元件基板及其制造方法技術(shù)

一種元件基板及其制造方法。元件基板包含基底以及圖案化遮光層。圖案化遮光層位于基底上，圖案化遮光層具有多個像素開口以及多個第一曝光開口，且每一第一曝光開口與每一像素開口的面積或/且形狀不同。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
元件基板及其制造方法
本專利技術(shù)涉及一種元件基板及其制造方法，且特別涉及一種具有曝光開口的元件基板及其制造方法。
技術(shù)介紹
近年來，隨著信息技術(shù)、無線移動通訊和信息家電的快速發(fā)展與應(yīng)用，為了達到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多信息產(chǎn)品已由傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標等輸入裝置，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂糜|控顯示面板作為輸入裝置，其中觸控顯示面板更為現(xiàn)今最流行的產(chǎn)品。現(xiàn)有的觸控顯示面板主要是由主動元件陣列基板、對向基板(例如彩色濾光基板)以及配置于上述二基板之間的顯示介質(zhì)所組成。再者，多個主間隙物以及多個次間隙物位于主動元件陣列基板與對向基板之間，且例如是可配置于對向基板或主動元件陣列基板上。在現(xiàn)有的觸控顯示面板的元件基板(例如對向基板、彩色濾光基板或主動元件陣列基板等)的制造方法中，需要藉由相轉(zhuǎn)移光罩(phaseshiftmask)、半調(diào)式光罩(halftonemask)或灰階光罩(graytonemask)來制作出高度不同的主間隙物及次間隙物。然而，間隙物的材料一般為透明材料且UV透光率高，因此曝光量要很低才能達到高段差(即高度差大)的需求，但此段差的控制能力受限于相轉(zhuǎn)移光罩、半調(diào)式光罩或灰階光罩在低穿透時的穩(wěn)定度。再者，由于相轉(zhuǎn)移光罩、半調(diào)式光罩或灰階光罩在出廠后透光率已為固定值，因此會使得曝光量的可調(diào)整范圍亦受限。此外，相轉(zhuǎn)移光罩、半調(diào)式光罩或灰階光罩還具有成本昂貴以及備料時間較長等問題。因此，如何可用一般的光罩(亦即，不使用相轉(zhuǎn)移光罩、半調(diào)式光罩或灰階光罩)來制作出高度不同的主間隙物及次間隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，實為目前顯示面板的生產(chǎn)技術(shù)上亟待克服的課題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種元件基板及其制造方法，可用一般的光罩來制作出高度不同的主間隙物及次間隙物且具有良好的段差控制能力。本專利技術(shù)提出一種元件基板，包含基底以及圖案化遮光層。圖案化遮光層位于基底上，圖案化遮光層具有多個像素開口以及多個第一曝光開口，且每一第一曝光開口與每一像素開口的面積或/且形狀不同。本專利技術(shù)另提出一種元件基板，具有多個次像素區(qū)，且元件基板包含基底以及多個間隙物。多個間隙物配置于基底上，間隙物的材料包含光敏材料。各間隙物具有頂部、連接部以及底部，連接部位于頂部與底部之間，其中連接部的光敏材料的交聯(lián)密度小于或等于頂部及底部中至少一個的光敏材料的交聯(lián)密度，或者是連接部的光敏材料的分解強度大于或等于頂部及底部中至少一個的光敏材料的分解強度。本專利技術(shù)又提出一種元件基板的制造方法，其包含以下步驟。提供基底。形成圖案化遮光層于基底上，圖案化遮光層具有多個像素開口以及多個第一曝光開口，且每一第一曝光開口與每一像素開口的面積或/且形狀不同。形成光阻材料層于圖案化遮光層上。對光阻材料層進行曝光工藝與顯影工藝，以形成多個第一間隙物于基底上，其中第一間隙物的垂直投影分別與第一曝光開口重疊。基于上述，除了可用一般的光罩為遮罩對光阻材料層進行正曝之外，還可以圖案化遮光層為遮罩對光阻材料層進行背曝，其中光阻材料層可為負型光阻或正型光阻。如此一來，可藉由正曝、背曝、不曝光及顯影等步驟的搭配使用不同曝光劑量(飽和曝光/非飽和曝光)或不同波長組成的控制，以制作出高度不同的主間隙物及次間隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，故根據(jù)本專利技術(shù)的元件基板及其制造方法具有成本較低以及工藝簡易等優(yōu)點。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本專利技術(shù)進行詳細描述，但不作為對本專利技術(shù)的限定。