一種高強度的磁芯制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種高強度的磁芯，磁芯呈E字型結(jié)構(gòu)，包括本體和從本體的同一方向伸出的并列設(shè)置的第一伸出臂、第二伸出臂和第三伸出臂，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂與本體的連接處采用弧形過渡結(jié)構(gòu)；弧形過渡結(jié)構(gòu)的表面采用噴丸工藝處理形成晶粒尺寸從淺至深呈梯度分布的結(jié)構(gòu)：0～0.04mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為20～40nm；0.04～0.1mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為30～80nm；0.1～0.2mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為60～150nm。三層不同大小的晶粒配合使得磁芯的各連接部硬度高，彈性應(yīng)變大，能夠適應(yīng)溫度驟降或者驟升，保證磁芯的各連接部的結(jié)構(gòu)完整性，保證供電質(zhì)量。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種高強度的磁芯
本技術(shù)涉及電磁轉(zhuǎn)化輔助設(shè)備
，尤其涉及一種高強度的磁芯。
技術(shù)介紹
磁芯廣泛應(yīng)用于變壓器、扼流圈、逆變器、轉(zhuǎn)換器和其它各種需要電磁轉(zhuǎn)化的場合，其性能優(yōu)劣直接決定了電磁轉(zhuǎn)化的效率，其可靠性直接影響供電的質(zhì)量。磁芯是指由各種氧化鐵混合物組成的一種燒結(jié)磁性金屬氧化物。由于材料硬度比較高，彈性應(yīng)變小，所以也比較脆，在電磁轉(zhuǎn)化的工作過程中遇到溫度驟降或者驟升時，磁芯的各連接部容易斷裂，導(dǎo)致供電質(zhì)量差，甚至出現(xiàn)無法供電的情形。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提出一種高強度的磁芯，磁芯的各連接部硬度比較高，且同時彈性應(yīng)變比較大，能夠適應(yīng)電磁轉(zhuǎn)化的工作過程中遇到的溫度驟降或者驟升，保證磁芯的各連接部的結(jié)構(gòu)完整性，保證供電質(zhì)量。為達(dá)此目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案:—種高強度的磁芯,包括本體和并列設(shè)置的第一伸出臂、第二伸出臂和第三伸出臂，第一伸出臂、第二伸出臂和第三伸出臂大致沿同一方向從本體伸出，第一伸出臂、第二伸出臂第三伸出臂和本體組成E字形結(jié)構(gòu)，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂與本體的連接處采用弧形過渡結(jié)構(gòu)；弧形過渡結(jié)構(gòu)的表面采用噴丸工藝處理形成晶粒尺寸從淺至深呈梯度分布的結(jié)構(gòu):0?0.04mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為20?40nm ；0.04?0.1mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為30?80nm ；0.1?0.2mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為60?150nm。優(yōu)選的，第二伸出臂位于第一伸出臂和第三伸出臂之間；第二伸出臂的高度為第一伸出臂的高度的1.8?2.2倍；第一伸出臂、第二伸出臂和第三伸出臂的伸出長度和厚度相等。優(yōu)選的，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體的密度之比為1:0.95?0.98:1:1.02 ?1.08。優(yōu)選的，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體是采用壓鑄工藝一體成型的結(jié)構(gòu)；壓鑄時，控制第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體的壓鑄壓力獲得不同的密度。優(yōu)選的，本體的密度為磁芯材料的常規(guī)密度優(yōu)選的，第一伸出臂與本體垂直；第二伸出臂與本體垂直；第三伸出臂與本體垂直。優(yōu)選的，第一伸出臂與本體所成的角度為91?95° ;第二伸出臂與本體垂直；第三伸出臂與本體所成的角度為-91?-95°。