的，在所述的檢測噴頭靜電結構中，在所述晶圓的表面形成多個均勻排列的所述檢測噴頭靜電結構。進一步的，在所述的檢測噴頭靜電結構中，所述第一測試盤、第二測試盤、第一金屬線和第二金屬線均為導電材料。進一步的，本專利技術還提出了一種檢測噴頭靜電方法，用于對清洗裝置的噴頭進行靜電檢測，所述方法包括:將形成有如上文所述的任意一種檢測噴頭靜電結構的晶圓放置于待檢測的噴頭下進行清洗工藝；在所述第一測試盤和第二測試盤上施加預定區間的掃描電壓；測量所述第一測試盤和第二測試盤之間的電流，以電流的大小來判斷噴頭的靜電強弱。進一步的，在所述的檢測噴頭靜電方法中，所述掃描電壓的預定區間范圍是0.1V ?20V。進一步的，在所述的檢測噴頭靜電方法中，當掃描電壓達到20V時，若電流小于0.1 μ A，則說明所述噴頭無靜電積聚現象；若電流大于0.1 μ Α，則說明所述噴頭存在靜電積聚現象。與現有技術相比，本專利技術的有益效果主要體現在:在晶圓的表面形成具有預定間距的第一金屬線和第二金屬線，分別連接第一測試盤和第二測試盤，在進行清洗工藝時，若噴頭存在靜電積聚現象則靜電在轉移至晶圓的表面時，會使第一金屬線和第二金屬線之間導通，通過測試第一測試盤和第二測試盤之間的電流大小即可判斷噴頭是否存在靜電積聚現象，是否會對晶圓造成損傷。【附圖說明】圖1為現有技術中清洗裝置的結構示意圖；圖2為本專利技術一實施例中單個檢測噴頭靜電結構的結構示意圖；圖3為本專利技術一實施例中晶圓表面形成有多個檢測噴頭靜電結構的結構示意圖。【具體實施方式】下面將結合示意圖對本專利技術的進行更詳細的描述，其中表示了本專利技術的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本專利技術，而仍然實現本專利技術的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本專利技術的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本專利技術由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本專利技術。根據下面說明和權利要求書，本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。請參考圖2，在本實施例中，提出了一種檢測噴頭靜電結構100，形成于晶圓的表面，所述結構包括:第一測試盤111和第二測試盤112，所述第一測試盤111連接有第一金屬線121，所述第二測試盤112連接有第二金屬線122，所述第一金屬線121和第二金屬線122之間保持預定間隔。在本實施例中，所述第一金屬線121和第二金屬線122為梳狀結構，兩者交錯排列；所述第一測試盤111、第二測試盤112、第一金屬線121和第二金屬線122均為導電材料。請參考圖3，在本實施例中，在晶圓200的表面形成多個均勻排列的所述檢測噴頭靜電結構100，所述檢測噴頭靜電結構100以一組(shot)為單位均勻排列在所述晶圓200的表面，可以檢測到噴頭的靜電對整片晶圓200的影響。同時，為了實現對不同程度的靜電進行檢測，所述第一金屬線121和第二金屬線122之間保持的預定間隔最小可以為工藝設計下的最小尺寸，可以選取不同的尺寸，以方便達到對不同程度的靜電進行檢測的目的。在本實施例中，還提出了一種檢測噴頭靜電方法，用于對清洗裝置的噴頭進行靜電檢測，所述方法包括:將形成有如上文所述的任意一種檢測噴頭靜電結構100的晶圓200放置于待檢測的噴頭下進行清洗工藝；在所述第一測試盤111和第二測試盤112上施加預定區間的掃描電壓；測量所述第一測試盤111和第二測試盤112之間的電流，以電流的大小來判斷噴頭的靜電強弱。在本實施例中，所述掃描電壓的預定區間范圍是0.1V?20V，即掃描電壓從0.1V逐漸增至20V，于此同時，測量所述第一測試盤111和第二測試盤112之間的電流；當掃描電壓達到20V時，若電流小于0.1 μ Α，則說明所述噴頭無靜電積聚現象，不會對晶圓200造成損傷；若電流大于0.1 μ Α，則說明所述噴頭存在靜電積聚現象，會對晶圓200造成損傷，存在使晶圓200報廢的可能。綜上，在本專利技術實施例提供的中，在晶圓的表面形成具有預定間距的第一金屬線和第二金屬線，分別連接第一測試盤和第二測試盤，在進行清洗工藝時，若噴頭存在靜電積聚現象則靜電在轉移至晶圓的表面時，會使第一金屬線和第二金屬線之間導通，通過測試第一測試盤和第二測試盤之間的電流大小即可判斷噴頭是否存在靜電積聚現象，是否會對晶圓造成損傷。上述僅為本專利技術的優選實施例而已，并不對本專利技術起到任何限制作用。任何所屬
的技術人員，在不脫離本專利技術的技術方案的范圍內，對本專利技術揭露的技術方案和
技術實現思路
做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本專利技術的技術方案的內容，仍屬于本專利技術的保護范圍之內。【主權項】1.一種檢測噴頭靜電結構，形成于晶圓的表面，所述結構包括:第一測試盤和第二測試盤，所述第一測試盤連接有第一金屬線，所述第二測試盤連接有第二金屬線，所述第一金屬線和第二金屬線之間保持預定間隔。2.如權利要求1所述的檢測噴頭靜電結構，其特征在于，所述第一金屬線和第二金屬線為梳狀結構，兩者交錯排列。3.如權利要求2所述的檢測噴頭靜電結構，其特征在于，在所述晶圓的表面形成多個均勻排列的所述檢測噴頭靜電結構。4.如權利要求1所述的檢測噴頭靜電結構，其特征在于，所述第一測試盤、第二測試盤、第一金屬線和第二金屬線均為導電材料。5.一種檢測噴頭靜電方法，用于對清洗裝置的噴頭進行靜電檢測，所述方法包括: 將形成有如權利要求1至4中所述的任意一種檢測噴頭靜電結構的晶圓放置于待檢本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種檢測噴頭靜電結構，形成于晶圓的表面，所述結構包括：第一測試盤和第二測試盤，所述第一測試盤連接有第一金屬線，所述第二測試盤連接有第二金屬線，所述第一金屬線和第二金屬線之間保持預定間隔。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：夏禹，劉麗麗，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31