附圖說明圖1A為依照本專利技術(shù)的第一實施例的元件基板的俯視示意圖；圖1B為圖1A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖2A至圖2D為圖1B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖3A為依照本專利技術(shù)的第二實施例的元件基板的俯視示意圖；圖3B為圖3A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖4A至圖4D為圖3B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖5A及圖5B為依照本專利技術(shù)的其他實施例的元件基板的剖視示意圖；圖6A為依照本專利技術(shù)的第三實施例的元件基板的俯視示意圖；圖6B為圖6A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖7A至圖7D為圖6B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖8A為依照本專利技術(shù)的第四實施例的元件基板的俯視示意圖；圖8B為圖8A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖9A至圖9D為圖8B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖10A為依照本專利技術(shù)的第五實施例的元件基板的俯視示意圖；圖10B為圖10A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖11A至圖11D為圖10B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖12A為依照本專利技術(shù)的第六實施例的元件基板的俯視示意圖；圖12B為圖12A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖13A至圖13D為圖12B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖14A為依照本專利技術(shù)的第七實施例的元件基板的俯視示意圖；圖14B為圖14A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖15A至圖15D為圖14B的元件基板的制造方法的剖視示意圖；圖16A為依照本專利技術(shù)的第八實施例的元件基板的俯視示意圖；圖16B為圖16A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖；圖17A至圖17D為圖16B的元件基板的制造方法的剖視示意圖。其中，附圖標記100A～100D、200A～200D：元件基板110：基底110a：第一側(cè)110b：第二側(cè)120：圖案化遮光層122：像素開口124：第一曝光開口126：第二曝光開口128：透光圖案130：彩色濾光圖案140：透明層150、150’、250、250’、250”、250’”：光阻材料層160、260、360、460、560、660、760、860：光罩170、270：第一間隙物170a、280a：第一部分170b、280b：第二部分172、172a、172b、182、192、272、282、282a、282b、292：頂部174、174a、174b、184、194、274、284、284a、284b、294：連接部176、176a、176b、186、196、276、286、286a、286b、296：底部180、280：第二間隙物190、290：第三間隙物H1、H1’、H2、H2’、H3：高度I-I’：線PR：次像素區(qū)UV1、UV2：曝光W1、W2、W3：寬度具體實施方式下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：圖1A為依照本專利技術(shù)的第一實施例的元件基板的俯視示意圖，而圖1B為圖1A的元件基板沿線I-I’的剖視示意圖。在本實施例中，元件基板100A例如是彩色濾光基板、對向基板、主動元件陣列基板或其他合適的元件基板。在下文中，本專利技術(shù)的實施例將以元件基板100A為觸控顯示面板的彩色濾光基板為例來說明，但并非用以限定本專利技術(shù)，其中所述觸控顯示面板的顯示面板例如是液晶顯示面板、有機發(fā)光二極管顯示面板、電泳顯示面板或等離子顯示面板等。請同時參照圖1A及圖1B，元件基板100A具有多個次像素區(qū)PR，且所述次像素區(qū)PR以矩陣方式排列。再者，元件基板100A包括基底110、圖案化遮光層120、多個彩色濾光圖案130、透明層140、多個第一間隙物170以及多個第二間隙物180。基底110具有相對設(shè)置的第一側(cè)110a以及第二側(cè)110b，其中第一側(cè)110a例如是朝向主動元件陣列基板(未繪示)的一側(cè)。基底110的材料例本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種元件基板，其特征在于，包含：一基底；以及一圖案化遮光層，位于該基底上，該圖案化遮光層具有多個像素開口以及多個第一曝光開口，且每一第一曝光開口與每一像素開口的面積或/且形狀為不同。

【技術(shù)特征摘要】
