一種帶水流道的曲面PTCR-xthm芯片電熱元件裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種帶水流道的曲面PTCR-xthm芯片電熱元件裝置，其特征在于，它包括筒狀基板及其表面設置的稀土厚膜介質層、稀土厚膜電阻電路和稀土厚膜電極，筒狀基板內設置有流道，稀土厚膜電阻電路設置在稀土厚膜介質層上，并與稀土厚膜電極連接。本實用新型專利技術高低壓、交直流均能啟動、體積小，表面熱負荷大，熱效率高，熱啟動快，溫度場均勻可分級自控，導熱性能優良、抗熱沖擊能力強，具有遠紅外功能，且水加熱均勻，無陰陽水；易于加工，綠色、低碳環保、安全可靠。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了一種帶水流道的曲面PTCR-xthm芯片電熱元件裝置，其特征在于，它包括筒狀基板及其表面設置的稀土厚膜介質層、稀土厚膜電阻電路和稀土厚膜電極，筒狀基板內設置有流道，稀土厚膜電阻電路設置在稀土厚膜介質層上，并與稀土厚膜電極連接。本技術高低壓、交直流均能啟動、體積小，表面熱負荷大，熱效率高，熱啟動快，溫度場均勻可分級自控，導熱性能優良、抗熱沖擊能力強，具有遠紅外功能，且水加熱均勻，無陰陽水；易于加工，綠色、低碳環保、安全可靠。【專利說明】
本技術涉及PTCR-xthm芯片
，更具體的是涉及一種曲面的 PTCR-xthm芯片電熱元件。 -種帶水流道的曲面PTCR-xthm芯片電熱元件裝置
技術介紹
隨著電熱產品在家電、工業電器、電子設備、汽車行業等諸多領域的日益普及，電 熱元件的應用變得越來越廣泛，所以人們對電熱元件各方面的性能要求也越來越高。 現有技術中的電熱元件（以鎳鉻絲為主）存在以下缺點：功率密度較小，一般為 15W/cm 2左右，不能很好的滿足人們對大功率低電壓的要求；啟動速度也較慢，并且多具有 熱惰性；機械強度較低，抗振動、抗熱沖擊能力弱；元件體積較大，占用較大空間，并且安裝 也不方便；不易實現控溫材料與電熱材料共平面、共曲面化設計；溫控效果不顯著、節能效 果不理想；它們的壽命一般較短，而且具有副作用，不利于身體健康；耐腐蝕方面也不理 想；工藝性較差。 傳統的PTC (即Postitive Temperatare Coefficient的簡稱）加熱器存在著如 下問題： 傳統的PTC加熱器是把若干個圓盤式、蜂窩式PTC元件用粘接或夾持的方法和散 熱器一起連接起來，引出電極，形成發熱器組件。粘接式PTC發熱器組件是由波紋式散熱條 利用硅膠粘接而成。這種結構致使功率不穩和元件容易老化，功率衰竭嚴重，且本體帶電， 還可能引起電器短路，甚至會導致火災。 用機械夾持方式代替粘接，選用整體翅片式散熱，提高了散熱效果，解決了粘接式 PTC存在的開膠、老化、本體帶電等安全問題。但PTC電熱元件的表面溫度多在250°C左右， 裝夾和電極的引出卻顯得十分重要。除防止接觸不良、短路、電場分布不均避免電擊穿外， 還必須防止機械接觸不良而引起的局部過熱而擊穿。 多個元件串聯使用時，由于元件特性難以一致，元件升溫不同，電壓降分布迅速變 化，并產生惡性循環，壓降越大，溫度升高的元件有可能發生擊穿，且會連鎖發生。因此，串 聯時元件嚴格挑選很重要。 多個元件并聯使用時，在一定限度內能夠增大系統功率，但系統確定后，多個元件 的發熱功率，并非單個元件發熱的總和，而實際上要小的多。并聯時，通電后幾秒內將出現 較大的沖擊電流，由于元件的離散性，各元件的升溫的速度不同，因此，沖擊電流并不是單 個元件沖擊電流的疊加，一般要比疊加之和小些。盡管如此，并聯時應選用沖擊電流較小的 元件。 按國際要求，PTC發熱器信賴性實驗是在無風狀態下，施加額定電壓運行1000小 時功率衰減小于8% ;實際測試目前多數廠家產品功率衰減都大于15%。由于以上問題的存 在，串聯或并聯式PTC加熱器的應用受到很大限制。 另外，現有的厚膜電路的發熱元件是電阻元件，本身不具有溫度的可控性，所用基 片為兩類，一類為高溫共燒陶瓷電熱元件。另一類是430不銹鋼（國標號為1017)基片， 由于lCrl7只是普通純度高烙鐵素體（F)型不銹鋼，其碳的質量分數為0. 