用于制作液晶顯示面板的方法及液晶顯示面板技術

本發明專利技術公開了一種用于制作液晶顯示面板的方法及液晶顯示面板，該方法包括：在基底上涂敷一層金屬材料形成金屬材料層；在金屬材料層上涂敷一層光阻材料；采用第一掩膜板對光阻材料進行第一次曝光處理；采用第二掩膜板對光阻材料進行第二次曝光處理；對經過兩次曝光處理后的光阻材料進行顯影處理以裸露出部分金屬材料；對裸露的金屬材料進行蝕刻處理以形成柵金屬層。本發明專利技術可以避免液晶顯示面板出現水平漸變線，改善液晶顯示面板的顯示效果。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及液晶顯示
，具體地說，涉及一種用于制作液晶顯示面板的方法及液晶顯示面板。
技術介紹
目前，為增加TFT-1XD(即液晶顯示面板)的視角，大尺寸液晶顯示裝置基本都會采用低色偏設計，其中，將一個子像素分割為一個主像素和一個輔像素是經常采用的低色偏技術。在采用以上方法設計柵金屬層時，為保證較高的開口率，主像素柵極與主像素公共電極、輔像素柵極與輔像素公共電極以及主像素柵極與輔像素柵極之間的距離設計的盡量小，一般可達到5-7um。由于主像素柵極、輔像素柵極和公共電極線之間的距離太小，在柵金屬層曝光時容易發生柵極與公共電極之間、柵極之間的短路，造成模組水平漸變線飄高，影響產品良率。
技術實現思路
為解決以上問題，本專利技術提供了一種用于制作液晶顯示面板的方法及液晶顯示面板。根據本專利技術的一個方面，提供了一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括:在基底上涂敷一層金屬材料形成金屬材料層；在所述金屬材料層上涂敷一層光阻材料；采用第一掩膜板對所述光阻材料進行第一次曝光處理；采用第二掩膜板對所述光阻材料進行第二次曝光處理；對經過兩次曝光處理后的光阻材料進行顯影處理以裸露出部分金屬材料；對裸露的金屬材料進行蝕刻處理以形成柵金屬層。根據本專利技術的一個實施例，所述光阻材料為負性光阻材料。根據本專利技術的一個實施例，所述柵金屬層包括主像素柵極、主像素公共電極、輔像素柵極和輔像素公共電極。根據本專利技術的一個實施例，通過所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的透光區域形成主像素柵極圖案、主像素公共電極圖案、輔像素柵極圖案和輔像素公共電極圖案。根據本專利技術的一個實施例，所述主像素柵極位于所述輔像素柵極和所述主像素公共電極之間，所述輔像素柵極位于所述主像素柵極和所述輔像素公共電極之間。根據本專利技術的一個實施例，通過所述第一掩膜板產生的曝光圖案包括所述主像素柵極圖案和所述輔像素公共電極圖案；通過所述第二掩膜板產生的曝光圖案包括所述輔像素柵極圖案和所述主像素公共電極圖案。根據本專利技術的一個實施例，通過所述第一掩膜板產生的曝光圖案包括所述輔像素柵極圖案和所述主像素公共電極圖案；通過所述第二掩膜板產生的曝光圖案包括所述主像素柵極圖案和所述輔像素公共電極圖案。根據本專利技術的一個實施例，所述基底包括基板，并在所述基板上形成所述柵金屬層O根據本專利技術的一個實施例，所述基底包括基板、薄膜晶體管、數據線和柵絕緣層，并在所述柵絕緣層上形成所述柵金屬層。根據本專利技術的另一個方面，還提供了采用以上方法制作的液晶顯示面板。本專利技術的有益效果:本專利技術通過采用兩個掩膜板來形成柵金屬層，避免了主像素柵極和輔像素柵極、輔像素公共電極和輔像素柵極、主像素柵極和主像素公共電極之間的短路，從而使得主輔像素均能正常顯示，避免液晶顯示面板出現水平漸變線，改善液晶顯示面板的顯示效果。本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。【附圖說明】為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要的附圖做簡單的介紹:圖1是現有技術中用于形成液晶顯示面板中柵金屬層的掩膜板結構示意圖；圖2是根據本專利技術的一個實施例的方法流程圖；圖3是根據本專利技術的一個實施例的第一掩膜板結構示意圖；圖4是根據本專利技術的一個實施例的第二掩膜板結構示意圖；以及圖5是根據本專利技術的一個實施例的液晶顯示面板中一個像素單元的俯視結構示意圖。