等離子體刻蝕方法技術

本發明專利技術涉及半導體技術領域，公開了一等離子體刻蝕方法，該方法包括執行一次或多次制程循環步驟，所述制程循環步驟包括：有偏置功率的刻蝕步驟和沒有偏置功率的刻蝕步驟。通過對上述兩刻蝕步驟執行時間及偏置功率大小的調整，在等離子體刻蝕結構底部粗糙度、側壁頂部粗糙度、側壁角度及頂部側壁突出倒懸等問題之間取得平衡，在降低刻蝕結構底部/側壁頂部粗糙度、消除頂部側壁突出倒懸問題的同時，通過等離子體刻蝕過程中腔體壓力及偏置功率大小的調整實現對刻蝕結構側壁角度的控制，從而根據刻蝕結構要求，得到側壁角度可控、側壁及底部表面粗糙度較小的高質量等離子體刻蝕結構。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種等離子體刻蝕方法，包括步驟：提供半導體基底，所述半導體基底包括圖形化的待刻蝕結構；執行一次或多次制程循環步驟，所述制程循環步驟包括：有偏置功率的刻蝕步驟和沒有偏置功率的刻蝕步驟。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李俊良，楊俊，
申請(專利權)人：中微半導體設備上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31