顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備制造方法及圖紙

本發明專利技術提供分別能夠在不損害屏幕的一致性的情況下獲得高品質顯示圖像的一種顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備，所述顯示裝置設置有排列成矩陣形式的像素，且所述像素中的每一個包含：電光器件；晶體管；及電容器，所述電容器通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成，所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區，且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中，其中，在從所述電光器件發光期間，對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。

【技術實現步驟摘要】
顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備
本專利技術涉及一種顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備，且更具體而言，本專利技術涉及分別能夠在不損害屏幕的一致性的情況下獲得高品質顯示圖像的一種顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備。
技術介紹
有機EL(電致發光)顯示裝置、液晶顯示器(IXD)、等離子顯示面板(TOP)等等被廣泛稱為平板顯示裝置。某些有機EL顯示裝置快速地執行 閾值校正，其中，驅動晶體管的閾值電壓的變化得到校正，從而使得發光時段設定為更長(例如，參見第2009-294507號日本未經審查專利申請公開公報)。然而，在第2009-294507號日本未經審查專利申請公開公報中的顯示裝置中，由于增加了校正掃描信號AZ或對寫入掃描信號WS進行三元處理(ternary processing)而使得驅動器的成本提高，并且為了具有4Tr/lC配置而必須添加晶體管，因此，相應地造成成品率等等的下降。
技術實現思路
本專利技術期望在不損害屏幕的一致性的情況下以更簡單的配置來獲得高品質顯示圖像。根據本專利技術實施例，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置設置有排列成矩陣形式的像素，所述像素中的每一個包含:電光器件；晶體管；及電容器，所述電容器是通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成，所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區，且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中，其中，在從所述電光器件發光期間，對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。所述像素中的每一個包含作為所述電容器的用于保持圖像信號的信號電壓的保持電容器，且所述保持電容器的所述金屬層與寫入晶體管的柵電極設置于同一層中，所述寫入晶體管用于將所述信號電壓寫入到所述保持電容器。可在從所述電光器件發光期間對所述保持電容器的所述金屬層施加使所述保持電容器的所述電容值增大的電壓。所述像素中的每一個還包含作為所述電容器的輔助電容器，所述輔助電容器用作所述電光器件的等效電容的輔助，所述輔助電容器的所述金屬層與驅動晶體管的柵電極設置于同一層中，所述驅動晶體管用于驅動所述電光器件，且可在將所述信號電壓寫入到所述保持電容器期間，對所述輔助電容器的所述金屬層施加使所述輔助電容器的電容值增大的電壓?？稍趯λ鲵寗泳w管的閾值電壓進行校正期間分別對所述保持電容器的所述金屬層及所述輔助電容器的所述金屬層施加使所述保持電容器的所述電容值減小的電壓及使所述輔助電容器的所述電容值減小的電壓。所述金屬層與布線層可設置于同一層中。根據本專利技術實施例，提供一種驅動顯示裝置的方法，所述方法包括:制備顯示裝置，所述顯示裝置設置有排列成矩陣形式的像素，所述像素中的每一個包含電光器件、晶體管及電容器，所述電容器是通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成，所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區，且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中；及在從所述電光器件發光期間，對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。根據本專利技術實施例，提供一種電子設備，所述電子設備設有顯示裝置，所述顯示裝置包含排列成矩陣形式的像素，所述像素中的每一個包括:電光器件；晶體管；及電容器，所述電容器是通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成，所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區，且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中，其中，在從所述電光器件發光期間，對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。在本專利技術各實施例中，在從所述電光器件發光期間對所述金屬層施加使所述電容器的所述電容值增大的所述電壓。在本專利技術各實施例中，使得能夠在不損害屏幕的一致性的情況下以更簡單的配置來獲得高品質顯示圖像。