全壓接式IGBT芯片定位裝置體制造方法及圖紙

本發明專利技術屬于芯片安裝技術領域，具體涉及一種全壓接式IGBT芯片定位裝置體，由兩部分扣合組成，分別是上方的固定上模和下方的固定下模，固定上模和固定下模外觀形狀相同，固定下模上加工有6個扣合齒，固定下模的中間位置為鏤空結構，加工有多個芯片固定孔，固定上模上加工有6個扣合槽，其分布角度和固定下模上的扣合齒相吻合，固定上模加工有多個和固定下模上完全相同的芯片固定孔，本發明專利技術通過固定下模和固定上模扣合，將IGBT芯片放置在芯片固定孔內，能夠有效防止其松動、脫落，避免了IGBT芯片偏心、位移，并且本發明專利技術結構簡單，成本低，耐高溫，受熱后膨脹系數小，是一種理想的全壓接式IGBT芯片定位裝置體。

【技術實現步驟摘要】
全壓接式IGBT芯片定位裝置體
本專利技術屬于芯片安裝
，具體涉及一種全壓接式IGBT芯片定位裝置體。
技術介紹
IGBT芯片作為電力電子重要大功率主流器件之一，已經廣泛應用于高壓變頻器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。國內市場需求急劇上升曾使得IGBT芯片市場一度被看好，可是到IGBT芯片的核心技術和產業為大多數歐美IDM半導體廠商所掌控，中國在2014年6月成功研制出8寸IGBT專業芯片，打破國際壟斷。目前，在IGBT芯片實際使用中，全壓接式IGBT功率器件其芯片必須要牢固固定在芯片固定裝置中，但是現有的IGBT芯片固定裝置多為單片敞開式，芯片必須卡扣在固定裝置內，不容易固定且固定后易松動，導致芯片定位不準確；再者，現有的芯片固定裝置多為單片單元結構，在使用過程中單片組裝時間長且裝配麻煩，在一些比較惡劣的使用環境中，長時間的使用容易導致芯片變形損壞。如何設計一種新型芯片固定裝置體，能夠避免以上問題的發生，可有效、準確的固定IGBT芯片并且容易操作，固定后能夠對芯片起到很好的保護作用且能夠應對各種惡劣環境，是本行業人員亟待解決的技術問題。
技術實現思路
為實現上述技術功能，本專利技術的技術方案如下：全壓接式IGBT芯片定位裝置體，由兩部分扣合組成，分別是上方的固定上模和下方的固定下模，固定上模和固定下模外觀形狀相同，為圓形結構，固定下模上，圍繞固定下模的邊緣，加工有6個扣合齒，所述的6個扣合齒相鄰之間以60°角度均布在固定下模上，固定下模的中間位置為鏤空結構，加工有多個芯片固定孔，所述的多個芯片固定孔呈方形均勻分布，方形分布的芯片固定孔用來固定相應的導電上鉬片、芯片和導電下鉬片，芯片固定孔的邊角處各設置有一個門極控制孔，芯片固定孔和固定下模邊緣的空隙處鉆取四個安裝孔，所述的四個安裝孔，每相鄰兩個之間成90°角度分布；在兩個安裝孔之間，固定下模邊緣的空隙處鉆取1個定位孔，在該定位孔對角處鉆取另外一個定位孔；固定上模的邊緣處，和固定下模相對應，加工有6個扣合槽，其分布角度和固定下模上的扣合齒相吻合，固定上模的中間位置同樣為鏤空結構，并加工有多個和固定下模上完全相同的芯片固定孔，固定上模邊緣的空隙處同樣鉆取四個安裝孔，所述的四個安裝孔和固定下模上的安裝孔的大小及分布角度完全相同；在兩個安裝孔之間，固定上模邊緣的空隙處加工有一個定位柱，再和固定下模相匹配。所述的安裝孔的直徑為5mm。所述的定位孔的直徑為3mm。所述的固定下模上的芯片固定孔和固定上模上的芯片固定孔的形狀大小和分布角度完全相同。所述的定位柱的外徑尺寸以能夠順暢插入至定位孔內為標準。所述的固定上模和固定下模的材質為聚醚酰亞胺或者聚苯硫醚。本專利技術的有益效果：本專利技術采用兩片式設計，通過定位孔和定位柱的配合來定位，再通過固定下模上的扣合齒和固定上模上的扣合槽扣合將固定下模和固定上模固定為一體式，將導電上鉬片、IGBT芯片、導電下鉬片放置在芯片固定孔內，能夠有效防止IGBT芯片松動、脫落，避免了IGBT芯片偏心、位移等隱患，并且本專利技術結構簡單，成本低，采用聚醚酰亞胺或者聚苯硫醚材質，耐高溫，阻燃性好，受熱后膨脹系數小，保證芯片在高溫下能夠穩定工作，是一種理想的全壓接式IGBT芯片定位裝置體。附圖說明本專利技術共有附圖3張，其中：圖1是本專利技術扣合后立體示意圖。圖2是本專利技術固定下模結構示意圖。圖3是本專利技術固定上模背面結構示意圖。圖4是本專利技術IGBT芯片安裝結構示意圖。