用于計算機的數據線纜制造技術

本發明專利技術涉及一種用于計算機的數據線纜，屬于數據線纜的技術領域。本發明專利技術所述的用于計算機的數據線纜，包括至少一組數據傳輸層，所述數據傳輸層外具有絕緣覆蓋層；所述數據傳輸層包括裸露的接地導線以及至少一對數據導線，所述數據傳輸層外包覆有鋁箔導電層和復合材料屏蔽層。本發明專利技術的數據線纜采用鋁箔和復合材料屏蔽層共同作為電磁屏蔽層，具有優良的電磁屏蔽效果，對外部的電磁干擾或外部信號具有較強的抗干擾或防錯性能。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及數據線纜的
，更具體的說，本專利技術涉及一種用于計算機的數據線纜。
技術介紹
隨著計算機技術的發展，用于傳輸信號的線纜作為附件其體積也越來越小。用于計算機的數據線纜通常包括用于傳輸數據電信號的導體，導體外包覆以絕緣介質層、屏蔽層和外護套。在現有技術中屏蔽層通常為由多股金屬線編織而成的編織層或用鋁箔等形成，用以屏蔽電磁干擾或者外部信號的干擾。但是在實際應用中，金屬編織層或鋁箔難以達到理想的屏蔽效果，難以完全屏蔽外部的電磁干擾或無用外部信號干擾。
技術實現思路
為了解決現有技術中的上述技術問題，本專利技術的目的在于提供一種用于計算機的數據線纜。為了實現上述專利技術目的，本專利技術采用了以下技術方案: 本專利技術所述的用于計算機的數據線纜，包括至少一組數據傳輸層，所述數據傳輸層外具有絕緣覆蓋層；所述數據傳輸層包括裸露的接地導線以及至少一對數據導線，其特征在于:所述數據傳輸層外包覆有鋁箔導電層和復合材料屏蔽層。其中，所述數據傳輸層為2組或多組。其中，所述絕緣覆蓋層為扁平型，其材料為交聯聚乙烯、阻燃聚氯乙烯或ABS樹脂等。其中，所述鋁箔的厚度為5~50 μπι，優選為10~20 μπι。其中，所述復合材料屏蔽層的厚度為1~10 mm。其中，所述復合材料包括:80重量份的聚丙烯酸樹脂、15-20重量份的ABS樹脂、3-5重量份的硅烷偶聯劑、0.5-1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、3.5-5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和0.50-1.5重量份的銀納米線。其中，所述銀納米線為長寬比為20~2000，優選為50~500 ;所述銀納米線的長度大約為5~100 μπι，優選為20~100 y m。在本專利技術中，所述銀納米線通過現有技術常規的技術制備即可，例如可以通過在溶液體系中還原硝酸銀來合成銀納米線。其中，所述鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，通過在二氧化硅顆粒表面通過活化、化學鍍工藝得到。本專利技術所述的用于計算機的數據線纜具有以下有益效果: 本專利技術的數據線纜采用鋁箔和復合材料屏蔽層共同作為電磁屏蔽層，具有優良的電磁屏蔽效果，對外部的電磁干擾或外部信號具有較強的抗干擾或防錯性能。【附圖說明】圖1為本專利技術所述的用于計算機的數據線纜的結構示意圖。圖2為實施例1~3的復合材料屏蔽層(5mm)的總屏蔽效能圖。圖3為比較例1~3的復合材料屏蔽層(5mm)的總屏蔽效能圖。【具體實施方式】以下將結合具體實施例對本專利技術所述的用于計算機的數據線纜及其制備方法做進一步的說明，以幫助本領域的技術人員對本專利技術的專利技術構思、技術方案有更完整、準確和深入的理解。如圖1所述，本專利技術的用于計算機的數據線纜，包括兩組組數據傳輸層60，所述數據傳輸層60包括裸露的接地導線20以及至少一對數據導線10，所述數據導線10包括銅芯和銅芯外周的絕緣層。所述數據傳輸層60外具有絕緣覆蓋層30，所述絕緣覆蓋層為扁平型，根據實際需要，也可以設計為其它形狀，而絕緣覆蓋層的材料可以為交聯聚乙烯、阻燃聚氯乙烯或ABS樹脂等現有技術中公知的材料。本專利技術的改進之處在于:所述數據傳輸層60外包覆有鋁箔導電層40和復合材料屏蔽層50，所述鋁箔的厚度為5~50 ym，優選為10-20 μπι。所述復合材料屏蔽層的厚度為1~10 mm。在本專利技術中，復合材料包括:80重量份的聚丙稀酸樹脂、15-20重量份的ABS樹脂、3-5重量份的硅烷偶聯劑、0.5-1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、3.5-5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和0.50-1.5重量份的銀納米線。其中，所述銀納米線為長寬比為20~2000，在本專利技術的實施例中采用的銀納米線的長寬比為50~500 ;長度大約為20~100Umo在本專利技術的實施例中，所述鍍鎳硼的二氧化硅顆粒通過以下工藝制備得到:選擇的二氧化硅顆粒的平均粒徑為5~20 ym之間，密度為0.8~1.2 g/cm3。首先進行前處理，即在二氧化硅顆粒進行清洗、粗化以及SnCl2溶液敏化、Pd活化的前處理；化學鍍的參數條件如下:硫酸鎳:15-20 g/L，氯化鎳:3.2-5.0 g/L，硼氫化鈉:10-12 g/L，氨基磺酸:1.5-2.0g/L，EDTA 二鈉:2.5-3.0 g/L，丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨:1.0-1.2g/L，二乙基二硫代氨基甲酸鈉:0.1-0.2 g/L，和余量的去離子水；化學鍍溫度為60~70°C，時間為25~30 min，化學鍍完成后在N2熱氣流下進行干燥。利用粒度測試分析儀可以得出鍍覆后的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒沒有發生團聚，并且鎳硼鍍層中硼的含量約為5.5-7.5wt%。以下將詳述數據線纜中的復合材料屏蔽層的組成和制備工藝。實施例1 將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、5重量份的硅烷偶聯劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、3.5重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機中，其攪拌速度為2500轉/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復合材料。實施例2 將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401)、15重量份的ABS樹脂(CH510)、3重量份的硅烷偶聯劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.5重量份的銀納米線加入到高速混合機中，其攪拌速度為2500轉/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復合材料。實施例3 將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機中，其攪拌速度為2500轉/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復合材料。比較例I 將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的納米碳纖維加入到高速混合機中，其攪拌速度為2500轉/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復合材料。比較例2 將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的鍍鎳磷的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機中，其攪拌速度為2500轉/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于計算機的數據線纜，包括至少一組數據傳輸層，所述數據傳輸層外具有絕緣覆蓋層；所述數據傳輸層包括裸露的接地導線以及至少一對數據導線，其特征在于：所述數據傳輸層外包覆有鋁箔導電層和復合材料屏蔽層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：苗玉霞，
申請(專利權)人：苗玉霞，
類型：發明
國別省市：山東;37