【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
生長氧化物單晶體的熱場裝置
本技術(shù)屬于晶體設(shè)備
，具體涉及一種生長氧化物單晶體的熱場裝置。
技術(shù)介紹
人工生產(chǎn)氧化物的單晶體，需要的生長溫度很高，制造過程中晶體需要在平恒穩(wěn)定高溫的環(huán)境中生長才不會炸裂，熱場裝置為晶體的生長提供必要的恒溫環(huán)境。現(xiàn)有技術(shù)中專利CN202830220U公開了一種提拉法晶體生長的熱場裝置，該技術(shù)中將觀察孔直接開在了保溫層上，隧道的長度較短，外界環(huán)境距離溫場內(nèi)部距離短，溫場內(nèi)部的溫度受到外界環(huán)境溫度的影響較大，容易引起溫場內(nèi)部溫度頻繁波動，保溫、恒溫效果不好，在溫度頻繁波動的溫場中提拉晶體，晶體容易炸裂，導致廢品率增高，生產(chǎn)成本增高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
針對現(xiàn)有技術(shù)中，生產(chǎn)氧化物的單晶體存在熱場裝置的恒溫、保溫效果不好，溫場內(nèi)部容易受到外界環(huán)境的影響，溫度頻繁波動，導致提拉晶體時晶體容易出現(xiàn)炸裂現(xiàn)象，本技術(shù)提供一種生長氧化物單晶體的熱場裝置，其技術(shù)方案如下:一種生長氧化物單晶體的熱場裝置，在坩堝外同心設(shè)置有感應(yīng)線圈，坩堝上方設(shè)有保溫罩，保溫罩呈圓筒形，保溫罩的筒壁上開有觀察隧道口，保溫罩上方安裝ZrO2蓋，保溫罩外安裝有Al2O3泡沫磚，觀察隧道口穿過Al2O3泡沫磚，坩堝外同心安裝有ZrO2保溫筒，保溫筒呈圓筒形，保溫筒由多塊疊裝在一起組成，保溫筒外安裝石英管，石英管由上下兩塊組裝在一起，在保溫筒和石英管之間安裝有氧化鋯粘層，坩堝底部下方疊裝有兩塊ZrO2底托，ZrO2底托呈長方形，ZrO2底托下方設(shè)有兩塊Al2O3底托，Al2O3底托呈倒置的杯形套裝在一起組成，Al2O3底托下方套裝石英底托，石英底托下方套裝黃銅底...
【技術(shù)保護點】
生長氧化物單晶體的熱場裝置，在坩堝（6）外同心設(shè)置有感應(yīng)線圈（8），坩堝（6）上方設(shè)有保溫罩（2），保溫罩（2）呈圓筒形，保溫罩（2）的筒壁上開有觀察隧道口（13），保溫罩（2）上方安裝ZrO2蓋（1）,其特征在于：保溫罩（2）外安裝有Al2O3泡沫磚（12），觀察隧道口（13）穿過AI2O3泡沫磚（12），坩堝（6）外同心安裝有ZrO2保溫筒（3），保溫筒（3）呈圓筒形，保溫筒（3）由多塊疊裝在一起組成，保溫筒（3）外安裝石英管（4），石英管（4）由上下兩塊組裝在一起，在保溫筒（3）和石英管（4）之間安裝有氧化鋯粘層（5），坩堝（6）底部下方疊裝有兩塊ZrO2底托（7），ZrO2底托（7）呈長方形，ZrO2底托（7）下方設(shè)有兩塊Al2O3底托（9），?Al2O3底托(9)呈倒置的杯形套裝在一起組成，Al2O3底托(9)下方套裝石英底托（10），石英底托（10）下方套裝黃銅底托（11）。
【技術(shù)特征摘要】
1.生長氧化物單晶體的熱場裝置，在坩堝(6)外同心設(shè)置有感應(yīng)線圈(8)，坩堝(6)上方設(shè)有保溫罩(2)，保溫罩(2)呈圓筒形，保溫罩(2)的筒壁上開有觀察隧道口(13)，保溫罩(2)上方安裝ZrO2蓋(1)，其特征在于:保溫罩(2)外安裝有Al2O3泡沫磚(12)，觀察隧道口(13)穿過AI2O3泡沫磚(12)，坩堝(6)外同心安裝有ZrO2保溫筒(3)，保溫筒(3)呈圓筒形，保溫筒(3)由多塊疊...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃永臣，白鳳周，劉鵬，黃楠，
申請(專利權(quán))人：玉溪市明珠晶體材料有限公司，
類型：新型
國別省市：云南;53
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