本發(fā)明專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置和顯示裝置，其目的在于提供在施加諸如彎曲等的外力而產(chǎn)生應(yīng)力的情況下也降低晶體管等的損傷的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置包括：設(shè)置在具有撓性的襯底上的第一島狀加強(qiáng)膜；在第一島狀加強(qiáng)膜上具有溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜；在溝道形成區(qū)域的上方隔著柵極絕緣膜而設(shè)置的第一導(dǎo)電膜；以覆蓋第一導(dǎo)電膜及柵極絕緣膜的方式設(shè)置的第二島狀加強(qiáng)膜。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置和顯示裝置，其目的在于提供在施加諸如彎曲等的外力而產(chǎn)生應(yīng)力的情況下也降低晶體管等的損傷的半導(dǎo)體裝置。本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置包括：設(shè)置在具有撓性的襯底上的第一島狀加強(qiáng)膜；在第一島狀加強(qiáng)膜上具有溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜；在溝道形成區(qū)域的上方隔著柵極絕緣膜而設(shè)置的第一導(dǎo)電膜；以覆蓋第一導(dǎo)電膜及柵極絕緣膜的方式設(shè)置的第二島狀加強(qiáng)膜。【專利說明】半導(dǎo)體裝置和顯示裝置本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為“2008年12月2日”、申請(qǐng)?zhí)枮椤?00810183805.9”、題為“半導(dǎo)體裝置”的分案申請(qǐng)。
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置，而且特別涉及即使在施加外力的情況下也控制使設(shè)置于半導(dǎo)體裝置的晶體管等的元件受到損傷的半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)介紹
近年來，在塑料等具有撓性的襯底上設(shè)置由晶體管等構(gòu)成的集成電路的技術(shù)已引起關(guān)注。在具有撓性的襯底上設(shè)置集成電路而形成的半導(dǎo)體裝置與使用諸如半導(dǎo)體襯底或玻璃襯底等的襯底的情況相比可以實(shí)現(xiàn)輕量化、低成本等。因?yàn)榫哂袚闲缘陌雽?dǎo)體裝置可以彎曲等，所以被應(yīng)用到各種領(lǐng)域和地方。日本專利第4015002號(hào)日本專利申請(qǐng)公開2006-232449號(hào)公報(bào)日本專利申請(qǐng)公開2007-150179號(hào)公報(bào)然而，當(dāng)對(duì)具備將晶體管等元件設(shè)置于具有撓性的襯底上的集成電路的半導(dǎo)體裝置施加諸如彎曲等的外力時(shí)，會(huì)有如下問題:因產(chǎn)生于半導(dǎo)體裝置的應(yīng)力而使包括于該半導(dǎo)體裝置的晶體管等的元件受到損傷，而使晶體管等的元件的特性受到壞影響。另外，也會(huì)有如下問題:在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，因產(chǎn)生于晶體管等的元件的應(yīng)力而使該元件受到損傷，而降低產(chǎn)品的成品率。【專利
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
】鑒于上述問題，本專利技術(shù)的目的在于提供一種即使在對(duì)半導(dǎo)體裝置施加諸如彎曲等的外力的情況下也降低晶體管等的元件的損壞的半導(dǎo)體裝置。在根據(jù)本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置中設(shè)置加強(qiáng)膜，以便即使在半導(dǎo)體裝置的制造工序中或當(dāng)完成之后使用此時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體裝置施加諸如彎曲等的外力也抑制產(chǎn)生于晶體管等的元件的應(yīng)力。設(shè)置加強(qiáng)膜是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體裝置的厚度方向上，使對(duì)諸如彎曲等的變形不產(chǎn)生拉伸應(yīng)力或壓縮應(yīng)力等的應(yīng)力彎曲的中立面(沒有伸縮性的面)位于對(duì)半導(dǎo)體裝置優(yōu)選的區(qū)域。加強(qiáng)膜的特點(diǎn)在于其設(shè)置在構(gòu)成晶體管等的元件的半導(dǎo)體膜的上下方向上的區(qū)域中。加強(qiáng)膜既可以以與半導(dǎo)體膜接觸的方式設(shè)置，又可以隔著絕緣膜且以與半導(dǎo)體膜不接觸的方式設(shè)置。以下對(duì)半導(dǎo)體裝置的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置包括:設(shè)置在具有撓性的襯底上的第一島狀加強(qiáng)膜；在第一島狀加強(qiáng)膜上具有溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域的半導(dǎo)體膜；在溝道形成區(qū)域的上方隔著柵極絕緣膜而設(shè)置的第一導(dǎo)電膜；以覆蓋第一導(dǎo)電膜及上述柵極絕緣膜的方式設(shè)置的第二島狀加強(qiáng)膜；以覆蓋第二島狀加強(qiáng)膜及柵極絕緣膜的方式設(shè)置的層間絕緣膜；在層間絕緣膜上通過開口部與雜質(zhì)區(qū)域電連接而設(shè)置的第二導(dǎo)電膜，其中溝道形成區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)置在第一島狀加強(qiáng)膜和第二島狀加強(qiáng)膜之間。另外，第一島狀加強(qiáng)膜及第二島狀加強(qiáng)膜的特點(diǎn)在于其由與構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體膜的楊氏模量相比高的材料形成。具體而言，可以使用氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物等的材料。通過使用與半導(dǎo)體膜的楊氏模量相比高的材料而形成第一島狀加強(qiáng)膜及第二島狀加強(qiáng)膜，可以不改變半導(dǎo)體膜的性質(zhì)地提高半導(dǎo)體膜的機(jī)械強(qiáng)度且降低半導(dǎo)體膜的損傷。