應理解，上文總體說明及下文詳細說明均為例示性的，且旨在提供對所主張的技術的進一步解釋?！靖綀D說明】所包含的附圖用于對本專利技術提供進一步的理解，且并入本說明書并構成本說明書的一部分。附圖圖示了各實施例，且與本說明書一起用來解釋本專利技術的原理。圖1為圖示根據本專利技術實施例的有源矩陣顯示裝置的方塊圖。圖2為圖示像素電路的配置示例的圖。圖3為用于描述像素電路的操作的時序圖。圖4為用于描述驅動晶體管的遷移率的差異的圖。圖5為圖示具有頂柵結構的晶體管的剖面結構的剖面圖。圖6為圖示具有底柵結構的晶體管的剖面結構的剖面圖。圖7為用于描述對電容器的電容值的控制的時序圖。圖8為圖示像素電路的另一配置示例的圖。圖9為用于描述對電容器的電容值的控制的時序圖。圖10為圖示應用本專利技術實施例的電視機的外觀的圖。圖1lA及圖1lB為圖示應用本專利技術實施例的數碼相機的外觀的圖。圖12為圖示應用本專利技術實施例的筆記本式個人計算機的外觀的圖。圖13為圖示應用本專利技術實施例的數碼攝像機的外觀的圖。圖14為圖示應用本專利技術實施例的多功能蜂窩式電話的外觀的圖?！揪唧w實施方式】下面將參照附圖來闡述本專利技術的某些實施例。(顯示裝置的配置示例)圖1為圖示根據本專利技術實施例的有源矩陣顯示裝置的方塊圖。有源矩陣顯示裝置是用于通過有源器件來控制流過電光器件的電流的顯示裝置，所述有源器件例如是設置于包含電光器件的像素中的絕緣柵場效應晶體管。例如，可將薄膜晶體管(TFT)用作絕緣柵場效應晶體管。下面將闡述將有機EL器件用作像素(像素電路)的發光器件的有源矩陣有機EL顯示裝置的配置作為示例，所述有機EL器件為發光亮度隨著電流值而變化的電流驅動式電光器件。如圖1中所圖示，根據本專利技術實施例的有機EL顯示裝置I包含像素陣列部11、寫入掃描器12、驅動掃描器13、水平選擇器14、第一掃描器15及第二掃描器16。像素陣列部11由多個像素30構成，所述多個像素30各自包含有機EL器件且以二維排列成矩陣形式，且從寫入掃描器12到第二掃描器16的部件用作驅動像素陣列部11的像素30的驅動電路部。在有機EL顯示裝置I具有彩色顯示能力的情況下，作為用于形成彩色圖像的單位的一個像素(單位像素)是由多個子像素構成，且各個子像素對應于圖1中的各個像素30。更具體而言，在具有彩色顯示能力的顯示裝置中，一個像素可由例如三個子像素(即，發射紅(R)光的子像素、發射綠(G)光的子像素及發射藍(B)光的子像素)構成。然而，一個像素未必是由三種顏色RGB的子像素的組合構成，且可通過將一種顏色的子像素或多種顏色的子像素添加到三種顏色的子像素構成。更具體而言，為了提高亮度，一個像素可通過將發射白(W)光的子像素添加到三種顏色的子像素構成，或者為了擴大色彩再現范圍，一個像素可通過將一種或多種發射互補色光的子像素添加到三種顏色的子像素構成。在像素陣列部11中，掃描線31-1?31-m及電源線32_1?32_m在具有m行及η列像素30的矩陣中沿著行方向(像素行的像素排列方向)布線至各個像素行。此外，信號線33-1?33-η在具有m行及η列像素30的矩陣中沿著列方向(像素列的像素排列方向)布線至各個像素列。掃描線31-1?31-m連接至寫入掃描器12的對應行的各個輸出端。電源線32_1?32-m連接至驅動掃描器13的對應行的各個輸出端。信號線33-1?33_n連接至水平選擇器14的對應列的各個輸出端。此外，在像素陣列部11中，掃描線34-1?34-m及本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種顯示裝置，其設置有排列成矩陣形式的像素，所述像素中的每一個包括：電光器件；晶體管；及電容器，所述電容器通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成，所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區，且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中，其中，在從所述電光器件發光期間，對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。

【技術特征摘要】
2013.02.21 JP 2013-0320881.一種顯示裝置，其設置有排列成矩陣形式的像素，所述像素中的每一個包括: 電光器件； 晶體管；及 電容器，所述電容器通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成，所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區，且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中， 其中，在從所述電光器件發光期間，對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中， 所述像素中的每一個包含作為所述電容器的用于保持圖像信號的信號電壓的保持電容器，且 所述保持電容器的所述金屬層與寫入晶體管的柵電極設置于同一層中，所述寫入晶體管用于將所述信號電壓寫入到所述保持電容器。3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，在從所述電光器件發光期間，對所述保持電容器的所述金屬層施加使所述保持電容器的所述電容值增大的電壓。4.如權利要求3所述的顯示裝置，其中， 所述像素中的每一個還包含作為所述電容器的輔助電容器，所述輔助電容器用作所述電光器件的等效電容的輔助， 所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：多田羅智史，
申請(專利權)人：索尼公司，
類型：發明
國別省市：日本;JP