本發明專利技術提供半導體發光裝置，其特征在于，具備：層疊結構體，其包含發光層、第1包覆層以及第2包覆層；第1電極，其與上述第1包覆層連接；第2電極，其與上述第2包覆層連接；以及第3電極，其與上述第2包覆層連接，上述層疊結構體具有光波導，上述光波導包括：直線波導部，其沿相對于上述層疊結構體的前端面的法線傾斜的直線，且從光射出部延伸；以及曲線波導部，其包含具備具有曲率的形狀的曲線波導，注入到上述直線波導部的電流密度比注入到上述曲線波導部的電流密度大。
【技術實現步驟摘要】
半導體發光裝置、超輻射發光二極管以及投影儀
本專利技術涉及半導體發光裝置、超輻射發光二極管以及投影儀。
技術介紹
超福射發光二極管(Super Luminescent Diode,以下也稱為“SLD”)是與普通的發光二極管同樣顯示出非相干性，并且顯示出寬帶的頻譜形狀，并且在光輸出特性中與半導體激光器同樣能夠以單一的元件得到數百mW左右的輸出的半導體發光裝置。SLD例如被使用作投影儀的光源。為了實現小型、高亮度的投影儀，需要提高光源的發光效率以及減少光學系統的損失、部件數的減少等。通過使用SLD作為光源，能夠減少顏色分離光學系統所需要的二向色鏡、半導體激光器的安全性的確保以及斑點噪聲的降低所需要的旋轉擴散板。例如，專利文獻I公開了具有具備了直線波導部和曲線波導部的光波導的SLD。專利文獻1:日本特開2012 - 43950號公報然而，在上述那樣的SLD中，在活性層內傳導的光朝向光射出部側(反射率較小的偵D呈指數函數地被放大。因此，在光射出部側，相對于光，載流子相對來說變得不足。由此，存在產生增益飽和，光輸出降低的情況。
技術實現思路
本專利技術的幾個方式所涉及的目的之一在于提供能夠抑制因增益飽和而光輸出降低的半導體發光裝置。另外，本專利技術的幾個方式所涉及的目的之一在于提供包含上述半導體發光裝置的投影儀。本專利技術的半導體發光裝置具備:層疊結構體，其包括發光層以及夾著上述發光層的第I包覆層以及第2包覆層；第I電極，其與上述第I包覆層電連接；第2電極，其與上述第2包覆層電連接；以及第3電極，其與上述第2包覆層電連接，且配置于與配置有上述第2電極的位置不同的位置，上述層疊結構體具有光波導，上述光波導包括:直線波導部，其沿著相對上述層疊結構體的前端面的法線傾斜的直線，從設置于上述層疊結構體的前端面的光射出部延伸；以及曲線波導部，其與上述直線波導部連接，并且包含具備具有曲率的形狀的曲線波導，注入到位于上述第I電極與上述第2電極之間的上述直線波導部的電流密度比注入到位于上述第I電極與上述第3電極之間的上述曲線波導部的電流密度大。根據這樣的半導體發光裝置，能夠抑制因增益飽和而光輸出降低。并且，根據半導體發光裝置，能夠不構成直接的諧振器，能夠抑制光波導產生的光的激光振蕩。因此，能夠減少斑點噪聲。此外，在本專利技術所涉及的記載中，將“電連接”這樣的語句例如用于與“確定的部件(以下稱為“A部件”)“電連接”的其他的確定的部件(以下稱為“B部件”)”等。在本專利技術所涉及的記載中，在該例這樣的情況下，使用“電連接”這樣的語句，作為包括A部件與B部件直接接觸地電連接這樣的情況、和A部件與B部件經由其他部件電連接這樣的情況的意思。在本專利技術所涉及的半導體發光裝置中，注入到位于上述第I電極與上述第2電極之間的上述直線波導部的電流密度也可以比注入到位于上述第I電極與上述第3電極之間的上述直線波導部的電流密度大。根據這樣的半導體發光裝置，能夠抑制因增益飽和而導致的光輸出降低。在本專利技術所涉及的半導體發光裝置中，上述光波導也可以被設置成從上述層疊結構體的前端面延伸至后端面。根據這樣的半導體發光裝置，能夠抑制因增益飽和而導致的光輸出降低。在本專利技術所涉及的半導體發光裝置中，上述曲線波導部也可以垂直地到達上述層疊結構體的后端面。根據這樣的半導體發光裝置，能夠減少設置于后端面的反射部中的光損失。在本專利技術所涉及的半導體發光裝置中，上述曲線波導部也可以形成在比上述光波導的中心更靠近上述層疊結構體的后端面側。根據這樣的半導體發光裝置，能夠減少曲線波導部中的光損失。在本專利技術所涉及的半導體發光裝置中，也可以在上述層疊結構體的后端面形成層疊了多個介電膜的高反射率膜。根據這樣的半導體發光裝置，在光波導內產生的光的波段中，能夠提高后端面的反射率，能夠具有光損失小的反射部。在本專利技術所涉及的半導體發光裝置中，也可以在上述層疊結構體的前端面形成有極低反射率膜，上述極低反射率膜是一層或者多層介電膜。根據這樣的半導體發光裝置，在光波導內所產生的光的波段中，能夠降低前端面的反射率，能夠具有光損失較小的光射出部。并且，根據這樣的半導體發光裝置，能夠不構成直接的諧振器，能夠抑制光波導產生的光的激光振蕩。本專利技術所涉及的投影儀包括:本專利技術所涉及的半導體發光裝置；光調制裝置，其根據圖像信息對從上述半導體發光裝置射出的光進行調制；以及投射裝置，其投射通過上述光調制裝置形成的圖像。根據這樣的投影儀，能夠包含能夠抑制因增益飽和而導致光輸出降低的半導體發光裝置。本專利技術所涉及的超輻射發光二極管是超輻射發光二極管，包括:直線波導，其從光射出部呈直線狀地延伸；以及曲線波導，其與上述直線波導連接，并且具備具有曲率的形狀，注入到上述直線波導的電流密度比注入到上述曲線波導的電流密度大。根據這樣的超輻射發光二極管，能夠抑制因增益飽和而導致光輸出降低。本專利技術所涉及的投影儀包括:本專利技術所涉及的超輻射發光二極管；光調制裝置，其根據圖像信息對從上述超輻射發光二極管射出的光進行調制；以及投射裝置，其投射通過上述光調制裝置形成的圖像。