【技術實現步驟摘要】
一種電流采樣電路
[0001 ] 本技術涉及集成電路領域，特別涉及用于模擬集成電路中的電流采樣電路。
技術介紹
在集成電路的中，尤其是模擬集成電路中，為了檢測大電流，因為功耗等的要求需要對電流進行采樣后在進行檢測。而通常電流的采樣只能有一種采樣值。這樣的方案主要存在以下缺陷:因為只能采樣一種電流，所以它所能檢測的電流值只有一種，不便于實現多種電流值得采樣檢測。
技術實現思路
為了解決電流檢測電路只能采樣一種電流值，不便于實現多種電流值得采樣檢測的缺點。本技術的解決方案如下:一種電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采樣電阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs (8)的一端接采樣管NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源極，另一端接地。采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的導通狀態被信號分別控制，所述控制采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)導通狀態的信號由外部輸入管腳A (7)和管腳B (8)提供。本專利技術具有以下優點:電流采樣電路信號A和B由外部輸入第一管腳(7)和第二管腳(8)提供。實現多種限流值，方式簡單?！靖綀D說明】圖1為本專利技術的示意圖?！揪唧w實施方式】如圖1所示，Ml、M2、M3、M4為功率NMOS管。Ml為分流管，M2、M3、M4為采樣管。其中M1、M2柵極接電源...
【技術保護點】
一種電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管（3）、采樣功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）、采樣電阻Rs（8），分流功率NMOS管（3）和采樣功率NMOS管M2（4）、M3（5）和M4（6）的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管（3）和采樣功率NMOS管M2（4）的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs（8）的一端接采樣功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）的源極，另一端接地，其特征在于：采樣功率NMOS管M3（5）和M4（6）的導通狀態被信號分別控制，所述控制采樣功率NMOS管M3（5）和M4（6）導通狀態的信號由外部輸入管腳A（7）和管腳B（8）提供。
【技術特征摘要】
1.一種電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采樣電阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張俊，
申請(專利權)人：陜西易陽科技有限公司，
類型：新型
國別省市：陜西;61
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