2014.04.10 TW 1031132061.一種元件基板的制造方法，其特征在于，包含：提供一基底；形成一圖案化遮光層于該基底上，該圖案化遮光層具有多個像素開口以及多個第一曝光開口，且每一第一曝光開口與每一像素開口的面積或/且形狀為不同；形成一光阻材料層于該圖案化遮光層上；以及對該光阻材料層進行正曝的曝光工藝與顯影工藝以及背曝的曝光工藝，以形成多個第一間隙物與多個第二間隙物于該基底上，其中該些第一間隙物的垂直投影分別與該些第一曝光開口重疊，該些第二間隙物的垂直投影分別位于該些第一曝光開口之外。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該光阻材料層為負型光阻，所述對該光阻材料層進行曝光工藝與顯影工藝的步驟包含：(a)提供一光罩于該光阻材料層上，以該光罩為遮罩對該光阻材料層進行曝光；(b)對該曝光后的光阻材料層進行顯影；以及(c)以該圖案化遮光層為遮罩對該光阻材料層進行曝光；其中藉由步驟(a)與(b)形成多個第二間隙物，并且藉由步驟(a)、(b)、(c)形成該些第一間隙物，該些第二間隙物的垂直投影分別位于該些第一曝光開口之外，該些第一間隙物的高度大于該些第二間隙物的高度，其中步驟(a)與(c)中的曝光具有不同的曝光劑量或具有不同的波長。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(a)先于該步驟(c)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(c)先于該步驟(a)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該光阻材料層為正型光阻，所述對該光阻材料層進行曝光工藝與顯影工藝的步驟包含：(a)提供一光罩于該光阻材料層上，以該光罩為遮罩對該光阻材料層進行曝光；(b)以該圖案化遮光層為遮罩對該光阻材料層進行曝光；以及(c)對該曝光后的光阻材料層進行顯影；其中藉由步驟(a)與(c)形成多個第二間隙物，并且藉由步驟(a)、(b)、(c)形成該些第一間隙物，該些第二間隙物的垂直投影分別位于該些第一曝光開口之外，該些第二間隙物的高度大于該些第一間隙物的高度。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(a)先于該步驟(b)，且該步驟(c)位于該步驟(a)以及(b)之后。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(b)先于該步驟(a)，且該步驟(c)位于該步驟(a)以及(b)之后。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該光阻材料層為負型光阻，所述對該光阻材料層進行曝光工藝與顯影工藝的步驟包含：(a)提供一光罩于該光阻材料層上，以該光罩為遮罩對該光阻材料層進行曝光；(b)對該曝光后的光阻材料層進行顯影；以及(c)以該圖案化遮光層為遮罩對該光阻材料層進行曝光；其中藉由步驟(a)與(b)形成多個第二間隙物，并且藉由步驟(a)、(b)、(c)形成該些第一間隙物，該些第二間隙物的垂直投影分別位于該些第一曝光開口之外，其中各該第一間隙物具有一第一部分以及連接于該第一部分外圍的一第二部分，該第一部分在該圖案化遮光層上的垂直投影與相應(yīng)的該第一曝光開口重疊，該第二部分在該圖案化遮光層上的垂直投影位于相應(yīng)的該第一曝光開口的外，該些第一間隙物的高度大于該些第二間隙物的高度，且該第一部分的高度大于該第二部分的高度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(a)先于該步驟(c)。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(c)先于該步驟(a)。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該圖案化遮光層更具有多個第二曝光開口，該光阻材料層為正型光阻，所述對該光阻材料層進行曝光工藝與顯影工藝的步驟包含：(a)提供一光罩于該光阻材料層上，以該光罩為遮罩對該光阻材料層進行曝光；(b)以該圖案化遮光層為遮罩對該光阻材料層進行曝光；以及(c)對該曝光后的光阻材料層進行顯影；其中藉由步驟(a)、(b)、(c)形成該些第一間隙物以及多個第二間隙物，該些第二間隙物的垂直投影分別位于該些第一曝光開口之外，各該第二間隙物具有一第一部分以及連接于該第一部分外圍的一第二部分，該第二部分在該圖案化遮光層上的垂直投影與相應(yīng)的該第二曝光開口重疊，該些第二間隙物的高度大于該些第一間隙物的高度，且該第一部分的高度大于該第二部分的高度。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(a)先于該步驟(b)，且該步驟(c)位于該步驟(a)以及(b)之后。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的元件基板的制造方法，其特征在于，該步驟(b)先于該步...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：裴鍇，
申請(專利權(quán))人：友達光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：中國臺灣;71