電感耦合等離子體處理裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種能夠使用金屬窗對(duì)大型被處理基板進(jìn)行均勻的等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置。該電感耦合等離子體處理裝置對(duì)矩形形狀的基板進(jìn)行電感耦合等離子體處理，包括：收納基板的處理室；用于在處理室生成電感耦合等離子體的高頻天線；和金屬窗，其配置在生成電感耦合等離子體的等離子體生成區(qū)域和高頻天線之間，與基板對(duì)應(yīng)地設(shè)置，金屬窗（2）由狹縫（7）分割為多個(gè)區(qū)域，具有與長(zhǎng)邊（2b）對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)邊側(cè)區(qū)域（202b）和與短邊（2a）對(duì)應(yīng)的短邊側(cè)區(qū)域（202a），狹縫中外側(cè)狹縫（71）具有與短邊側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的短邊側(cè)部分（71a）和與長(zhǎng)邊側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的長(zhǎng)邊側(cè)部分（71b），短邊側(cè)部分的寬度大于長(zhǎng)邊側(cè)部分的寬度。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
電感耦合等離子體處理裝置
本專利技術(shù)涉及對(duì)平板顯示器(FPD:Flat Panel Display)制造用的玻璃基板等被處理基板實(shí)施等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置。
技術(shù)介紹
在液晶顯示裝置(IXD)等平板顯示器(FPD)制造工序中，存在對(duì)玻璃基板進(jìn)行等離子體蝕刻、成膜處理等的等離子體處理的工序，為了進(jìn)行這樣的等離子體處理，能夠使用等離子體蝕刻裝置、等離子體CVD裝置等各種等離子體處理裝置。作為等離子體處理裝置，目前多使用電容耦合等離子體處理裝置，但最近，具有能夠在高真空度下得到高密度的等離子體的很大優(yōu)點(diǎn)的電感稱合等離子體(Inductively Coupled Plasma:ICP)處理裝置受到關(guān)注。電感耦合等離子體處理裝置在構(gòu)成收納被處理基板的處理室的頂壁的電介質(zhì)窗的上側(cè)配置高頻天線，對(duì)處理室內(nèi)供給處理氣體并且對(duì)該高頻天線供給高頻電力，由此在處理室內(nèi)產(chǎn)生電感耦合等離子體，并利用該電感耦合等離子體對(duì)被處理基板進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。作為電感耦合等離子體處理裝置的高頻天線，多用形成平面狀的規(guī)定圖案的平面天線。作為這樣的電感耦合等離子體處理裝置，例如已知在專利文獻(xiàn)I中公開的等離子體處理裝置。近來，被處理基板的尺寸正在大型化，例如在IXD用的矩形形狀玻璃基板中，短邊X長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度從約1500mmX約1800mm的尺寸向約2200mmX約2400mm的尺寸、進(jìn)一步向約2800mm X約3000mm的尺寸顯著大型化。伴隨著這樣的被處理基板的大型化，構(gòu)成電感耦合等離子體處理裝置的頂壁的電介質(zhì)窗也在大型化，但是電介質(zhì)窗一般采用石英或陶瓷之類脆的材料，因此不適于大型化。所以，例如如專利文獻(xiàn)2所記載的方式，通過分割石英玻璃來應(yīng)對(duì)電介質(zhì)窗的大型化。然而，面向被處理基板的進(jìn)一步大型化，利用專利文獻(xiàn)2所記載的分割電介質(zhì)窗的方法，也很難應(yīng)對(duì)大型化。于是，提出了將電介質(zhì)窗置換為金屬窗而增加強(qiáng)度，由此應(yīng)對(duì)被處理基板的大型化的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3)。另外，還提出了一種作為這種金屬窗，使用沿著其周方向進(jìn)行相互電絕緣地分割為兩個(gè)以上的第一分割，并且沿著與周方向交叉的方向進(jìn)行相互電絕緣地分割的第二分割的金屬窗，對(duì)于大型被處理基板，使等離子體分布的控制性良好的技術(shù)(專利文獻(xiàn)4)。在使用這種金屬窗的技術(shù)中，金屬窗不使磁力線透過，因此具有與使用電介質(zhì)窗的情況不同的機(jī)制?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本專利第3077009號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利第3609985號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開2011-29584號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2012-227427號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)想要解決的技術(shù)問題專利文獻(xiàn)3、4的技術(shù)雖然能夠應(yīng)對(duì)被處理基板的大型化，但由于等離子體產(chǎn)生的機(jī)制與電介質(zhì)窗的情況不同，因此金屬窗的大型化存在另外的問題。