附圖中：1、固定下模，2、芯片固定孔，3、扣合齒，4、安裝孔，5、定位孔，6、固定上模，7、扣合槽，8、定位柱，9、導電上鉬片，10、IGBT芯片，11、導電下鉬片，12、門極控制極，13、門極控制孔。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術進行進一步地描述。如附圖所示，一種全壓接式IGBT芯片定位裝置體，其固定上模6和固定下模1外觀形狀相同，皆為圓形結構，固定下模1上，圍繞固定下模1的邊緣，通過定位孔和定位針的配合來定位，再通過固定下模1上的扣合齒3和固定上模6上的扣合槽7扣合將固定下模1和固定上模6固定為一體式。固定下模1的中間位置為鏤空結構，加工有多個芯片固定孔2，所述的多個芯片固定孔2呈方形分布，呈方形分布的四個外邊上各鏤空加工3個芯片固定孔2，將IGBT芯片9和導電上鉬片9以及導電下鉬片11放置到芯片固定孔2內后，芯片固定孔2的邊角處各設置有一個門極控控制孔13，將門極控制極12插入到門極控制孔13內，然后將固定上模6扣合到固定下模1上，導電上鉬片9與IGBT芯片10和導電下鉬片11被固定在芯片固定孔2內，芯片固定孔2的外側，芯片固定孔2和固定下模1邊緣的空隙處鉆取四個安裝孔4，所述的四個安裝孔4，每相鄰兩個之間成90°角度分布；在兩個安裝孔4之間，固定下模1邊緣的空隙處鉆取1個直徑為3mm的定位孔5，在該定位孔5對角處鉆取另外一個定位孔5。固定上模6的邊緣處，和固定下模1相對應，加工有6個和固定下模1上的扣合齒3相吻合扣合槽7，固定上模6的中間位置同樣為鏤空結構，并加工有多個和固定下模1上完全相同的芯片固定孔2，固定下模1上的芯片固定孔2和固定上模6上的芯片固定孔2的形狀大小和分布角度完全相同；固定上模6邊緣的空隙處同樣鉆取四個直徑為5mm的安裝孔4，所述的四個安裝孔4和固定下模1上的安裝孔4的大小及分布角度完全相同；在兩個安裝孔4之間，固定上模邊緣的空隙處加工有兩個和固定下模1相匹配的定位柱8，所述的固定上模和固定下模的材質為聚醚酰亞胺或者聚苯硫醚，阻燃性好，熱變形溫度達260℃，可在-160-180℃的工作溫度下長期使，受熱后其膨脹系數小，避免了IGBT芯片偏心、位移等隱患的出現。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
全壓接式IGBT芯片定位裝置體，由兩部分扣合組成，分別是上方的固定上模和下方的固定下模，其特征在于：固定上模和固定下模外觀形狀相同，為圓形結構，固定下模上，圍繞固定下模的邊緣，加工有6個扣合齒，所述的6個扣合齒相鄰之間以60°角度均布在固定下模上，固定下模的中間位置為鏤空結構，加工有多個芯片固定孔，所述的多個芯片固定孔分布狀況為呈方形均勻分布，再從整體周邊的外側，芯片固定孔和固定下模邊緣的空隙處鉆取四個安裝孔，所述的4個安裝孔，每相鄰兩個之間成90°角度分布；所述的2個安裝孔之間，固定下模邊緣的空隙處鉆取1個定位孔，和該定位孔對角處鉆取另外一個定位孔；固定上模的邊緣處，和固定下模相對應，加工有6個扣合槽，其分布角度和固定下模上的扣合齒相吻合，固定上模的中間位置同樣為鏤空結構，并加工有多個和固定下模上完全相同的芯片固定孔，固定上模邊緣的空隙處同樣鉆取四個安裝孔，所述的4個安裝孔和固定下模上的安裝孔的大小及分布角度完全相同；所述的2個安裝孔之間，固定上模邊緣的空隙處加工有一個定位柱，和固定下模相匹配。

【技術特征摘要】
1.全壓接式IGBT芯片定位裝置體，由兩部分扣合組成，分別是上方的固定上模和下方的固定下模，其特征在于：固定上模和固定下模外觀形狀相同，為圓形結構，固定下模上，圍繞固定下模的邊緣，加工有6個扣合齒，所述的6個扣合齒相鄰之間以60°角度均布在固定下模上，固定下模的中間位置為鏤空結構，加工有多個芯片固定孔，所述的多個芯片固定孔分布狀況為呈方形均勻分布，再從整體周邊的外側，芯片固定孔和固定下模邊緣的空隙處鉆取四個安裝孔，所述的四個安裝孔，每相鄰兩個之間成90°角度分布；在兩個安裝孔之間，固定下模邊緣的空隙處鉆取1個定位孔，和該定位孔對角處鉆取另外一個定位孔；固定上模的邊緣處，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宋曉飛，
申請(專利權)人：河北華整實業有限公司，
類型：發明
國別省市：河北;13