一種數據存儲方法和裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種數據存儲方法和裝置，其中，所述數據存儲方法應用于包括至少兩種Nand?Flash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand?Flash存儲器中包括若干塊，所述方法包括：在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand?Flash存儲器壽命短的Nand?Flash存儲器中。本發明專利技術能夠提高存儲速度，節約存儲成本。

【技術實現步驟摘要】
一種數據存儲方法和裝置
本專利技術涉及數據處理技術，尤其涉及一種數據存儲方法和裝置。
技術介紹
固態硬盤(Solid State Drives，SSD)采用Flash存儲器作為存儲介質，Nand-Flash存儲器是Flash存儲器的一種，因為Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優點，因此廣泛用于SSD。依據單元(Cell)的多少，Nand Flash存儲器的類型分為單層單兀(Single Layer Cell, SLC)、多層單兀(Mult1-Level Cell, MLC)和三層單兀(Tr1-Layer Cell，TLC)。SLC的Nand Flash存儲器具有成本高、容量小、壽命長(可反復讀寫的次數多)的特點；MLC的Nand Flash存儲器具有成本較低、容量較大、壽命較短(可反復讀寫的次數較少)的特點；TLC的Nand Flash存儲器具有成本更低、容量更大、壽命更短(可反復讀寫的次數更少)的特點。 目前，為克服不同類型Nand Flash存儲器的缺點，SSD包括兩種或多種NandFlash存儲器，稱為混合(hybrid) SSD。對于混合SSD，需要向SSD中的不同類型的NandFlash存儲器分配數據。通常，需要在SSD中增加數據分配模塊，所述數據分配模塊用于根據讀寫次數將數據分為熱數據和冷數據，將熱數據分配給SLC的Nand Flash存儲器，將冷數據分配給MLC和/或TLC的Nand Flash存儲器。所述熱數據是指讀寫次數大于等于閾值的數據；所述熱數據是指讀寫次數小于閾值的數據。但是，在存儲數據之前判斷數據是熱數據還是冷數據會降低存儲速度，而且數據分配模塊的功能實現復雜、成本高。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術實施例的主要目的在于提供一種數據存儲方法和裝置，能夠提高存儲速度，節約存儲成本。 為達到上述目的，本專利技術的技術方案是這樣實現的: 本專利技術提供的一種數據存儲方法，應用于包括至少兩種Nand Flash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand Flash存儲器中包括若干塊，所述方法包括: 在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊； 當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。 較佳地，所述方法還包括: 當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第一搬運閾值但達到第二搬運閾值時，且當前的Nand Flash存儲器的使用率達到預設值時，將所述有效頁搬運至比當前的NandFlash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。 較佳地，所述方法還包括: 當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第二閾值時，將所述有效頁移動到當前的Nand Flash存儲器的非回收塊中，并將所述有效頁的移動次數加權。 較佳地，所述方法還包括: 將覆寫的頁的移動次數減權。 較佳地，所述方法還包括: 將初次保存的數據存儲在壽命較長且空閑率滿足預設存儲閾值的Nand Flash存儲器中。 本專利技術提供的一種混合固態硬盤，所述混合固態硬盤包括閃存轉換層FTL和至少兩種Nand Flash存儲器，每個Nand Flash存儲器中包括若干塊；其中， 所述閃存轉換層FTL，用于在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的NandFlash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。 較佳地，所述閃存轉換層FTL，還用于當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第一搬運閾值但達到第二搬運閾值時，且當前的Nand Flash存儲器的使用率達到預設值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。 較佳地，所述閃存轉換層FTL，還用于當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第二閾值時，將所述有效頁移動到當前的Nand Flash存儲器的非回收塊中，并將所述有效頁的移動次數加權。 較佳地，所述閃存轉換層FTL，還用于將覆寫的頁的移動次數減權。 較佳地，所述閃存轉換層FTL，還用于將初次保存的數據存儲在壽命較長且空閑率滿足預設存儲閾值的Nand Flash存儲器中。 由上可知，本專利技術實施例的技術方案包括:所述方法應用于包括至少兩種NandFlash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand Flash存儲器中包括若干塊，所述方法包括:在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。由此，通過在垃圾回收過程中將不經常被操作的數據(冷數據)搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中，這樣既空閑出性能好的存儲空間(成本高、容量小、壽命長的Nand Flash存儲器)，又充分利用了性能較差的存儲空間(成本低、容量大、壽命短的Nand Flash存儲器)，而且能夠提高存儲速度，節約存儲成本。 【附圖說明】 圖1為本專利技術數據存儲方法的第一實施例的實現流程示意圖； 圖2為本專利技術數據存儲方法的第二實施例的實現流程示意圖； 圖3為本專利技術數據存儲方法的第三實施例的實現流程示意圖； 圖4為本專利技術數據存儲方法的第四實施例的實現流程示意圖； 圖5為本專利技術數據存儲方法的第五實施例的實現流程示意圖； 圖6為本專利技術混合固態硬盤的實施例的結構示意圖。 【具體實施方式】 本專利技術提供的數據存儲方法的第一實施例，應用于包括至少兩種Nand Flash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand Flash存儲器中包括若干塊；如圖1所示，所述方法包括: 步驟101、在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊。 步驟102、當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。 由此，本實施例利用在垃圾回收過程中將不經常被操作的數據(在沒有被修改的情況下被搬移的次數越多越是不經常被操作的數據)搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中，這樣既空閑出性能好的存儲空間(成本高、容量小、壽命長的Nand Flash存儲器)，又充分利用了性能較差的存儲空間(成本低、容量大、壽命短的NandFlash存儲器)，而且能夠提高存儲速度，節約存儲成本。 本專利技術提供的數據存儲方法的第二實施例，應用于包括至少兩種Nand Flash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand Flash存儲器中包括若干塊；如圖2所示，所述方法包括: 步驟201、在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊。 步驟202、當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第一搬運閾值但達到第二搬運閾值時，且當前的Nand Flash存儲器的使用率達到預設值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。 這里，所述預設值可以設為80%至90%等數值，在實際應用中，可以根據NandFlash存儲器的具體情況設置。 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種數據存儲方法，應用于包括至少兩種Nand?Flash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand?Flash存儲器中包括若干塊；其特征在于，所述方法包括：在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand?Flash存儲器壽命短的Nand?Flash存儲器中。

【技術特征摘要】
1.一種數據存儲方法，應用于包括至少兩種Nand Flash存儲器的混合固態硬盤，每個Nand Flash存儲器中包括若干塊；其特征在于，所述方法包括: 在垃圾回收過程中，選擇部分所述塊作為回收塊； 當所述回收塊中的有效頁的移動次數達到第一搬運閾值時，將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第一搬運閾值但達到第二搬運閾值時，且當前的Nand Flash存儲器的使用率達到預設值時,將所述有效頁搬運至比當前的Nand Flash存儲器壽命短的Nand Flash存儲器中。3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 當回收塊中的有效頁的移動次數未達到第二閾值時，將所述有效頁移動到當前的NandFlash存儲器的非回收塊中，并將所述有效頁的移動次數加權。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 將覆寫的頁的移動次數減權。5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 將初次保存的數據存儲在壽命較長且空閑率滿足預設存儲閾值的Nand Flash存儲器中。6.一種混合固態硬盤，其特征在于，所述混合固態...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭琦，李洪偉，陸見微，馬立俊，
申請(專利權)人：聯想北京有限公司，
類型：發明
國別省市：北京;11