即，在采用具有這種金屬窗的等離子體處理裝置的情況下，等離子體的分布受到金屬窗的形狀、分割方式等影響，有在被處理基板的面內(nèi)處理速度難以變均勻的問題。特別是，在與矩形基板對(duì)應(yīng)地采用矩形形狀的金屬窗的情況下，在長(zhǎng)邊側(cè)和短邊側(cè)，窗的寬度不同，存在與窗的寬度較寬的短邊側(cè)相比、窗的寬度較窄的長(zhǎng)邊側(cè)一方的等離子體處理速度變高的傾向。因此，難以進(jìn)行均勻性聞的等尚子體處理。本專利技術(shù)是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠利用金屬窗對(duì)大型被處理基板進(jìn)行均勻的等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置。用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案為了解決上述問題，本專利技術(shù)的第一方面提供一種對(duì)基板實(shí)施電感耦合等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置的特征在于，包括:收納基板的處理室；用于在上述處理室內(nèi)的配置基板的區(qū)域生成電感耦合等離子體的高頻天線；和金屬窗，其配置在生成上述電感耦合等離子體的等離子體生成區(qū)域和上述高頻天線之間，與基板對(duì)應(yīng)地設(shè)置，其中，上述金屬窗由狹縫分割為多個(gè)區(qū)域，上述狹縫至少其一部分形成為寬度隨位置而不同，由此，能夠調(diào)整由供給至上述高頻天線的電流形成在上述處理室的感應(yīng)電場(chǎng)的分布。在上述第一方面，可以采用如下結(jié)構(gòu):上述金屬窗包括寬度相對(duì)較寬的區(qū)域和寬度相對(duì)較窄的區(qū)域，上述狹縫中與上述寬度相對(duì)較窄的區(qū)域?qū)?yīng)的部分的寬度比與上述寬度相對(duì)較寬的區(qū)域?qū)?yīng)的部分的寬度大。另外，能夠采用如下結(jié)構(gòu):上述金屬窗包括與上述金屬窗的長(zhǎng)邊對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)邊側(cè)區(qū)域和與上述金屬窗的短邊對(duì)應(yīng)的短邊側(cè)區(qū)域，上述狹縫包括與上述短邊側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的第一狹縫和與上述長(zhǎng)邊側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二狹縫，上述第一狹縫的寬度比上述第二狹縫的寬度大。此時(shí)，能夠采用如下結(jié)構(gòu):上述第一狹縫形成得與上述短邊平行，上述第二狹縫形成得與上述長(zhǎng)邊平行。能夠采用如下結(jié)構(gòu):上述狹縫包括與呈矩形形狀的上述金屬窗的外形同心狀的矩形狹縫，上述第一狹縫為上述矩形狹縫的短邊，上述第二狹縫為上述矩形狹縫的長(zhǎng)邊。此時(shí)，也可以采用如下結(jié)構(gòu):上述狹縫呈同心狀地包括多個(gè)上述矩形狹縫，上述矩形狹縫中至少最外側(cè)的矩形狹縫包括上述第一狹縫和上述第二狹縫。上述狹縫也可以包括與上述矩形狹縫交叉的方向的交叉狹縫。能夠采用如下結(jié)構(gòu):上述交叉狹縫為上述矩形狹縫的對(duì)角線狀。優(yōu)選上述第一狹縫和上述第二狹縫中的至少一方形成為與高頻天線的天線線材平行。能夠采用如下的結(jié)構(gòu):上述高頻天線設(shè)置成在與上述金屬窗對(duì)應(yīng)的面內(nèi)、上述天線線材在上述金屬窗的周方向上回轉(zhuǎn)走線。本專利技術(shù)的第二方面提供一種對(duì)基板實(shí)施電感耦合等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置的特征在于，包括:收納基板的處理室；用于在上述處理室內(nèi)的配置基板的區(qū)域生成電感耦合等離子體的高頻天線；和金屬窗，其配置在生成上述電感耦合等離子體的等離子體生成區(qū)域和上述高頻天線之間，與基板對(duì)應(yīng)地設(shè)置，其中，上述金屬窗由狹縫分割為多個(gè)區(qū)域，上述狹縫的至少一部分的寬度可變，使得能夠調(diào)整由供給至上述高頻天線的電流形成在上述處理室的感應(yīng)電場(chǎng)的分布。在上述第二方面，能夠采用如下結(jié)構(gòu):上述金屬窗包括寬度相對(duì)較寬的區(qū)域和寬度相對(duì)較窄的區(qū)域，上述狹縫的至少一部分的寬度可變，使得上述狹縫中與上述寬度相對(duì)較窄的區(qū)域?qū)?yīng)的部分的寬度比與上述寬度相對(duì)較寬的區(qū)域?qū)?yīng)的部分的寬度大。另外，能夠采用如下結(jié)構(gòu):上述狹縫中寬度可變的部分具有對(duì)上述狹縫的寬度進(jìn)行調(diào)整的蓋。此時(shí)，優(yōu)選上述蓋與由上述狹縫中寬度可變的部分分割而成的上述金屬窗的一方區(qū)域?qū)?