根據這樣的投影儀，能夠包括能夠抑制因增益飽和而導致光輸出降低的超輻射發光二極管。【附圖說明】圖1是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖2是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置的剖視圖。圖3是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置的剖視圖。圖4是示意性地表示光波導的延出方向上的位置和光密度以及注入電流密度的關系的圖。圖5是示意性地表示光波導的延出方向上的位置和光密度以及注入電流密度的關系的圖。圖6是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置的制造工序的剖視圖。圖7是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置的制造工序的剖視圖。圖8是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置的制造工序的剖視圖。圖9是示意性地表示第I實施方式的第I變形例所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖10是示意性地表示第I實施方式的第2變形例所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖11是示意性地表示第I實施方式的第3變形例所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖12是示意性地表示第2實施方式所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖13是示意性地表示第2實施方式的第I變形例所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖14是示意性地表示第2實施方式的第2變形例所涉及的半導體發光裝置的俯視圖。圖15是示意性地表示第3實施方式所涉及的投影儀的圖。圖16是示意性地表示第3實施方式所涉及的投影儀的圖。【具體實施方式】以下，使用附圖對本專利技術的優選實施方式進行詳細的說明。此外，以下說明的實施方式并不對權利要求書所記載的本專利技術的內容進行不當的限定。另外，以下說明的構成的全部未必均是本專利技術的必須構成要素。1.第I實施方式1.1.半導體發光裝置首先，參照附圖對第I實施方式所涉及的半導體發光裝置進行說明。圖1是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置100的俯視圖。圖2是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置100的圖1的II 一 II線剖視圖。圖3是示意性地表示第I實施方式所涉及的半導體發光裝置100的圖1的II1-1II線剖視圖。以下，對半導體發光裝置100為使用了氮化物半導體的、輸出波長為450nm的藍色本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種半導體發光裝置，其特征在于，具備：層疊結構體，其包括發光層以及夾著所述發光層的第1包覆層和第2包覆層；第1電極，其與所述第1包覆層電連接；第2電極，其與所述第2包覆層電連接；以及第3電極，其與所述第2包覆層電連接，且配置于與配置了所述第2電極的位置不同的位置，所述層疊結構體具有光波導，所述光波導包括：直線波導部，其沿著相對于所述層疊結構體的前端面的法線傾斜的直線，從設置于所述層疊結構體的前端面的光射出部延伸；以及曲線波導部，其與所述直線波導部連接，并且包含具備具有曲率的形狀的曲線波導，注入到位于所述第1電極與所述第2電極之間的所述直線波導部的電流密度比注入到位于所述第1電極與所述第3電極之間的所述曲線波導部的電流密度大。
【技術特征摘要】
2013.02.27 JP 2013-0367711.一種半導體發光裝置，其特征在于，具備: 層疊結構體，其包括發光層以及夾著所述發光層的第I包覆層和第2包覆層； 第I電極，其與所述第I包覆層電連接； 第2電極，其與所述第2包覆層電連接；以及 第3電極，其與所述第2包覆層電連接，且配置于與配置了所述第2電極的位置不同的位置， 所述層疊結構體具有光波導， 所述光波導包括: 直線波導部，其沿著相對于所述層疊結構體的前端面的法線傾斜的直線，從設置于所述層疊結構體的前端面的光射出部延伸；以及 曲線波導部，其與所述直線波導部連接，并且包含具備具有曲率的形狀的曲線波導，注入到位于所述第I電極與所述第2電極之間的所述直線波導部的電流密度比注入到位于所述第I電極與所述第3電極之間的所述曲線波導部的電流密度大。2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于， 注入到位于所述第I電極與所述第2電極之間的所述直線波導部的電流密度比注入到位于所述第I電極與所述第3電極之間的所述直線波導部的電流密度大。3.根據權利要求1或者2所述的半導體發光裝置，其特征在于， 所述光波導被設置成從所述層疊結構體的前端面延伸至后端面。4.根據權利要求1?3中的任意一項所述的半導體發光裝置...
【專利技術屬性】
技術研發人員：西岡大毅，
申請(專利權)人：精工愛普生株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。