優(yōu)選的，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體表面包括繞線部；繞線部采用激光燒蝕工藝燒制出深度不超過200 μ m的凹坑，凹坑的四周為高度不超過80 μ m的凸起，凹坑的直徑不大于300 μ m ;凹坑的分布密度不大于10個/mm2。優(yōu)選的，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體的主體材料為鐵鎳基非晶合金；第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體中分散有三維尺度不大于Imm的鐵基納米晶合金；第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂和本體中鐵基納米晶合金和鐵鎳基非晶合金的體積比分別為:0.1?0.2,0.15?0.4,0.1?0.2和0.4?0.5。優(yōu)選的，第一伸出臂1、第二伸出臂2、第三伸出臂3和本體4中鐵基納米晶合金和鐵鎳基非晶合金的體積比分別為:0.15?0.18,0.25?0.35,0.15?0.18和0.44?0.48。本技術(shù)的有益效果為:一種高強度的磁芯，包括本體和并列設(shè)置的第一伸出臂、第二伸出臂和第三伸出臂，第一伸出臂、第二伸出臂和第三伸出臂大致沿同一方向從本體伸出，第一伸出臂、第二伸出臂第三伸出臂和本體組成E字形結(jié)構(gòu)，第一伸出臂、第二伸出臂、第三伸出臂與本體的連接處采用弧形過渡結(jié)構(gòu)；弧形過渡結(jié)構(gòu)的表面采用噴丸工藝處理形成晶粒尺寸從淺至深呈梯度分布的結(jié)構(gòu):0?0.04mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為20?40nm ；0.04?0.1mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為30?80nm ；0.1?0.2mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為60?150nm。磁芯的各連接部采用噴丸工藝處理，使得表面的晶粒尺寸呈梯度分布，最外層的20?40nm的晶粒具有很大的強度，同時具有較好的延展性；最內(nèi)層的60?150nm的晶粒，硬度較小，但是可以發(fā)生較大的彈性應(yīng)變；中間層的30?SOnm的晶粒具有中等的強度和中等的延展性，保證了最外層與最內(nèi)層的變形協(xié)調(diào)性，從而使得磁芯的各連接部硬度比較高，且同時彈性應(yīng)變比較大，能夠適應(yīng)電磁轉(zhuǎn)化的工作過程中遇到的溫度驟降或者驟升，保證磁芯的各連接部的結(jié)構(gòu)完整性，保證供電質(zhì)量。【附圖說明】為了更清楚、有效地說明本技術(shù)實施例的技術(shù)方案，將實施例中所需要使用的附圖作簡單介紹，不言自明的是，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員來講，無需付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖做出其它附圖。圖1是本技術(shù)一種高強度的磁芯的實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1-第一伸出臂；2_第二伸出臂；3_第三伸出臂；4_本體。【具體實施方式】本技術(shù)提供了一種高強度的磁芯，為了使本領(lǐng)域中的技術(shù)人員更清楚的理解本技術(shù)方案，并使本技術(shù)上述的目的、特征、有益效果能夠更加明白、易懂，下面結(jié)合附圖1和【具體實施方式】對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。一種高強度的磁芯，包括本體4和并列設(shè)置的第一伸出臂1、第二伸出臂2和第三伸出臂3，第一伸出臂1、第二伸出臂2和第三伸出臂3大致沿同一方向從本體4伸出，第一伸出臂1、第二伸出臂2第三伸出臂3和本體4組成E字形結(jié)構(gòu)，第一伸出臂1、第二伸出臂2、第三伸出臂3與本體4的連接處采用弧形過渡結(jié)構(gòu)；弧形過渡結(jié)構(gòu)的表面采用噴丸工藝處理形成晶粒尺寸從淺至深按呈梯度分布的結(jié)構(gòu):0?0.04mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為20?40nm ；0.04?0.1mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為30?80nm ；0.1?0.2mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為60?150nm。