，與另一方區(qū)域絕緣。專利技術(shù)效果根據(jù)本專利技術(shù)，將金屬窗以通過狹縫相互絕緣的方式分割為多個(gè)區(qū)域，使狹縫的至少一部分形成為寬度隨位置而不同，對(duì)由供給至高頻天線的電流形成在處理室內(nèi)的感應(yīng)電場(chǎng)的分布進(jìn)行調(diào)整。由此，在大型基板中，例如在長(zhǎng)邊側(cè)和短邊側(cè)窗的寬度不同，即使存在與窗的寬度較寬的短邊側(cè)相比、窗的寬度較窄的長(zhǎng)邊側(cè)一方的等離子體處理速度變高的傾向，也能夠利用金屬窗進(jìn)行均勻的等離子體處理。【附圖說明】圖1是概略地表示本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的電感耦合等離子體處理裝置的截面圖。圖2是表示本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的電感耦合等離子體處理裝置所使用的金屬窗和高頻天線的平面圖。圖3是表示本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的電感耦合等離子體的生成原理的圖。圖4是表示金屬窗的另一例的平面圖。圖5是表不聞?lì)l天線的另一例的平面圖。圖6是表示高頻天線的又一例的平面圖。圖7是表示對(duì)狹縫寬度和金屬窗的寬度對(duì)等離子體本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種對(duì)基板實(shí)施電感耦合等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置的特征在于，包括：收納基板的處理室；用于在所述處理室內(nèi)的配置基板的區(qū)域生成電感耦合等離子體的高頻天線；和金屬窗，其配置在生成所述電感耦合等離子體的等離子體生成區(qū)域和所述高頻天線之間，與基板對(duì)應(yīng)地設(shè)置，所述金屬窗由狹縫分割為多個(gè)區(qū)域，所述狹縫至少其一部分形成為寬度隨位置而不同，由此，能夠調(diào)整由供給至所述高頻天線的電流形成在所述處理室的感應(yīng)電場(chǎng)的分布。

【技術(shù)特征摘要】
2013.02.07 JP 2013-0225441.一種對(duì)基板實(shí)施電感耦合等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置的特征在于，包括: 收納基板的處理室； 用于在所述處理室內(nèi)的配置基板的區(qū)域生成電感耦合等離子體的高頻天線；和金屬窗，其配置在生成所述電感耦合等離子體的等離子體生成區(qū)域和所述高頻天線之間，與基板對(duì)應(yīng)地設(shè)置， 所述金屬窗由狹縫分割為多個(gè)區(qū)域，所述狹縫至少其一部分形成為寬度隨位置而不同，由此，能夠調(diào)整由供給至所述高頻天線的電流形成在所述處理室的感應(yīng)電場(chǎng)的分布。2.如權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于: 所述金屬窗包括寬度相對(duì)較寬的區(qū)域和寬度相對(duì)較窄的區(qū)域，所述狹縫中與所述寬度相對(duì)較窄的區(qū)域?qū)?yīng)的部分的寬度比與所述寬度相對(duì)較寬的區(qū)域?qū)?yīng)的部分的寬度大。3.如權(quán)利要求1或2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于: 所述金屬窗包括與所述金屬窗的長(zhǎng)邊對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)邊側(cè)區(qū)域和與所述金屬窗的短邊對(duì)應(yīng)的短邊側(cè)區(qū)域，所述狹縫包括與所述短邊側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的第一狹縫和與所述長(zhǎng)邊側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二狹縫，所述第一狹縫的寬度比所述第二狹縫的寬度大。4.如權(quán)利要求3所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于: 所述第一狹縫形成得 與所述短邊平行，所述第二狹縫形成得與所述長(zhǎng)邊平行。5.如權(quán)利要求3或4所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于: 所述狹縫包括與呈矩形形狀的所述金屬窗的外形同心狀的矩形狹縫，所述第一狹縫為所述矩形狹縫的短邊，所述第二狹縫為所述矩形狹縫的長(zhǎng)邊。6.如權(quán)利要求5所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于: 所述狹縫呈同心狀地包括多個(gè)所述矩形狹縫，所述矩形狹縫中至少最外側(cè)的矩形狹縫包括所述第一狹...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：山澤陽平，佐佐木和男，古屋敦城，齊藤均，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本;JP