【具體實施方式】以下將結合附圖及實施例來詳細說明本專利技術的實施方式，借此對本專利技術如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本專利技術中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合，所形成的技術方案均在本專利技術的保護范圍之內。如圖1所示為現有的一種用于制作TFT-1XD中的柵金屬層采用的掩膜板結構示意圖。其中，該掩膜板上的區域11’用于形成主像素柵極，區域12’用于形成主像素公共電極，區域21’用于形成輔像素柵極，區域22’用于形成輔像素公共電極。所以，該掩膜板可以形成包括一個主像素和一個輔像素的像素單元，主像素和輔像素共同作用完成該像素單元的正常顯示。使用圖1中的掩膜板所制得的柵金屬層包括與區域11’對應的主像素柵極，與區域12’對應的主像素公共電極，與區域21’對應的輔像素柵極，區域22’對應的輔像素公共電極。由于主像素柵極和輔像素柵極之間、主像素柵極和主像素公共電極之間、輔像素柵極和輔像素公共電極之間的距離太小，在采用圖1中的掩膜板制作柵金屬層時，掩膜板上對應形成以上主、輔像素的柵極之間及主輔像素與各自對應的公共電極之間的間隔區域的位置處設置的極為狹窄。在現有技術中，形成柵金屬層時通常采用正性光阻材料作為光刻膠。正性光阻材料在曝光前對某些溶劑是不溶的，而曝光后卻變為可溶的。使用這種光阻材料，能得到與掩膜板遮光圖案相同的圖形。那么，在圖1的掩膜板中，采用正性光阻材料時，區域11’、區域12’、區域21’和區域22’為遮光區域，其余為透光區域。在采用圖1的掩膜板時，曝光光束不能透過掩膜板上的對應主、輔像素的柵極之間及主輔像素與各自對應的公共電極之間的間隔區域的狹窄透光區域來對正性光阻材料進行曝光。這些掩膜板上狹窄透光區域對應的正性光阻材料不能被改變性質，顯影處理時就不能被去除。那么，在接下來蝕刻金屬材料形成柵金屬層時，這些掩膜板上狹窄透光區域對應的正性光阻材料覆蓋的金屬材料不能被蝕刻掉。這樣，就會導致主像素柵極和輔像素柵極之間、主像素柵極和主像素公共電極之間、輔像素柵極和輔像素公共電極之間發生短路。如圖1所示的黑色三角標識，在這種情況下，主像素柵極和輔像素柵極均處于公共電極電位，對應的TFT (薄膜晶體管)無法正常工作。在液晶顯示面板上，一般通過同一掃描信號來控制同一像素單元中的主像素柵極和輔像素柵極，同一行像素單元中的主像素柵極連接到同一條主柵線上、輔像素柵極連接到同一條輔柵線上。如其中的任一像素單元中的主像素柵極和輔像素柵極之間、主像素柵極和主像素公共電極之間、輔像素柵極和輔像素公共電極之間發生短路，則該行像素單元的顯示均會受到影響，則在液晶顯示面板的水平方向上會產生水平漸變線，從而影響產品的良率。因此，本專利技術提供了一種用于制作TFT-1XD的方法，用于消除主像素柵極和輔像素柵極之間、主像素柵極和主像素公共電極之間、輔像素柵極和輔像素公共電極之間的短路現象，進而消除水平漸變線，提高產品良率。如圖2所示為根據本專利技術的一個實施例的方法流程圖，以下參考圖2來對本專利技術進行詳細說明。首先，在步驟SllO中，在預制的基底上涂敷一層金屬材料，以形成金屬材料層。在該步驟中，一般是通過濺射方法形成一定厚度的金屬材料層。形成該金屬材料層常用的金屬材料有Al、Ta、Moff合金等。接下來，在步驟S120中，在該金屬材料層上涂敷一層光阻材料。在該步驟中，涂敷的光阻材料為負性光阻材料。這種光阻材料在曝光前對某些有機溶劑是可溶性的，曝光后發生光聚合反應，不溶于有機溶劑。當用該光阻材料進行光刻時，在基底表面將得到與光刻掩膜板遮光圖案完全相反的圖案，即得到與光刻掩膜板透光圖案完本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括：在基底上涂敷一層金屬材料形成金屬材料層；在所述金屬材料層上涂敷一層光阻材料；采用第一掩膜板對所述光阻材料進行第一次曝光處理；采用第二掩膜板對所述光阻材料進行第二次曝光處理；對經過兩次曝光處理后的光阻材料進行顯影處理以裸露出部分金屬材料；對裸露的金屬材料進行蝕刻處理以形成柵金屬層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：付延峰，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44