磁芯的各連接部(弧形過渡結(jié)構(gòu))采用噴丸工藝處理，使得表面的晶粒尺寸呈梯度分布,最外層的20?40nm的晶粒具有很大的強度，同時具有較好的延展性；最內(nèi)層的60?150nm的晶粒，硬度較小，但是可以發(fā)生較大的彈性應(yīng)變；中間層的30?80nm的晶粒具有中等的強度和中等的延展性，保證了最外層與最內(nèi)層的變形協(xié)調(diào)性，從而使得磁芯的各連接部硬度比較高，且同時彈性應(yīng)變比較大，能夠適應(yīng)電磁轉(zhuǎn)化的工作過程中遇到的溫度驟降或者驟升，保證磁芯的各連接部的結(jié)構(gòu)完整性，保證供電質(zhì)量。本實施例中，第二伸出臂2位于第一伸出臂I和第三伸出臂3之間；第二伸出臂2的高度為第一伸出臂I的高度的1.8?2.2倍；第一伸出臂1、第二伸出臂2和第三伸出臂3的伸出長度和厚度相等。本實施例中，第一伸出臂1、第二伸出臂2、第三伸出臂3和本體4的密度之比為1:0.95 ?0.98:1:1.02 ?1.08。本實施例中，第一伸出臂1、第二伸出臂2、第三伸出臂3和本體4是采用壓鑄工藝一體成型的結(jié)構(gòu)；壓鑄時，控制第一伸出臂1、第二伸出臂2、第三伸出臂3和本體4的壓鑄壓力獲得不同的密度。本實施例中，本體4的密度為磁芯材料的常規(guī)密度本實施例中，第一伸出臂I與本體4垂直；第二伸出臂2與本體4垂直；第三伸出臂3與本體4垂直。本實施例中，第一伸出臂I與本體4所成的角度為91?95° ;第二伸出臂2與本體4垂直；第三伸出臂3與本體4所成的角度為-91?-95°。本實施例中，第一伸出臂1、第二伸出臂2、第三伸出臂3和本體4表面包括繞線部；繞線部采用激光燒蝕工本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種高強度的磁芯，包括本體(4)和并列設(shè)置的第一伸出臂(1)、第二伸出臂(2)和第三伸出臂(3)，第一伸出臂(1)、第二伸出臂(2)和第三伸出臂(3)大致沿同一方向從本體(4)伸出，第一伸出臂(1)、第二伸出臂(2)第三伸出臂(3)和本體(4)組成E字形結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一伸出臂(1)、第二伸出臂(2)、第三伸出臂(3)與本體(4)的連接處采用弧形過渡結(jié)構(gòu)；所述弧形過渡結(jié)構(gòu)的表面采用噴丸工藝處理形成晶粒尺寸從淺至深呈梯度分布的結(jié)構(gòu)：0～0.04mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為20～40nm；0.04～0.1mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為30～80nm；0.1～0.2mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為60～150nm。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種高強度的磁芯，包括本體⑷和并列設(shè)置的第一伸出臂(I)、第二伸出臂⑵和第三伸出臂(3)，第一伸出臂(I)、第二伸出臂(2)和第三伸出臂(3)大致沿同一方向從本體(4)伸出，第一伸出臂(I)、第二伸出臂(2)第三伸出臂(3)和本體(4)組成E字形結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一伸出臂(I)、第二伸出臂(2)、第三伸出臂(3)與本體(4)的連接處采用弧形過渡結(jié)構(gòu)；所述弧形過渡結(jié)構(gòu)的表面采用噴丸工藝處理形成晶粒尺寸從淺至深呈梯度分布的結(jié)構(gòu):0?0.04mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為20?40nm ；0.04?0.1mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為30?80nm ；0.1?0.2mm深度范圍內(nèi)，晶粒尺寸為60?150nm。2.如權(quán)利要求1所述的高強度的磁芯，其特征在于，所述第二伸出臂(2)位于第一伸出臂(I)和第三伸出臂(3)之間；所述第二伸出臂(2)的高度為第一伸出臂(I)的高度的1.8?2.2倍；所述第一伸出臂(I)、第二伸出臂(2)和第三伸出臂(3)的伸出長度和厚度相等。3.如權(quán)利要求2所述的高強度的磁芯，其特征在于，所述第一伸出臂(I)、第二伸出臂(2)、第三伸出臂(3)和本體(4)的密度之比為1:0.95?0.98:1:1.02?1.08。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王嘉隆，
申請(專利權(quán))人：昆山優(yōu)磁電子有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32