【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】SiBNC陶瓷前體聚合物的一鍋法合成 本專利技術涉及SiBNC陶瓷前體聚合物的一鍋法合成。 已經開發了無定形SiBNC陶瓷作為新的高溫材料,從而挑戰二元化合物SiC 和Si3N4。至少高至1700°C時它們顯示出高的抗結晶性,和高至1500°C顯示出高的氧 化穩定性,這是因為形成了 Si02/BN 雙層[Η· -P. Baldus,M. Jansen,D. Sporn,Ceramic fibers for matrix composites in high-temperature engine applications, Science,285,699-703, 1999 ;H. -P. Baldus, M. Jansen, Novel High-Performance Ceramics-Amorphous Inorganic Networks from Molecular Precursors, Angew. Chem. Int.Ed.,328-343,1997]。關于這一性能的組合,它們甚至超越了結晶的二元體系。與 SiC 或 Si3N4 的 3. 2g/cm3 相比,1. 8g/cm3 的低密度[K. A. Schwetz,Silicon carbide based hard materials, in:R. Riedel(Ed.), Handbook of ceramic hard materials, Wiley-VCH Verlag GmbH, Weinheim, 2000, 683-748 ;A. F. Holleman, E. Wiberg, ...
【技術保護點】
生產陶瓷前體聚合物的方法,該方法包括使選自SiHalxR4?x,BHalyR'y?3,TiHalxR4?x,AlHalyR'3?y,GaHalyR'3?y,lnHalyR'3?y,GeHalxR4?x,PHalyR'3?y,PHalzR5?z,ZrHalxR4?x,VHalyR'3?y,VHalxR4?x,NbHalzR5?z,TaHalzR5?z,CrHalyR'3?y,MoHalxR4?x,MoHalzR5?z,WHalzR6?z,FeHalyR'3?y或ZnCl2中的至少兩種化合物的混合物,其中x是1?4的整數,y是1?3的整數,z是1?5的整數,R是氫或烴殘基,R'是氫或烴殘基和Hal是鹵素,與伯胺R1?NH2反應,其中R1是烴殘基。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2011.12.09 EP 11192809.91. 生產陶瓷前體聚合物的方法,該方法包括使選自SiHalxR4_x,BHal yR'y_3, TiHalxR4_x, AlHalyR' 3_y, GaHalyR' 3_y, lnHalyR' 3_y, GeHalxR4_x, PHalyR' 3_y, PHalzR5_z, ZrHalxR4_x, VHalyR' 3_y, VHalxR4_x, NbHalzR5_z, TaHalzR5_z, CrHalyR' 3_y, MoHalxR4_x, MoHalzR5_z, WHalzR6_z, FeHalyR' 3_y 或 ZnCl2中的至少兩種化合物的混合物, 其中X是1-4的整數, y是1-3的整數, z是1-5的整數, R是氫或烴殘基, R'是氫或烴殘基和 Hal是齒素, 與伯胺#-順2反應, 其中R1是烴殘基。2. 權利要求1的生產陶瓷前體聚合物的方法,該方法包括使SiHalxR4_x和選自 BHalyR' 3_y, TiHalxR4_x, AlHalyR' 3_y, GaHalyR' 3_y, lnHalyR' 3_y, GeHalxR4_x, PHalyR' 3_y, PHalzR5_z, ZrHalxR4_x,VHalyR' 3_y,VHalxR4_x,NbHal zR5_z,TaHalzR5_ z,CrHalyR' 3_y,MoHalxR4_x,MoHal zR5_z, WHalzR6_z,FeHalyR' 3_y或ZnCl2中的至少一種化合物的混合物, 其中X是1-4的整數, y是1-3的整數, z是1-5的整數, R是氫或烴殘基, R'是氫或烴殘基和 Hal是齒素, 與伯胺#-順2反應, 其中R1是烴殘基。3. 權利要求1的生產陶瓷前體聚合物的方法,該方法包括使BHalyR'3_y和選自 SiHalxR4_x, TiHalxR4_x, AlHalyR' 3_y, GaHalyR' 3_y,...
【專利技術屬性】
技術研發人員:J·維爾費特,M·揚森,
申請(專利權)人:馬普科技促進協會,
類型:發明
國別省市:德國;DE
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