一種雙面發光的LED芯片封裝結構制造技術

本實用新型專利技術涉及LED封裝技術領域，具體地說是一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，芯片包括P電極、P極電流擴散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴散層、N氮化鎵N-Gan和藍寶石襯底。本實用新型專利技術同現有技術相比，設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本實用新型專利技術的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術涉及LED封裝
，具體地說是一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，芯片包括P電極、P極電流擴散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴散層、N氮化鎵N-Gan和藍寶石襯底。本技術同現有技術相比，設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本技術的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。【專利說明】一種雙面發光的LED芯片封裝結構
本技術涉及LED封裝
，具體地說是一種雙面發光的LED芯片封裝結構。
技術介紹
目前，常見的LED燈絲內部的芯片有兩種，一種是正裝芯片，另一種是倒裝芯片。正裝芯片電極在上方，從上至下材料為:P電極，發光層，N電極，襯底。正裝芯片大多是單面發光的，發光效率較低。正裝芯片一般采用膠水固定，正裝芯片之間采用連接線相互連接，正裝芯片是最早出現的芯片結構，正裝芯片的電極擠占發光面積，從而進一步影響了發光效率。 為了提高芯片的發光效率，技術人員研發了倒裝芯片。倒裝芯片的襯底被剝去，芯片材料是透明的，使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出。倒裝芯片雖然在發光效率上存在優勢，但倒裝芯片的價格較高，制備LED燈絲的工藝也更復雜，造成生產成本的大幅上升。 因此，需要設計一種能夠提高發光效率且成本較低的種雙面發光的LED芯片封裝結構。
技術實現思路
本技術的目的是克服現有技術的不足，提供了一種能夠提高發光效率且成本較低的種雙面發光的LED芯片封裝結構。 為了達到上述目的，本技術設計了一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，其特征在于:芯片包括P電極、P極電流擴散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴散層、N氮化鎵N-Gan和藍寶石襯底，藍寶石襯底的上表面貼附有N氮化鎵N_Gan，N氮化鎵N-Gan的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P_Gan，P氮化鎵P-Gan的上表面貼附有P極電流擴散層，P極電流擴散層的上表面貼附有P電極，N氮化鎵N-Gan的上表面另一端貼附有N極電流擴散層，N極電流擴散層的上表面貼附有N電極。 所述的芯片的P電極和N電極表面設有錫球，芯片倒置并與基板表面的印刷電路固定，芯片與印刷電路之間采用助焊劑焊接錫球固定，基板和芯片的表面、基板的底面分別涂覆有熒光膠。 所述的基板為非透明基板。 所述的P電極為金錫合金或錫凸點。 所述的N電極為金錫合金或錫凸點。 本技術同現有技術相比，設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本技術的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。 【專利附圖】【附圖說明】 圖1為本技術的結構示意圖。 圖2為本技術的俯視圖。 圖3為本技術的使用示意圖。 參見圖1-圖3，I為P電極；2為P極電流擴散層；3為P氮化鎵P-Gan ;4為N電極；5為N極電流擴散層；6為N氮化鎵N-Gan ；7為藍寶石襯底；9為芯片；10為錫球；11為印刷電路；12為基板；13為熒光膠。 【具體實施方式】 現結合附圖對本技術做進一步描述。 參見圖1-圖2，本技術是一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片。芯片9包括P電極1、P極電流擴散層2、P氮化鎵P-Gan3、N電極4、N極電流擴散層5、N氮化鎵N-Gan6和藍寶石襯底7，藍寶石襯底7的上表面貼附有N氮化鎵N_Gan6，N氮化鎵N_Gan6的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P_Gan3，P氮化鎵P_Gan3的上表面貼附有P極電流擴散層2，P極電流擴散層2的上表面貼附有P電極1，N氮化鎵N-Gan6的上表面另一端貼附有N極電流擴散層5，N極電流擴散層5的上表面貼附有N電極4。 本技術中，P電極I為金錫合金或錫凸點，N電極4為金錫合金或錫凸點。 參見圖3，芯片9的P電極I和N電極4表面設有錫球10，基板12的表面設有印刷電路11，芯片9倒置并與基板12表面的印刷電路11固定，芯片9與印刷電路11之間采用助焊劑焊接錫球10固定，兩個錫球10分別固定在相鄰的兩段印刷電路11上，基板12和芯片9的表面、基板12的底面分別涂覆有熒光膠13。 基板12為非透明基板，厚度小于0.5毫米，非透明基板具備透光性。 由于采用的是非透明基板，非透明基板表面和非透明基板底面的光的亮度是不一樣的，為了使兩邊的亮度相同，非透明基板表面熒光膠13的厚度大于底部的厚度。由于非透明基板底部的熒光膠13比常規的LED芯片封裝體的熒光膠薄，可以在非透明基板底部的熒光膠13表面進行印刷。 本技術由P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光，使芯片9的發光效率得到提聞。 本技術設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本技術的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低?！緳嗬蟆?.一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，其特征在于:芯片(9)包括P電極(I)、P極電流擴散層(2)、P氮化鎵P-Gan (3)、N電極(4)、N極電流擴散層(5)、N氮化鎵N-Gan (6)和藍寶石襯底(7)，藍寶石襯底(7)的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan (6)，N氮化鎵N-Gan (6)的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan (3)，P氮化鎵P-Gan (3)的上表面貼附有P極電流擴散層(2)，P極電流擴散層(2)的上表面貼附有P電極(1)，N氮化鎵N-Gan (6)的上表面另一端貼附有N極電流擴散層(5)，N極電流擴散層(5)的上表面貼附有N電極(4)。2.根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于:所述的芯片(9)的P電極(I)和N電極(4)表面設有錫球(10)，芯片(9)倒置并與基板(12)表面的印刷電路(11)固定，芯片(9)與印刷電路(11)之間采用助焊劑焊接錫球(10)固定，基板(12)和芯片(9)的表面、基板(12)的底面分別涂覆有熒光膠(13)。3.根據權利要求2所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于:所述的基板(12)為非透明基板。4.根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于:所述的P電極(I)為金錫合金或錫凸點。5.根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于:所述的N電極(4 )為金錫合金或錫凸點。【文檔編號】H01L33/62GK204011483SQ201420416186【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月25日 優先權日:2014年7月25日 【專利技術者】胡溢文 申請人:本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，其特征在于：芯片（9）包括P電極（1）、P極電流擴散層（2）、P氮化鎵P?Gan（3）、N電極（4）、N極電流擴散層（5）、N氮化鎵N?Gan（6）和藍寶石襯底（7），藍寶石襯底（7）的上表面貼附有N氮化鎵N?Gan（6），N氮化鎵N?Gan（6）的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P?Gan（3），P氮化鎵P?Gan（3）的上表面貼附有P極電流擴散層（2），P極電流擴散層（2）的上表面貼附有P電極（1），N氮化鎵N?Gan（6）的上表面另一端貼附有N極電流擴散層（5），N極電流擴散層（5）的上表面貼附有N電極（4）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：胡溢文，
申請(專利權)人：胡溢文，
類型：新型
國別省市：江蘇;32