1%左右并含少量 的氮，它與常用的奧氏體型不銹鋼相比，缺點是材質較脆，機械加工工藝及焊接工藝性均較 差，極大地限制了它的應用。而奧氏體型lCrl8Ni9系列不銹鋼，具有非常好的塑性和韌性， 從而具有良好的彎折、卷曲和沖壓成形性，機械加工性能優良，便于制成各種形狀的構件、 容器或管道，因此以lCrl8Ni9系列不銹鋼為基板的厚膜電路可控電熱元件無疑已經是該 技術發展的必然趨勢，目前，以lCrl8Ni9系列不銹鋼為基板的厚膜電路可控電熱元件雖已 可完全替代傳統的發熱元件，并可在曲面上印刷，但在使用中，由于管徑的不同，而導致水 加熱不均勻，且會有陰陽水的出現。
技術實現思路
本技術的目的就是為了解決現有技術之不足而提供的一種帶流道的曲面的 PTCR-xthm芯片電熱元件，具有加熱溫度場均勻可分級自控、熱響應快、功率密度大、設計靈 活、結構緊湊、節能環保、安全可靠外，且不會產生陰陽水，還具有高溫遠紅外功能。 本技術是采用如下技術解決方案來實現上述目的：一種帶水流道的曲面 PTCR-xthm芯片電熱元件裝置，其特征在于，它包括筒狀基板及其表面設置的稀土厚膜介質 層、稀土厚膜電阻電路和稀土厚膜電極，筒狀基板內設置有流道，稀土厚膜電阻電路設置在 稀土厚膜介質層上，并與稀土厚膜電極連接，稀土厚膜介質層有設置稀土厚膜電極的槽孔。 作為上述方案的進一步說明，所述筒狀基板的橫截面為圓形或橢圓形或不規則 圓。 所述筒狀基板為金屬基板、玻璃基板或陶瓷基板。 所述金屬基板為鐵素體lCrl5\lCrl7\00Crl8Mo2系列不銹鋼圓柱狀基板，所述玻 璃基板為微晶玻璃管，陶瓷基板為陶瓷管。 所述稀土厚膜電阻電路彎曲盤繞在稀土厚膜介質層表面。 所述流道形狀為螺旋狀或柱狀。 所述稀土厚膜電阻電路由稀土介質漿料和稀土電極漿料制成。 所述流道為硅膠管件、金屬管件或陶瓷管件。 本技術采用上述技術解決方案所能達到的有益效果是： 本技術采用在帶流道的圓筒基板上設置稀土厚膜介質層和彎曲盤繞的稀土 厚膜電阻電路，是對現有技術的進一步升級和提高，除加熱溫度場均勻可分級自控、熱響應 快、功率密度大、設計靈活、結構緊湊、節能環保、安全可靠外，還具有高溫遠紅外功能，且完 全杜絕了陰陽水的產生，該智能電熱元件溫度適應范圍廣 ：25-400°C .高低壓（3- 380V)、 交直流：Ac、Dc均能啟動使用，廣泛適用于水系列產品中。 【專利附圖】【附圖說明】 圖1為本技術的曲面稀土厚膜介質層結構示意圖； 圖2為本技術的曲面稀土厚膜電阻電路結構示意圖； 圖3為本技術的流道結構示意圖； 圖4為圖3的俯視圖； 圖5為本技術的另一實施例結構示意圖。 附圖標記說明：1、筒狀基板2、稀土厚膜介質層3、稀土厚膜電阻電路4、稀土厚 膜電極5、流道6、槽孔。 【具體實施方式】 以下結合具體實施例對本技術的技術方案作進一步的詳述。 實施例1 如圖1-圖4所示，本技術一種帶水流道的曲面PTCR-xthm芯片電熱元件裝 置，它包括筒狀基板1及其表面設置的稀土厚膜介質層2、稀土厚膜電阻電路3和稀土厚膜 電極4,筒狀基板內設置有流道5,供水流過，稀土厚膜電阻電路3設置在稀土厚膜介質層2 上，并與稀土厚膜電極4連接，稀土厚膜介質層有設置稀土厚膜電極的槽孔6。其中，筒狀基 板的橫截面為圓形或橢圓形或不規則圓。本實施例中，筒狀基板為一圓管。筒狀基板一般 的形式為金屬基板、玻璃基板或陶瓷基板。稀土厚膜電阻電路彎曲盤繞在稀土厚膜介質層 表面。流道形狀為螺旋狀，用硅膠、金屬或陶瓷材質本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種帶水流道的曲面PTCR?xthm芯片電熱元件裝置，其特征在于，它包括筒狀基板及其表面設置的稀土厚膜介質層、稀土厚膜電阻電路和稀土厚膜電極，筒狀基板內設置有流道，稀土厚膜電阻電路設置在稀土厚膜介質層上，并與稀土厚膜電極連接。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王晨，謝軒，
申請(專利權)人：佛山市海辰科技有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44