本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的特點(diǎn)還在于第一島狀加強(qiáng)膜的厚度為50nm以上且200nm以下，并且第二島狀加強(qiáng)膜的厚度為IOOnm以上且400nm以下。通過將加強(qiáng)膜設(shè)置于構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的晶體管等的元件，即使在半導(dǎo)體裝置的制造工序中或當(dāng)完成之后使用此時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體裝置施加諸如彎曲等的外力也可以抑制產(chǎn)生于晶體管等的元件的應(yīng)力。從而，可以降低晶體管等的元件的損傷，并且可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的成品率或可靠性的提高。【專利附圖】【附圖說明】圖1A至IC為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖2為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖3為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖4A至4E為表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的圖；圖5A至5C為表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的圖；圖6A及6B為表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的圖；圖7A及7B為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖8A至8D為表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的圖；圖9A及9B為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖1OA及IOB為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖11為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖12A至12C為表示半導(dǎo)體裝置的一例的圖；圖13A至13D為說明可以用于半導(dǎo)體裝置的天線的圖；圖14A至14C為表示半導(dǎo)體裝置的框圖的一例及使用方式的一例的圖；圖15A至15E為表示半導(dǎo)體裝置的使用方式的一例的圖；圖16A至16F為表示半導(dǎo)體裝置的使用方式的一例的圖；圖17為說明用于模擬的模型的圖；圖18A及18B為根據(jù)模擬求出來的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)力分布圖；圖19A及19B為根據(jù)模擬求出來的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)力分布圖；圖20A及20B為根據(jù)模擬求出來的溝道形成區(qū)域的應(yīng)力分布圖；圖21A及21B為根據(jù)模擬求出來的溝道形成區(qū)域的應(yīng)力分布圖。【具體實(shí)施方式】關(guān)于本專利技術(shù)的實(shí)施方式，以下使用【專利附圖】【附圖說明】。但是，本專利技術(shù)不局限于以下說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員容易理解，其方式和細(xì)節(jié)可以在不脫離本專利技術(shù)的宗旨及其范圍的條件下作各種各樣的變換。因此，本專利技術(shù)不應(yīng)該被解釋為僅限于以下所示的實(shí)施方式的記載內(nèi)容。注意，在以下所說明的本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)中，在不同附圖之間會(huì)共同使用相同的附圖標(biāo)記來表不相同的部分。實(shí)施方式I在本實(shí)施方式中，參照附圖對(duì)半導(dǎo)體裝置的一例進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中設(shè)置加強(qiáng)膜，以便在施加諸如彎曲等的外力的情況下也抑制產(chǎn)生于晶體管等的元件的應(yīng)力。在本實(shí)施方式中，作為其結(jié)構(gòu)的一例，對(duì)在構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體膜的上方及下方設(shè)置由其楊氏模量與半導(dǎo)體膜的楊氏模量相比高的材料形成的加強(qiáng)膜的情況進(jìn)行說明。圖1A至IC表示本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置的一例。注意，在圖1A至IC中，圖1A表示俯視圖，并且圖1B表示圖1A的沿A-B線的截面圖。圖1B所示的半導(dǎo)體裝置具有至少配備有半導(dǎo)體膜106、柵極絕緣膜107、用作柵電極的第一導(dǎo)電膜108、用于加強(qiáng)半導(dǎo)體膜106的加強(qiáng)膜103 (也寫為第一島狀加強(qiáng)膜)、加強(qiáng)膜109 (也寫為第二島狀加強(qiáng)膜)的薄膜晶體管100a、100b。在圖1B中，在加強(qiáng)膜103和加強(qiáng)膜109之間夾著半導(dǎo)體膜106的至少一部分。另外，在圖1A中，以覆蓋半導(dǎo)體膜106的方式設(shè)置有加強(qiáng)膜109。以覆蓋柵極絕緣膜107以及加強(qiáng)膜109的方式設(shè)置有絕緣膜110。進(jìn)而，在絕緣膜110上設(shè)置有可以用作薄膜晶體管100a、100b的源電極或漏電極的第二導(dǎo)電膜111。注意，在此表示在具有撓性的襯底101上隔著絕緣膜102設(shè)置薄膜晶體管IOOaUOOb的例子。半導(dǎo)體膜106配備有溝道形成區(qū)域106a、可以用作源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域106b。另外，雜質(zhì)區(qū)域106b中間夾著溝道形成區(qū)域106a且以彼此離間的狀態(tài)而設(shè)置。雜質(zhì)區(qū)域106b通過設(shè)置于絕緣膜110的開口部124與設(shè)置于絕緣膜110上的第二導(dǎo)電膜111電連接。加強(qiáng)膜103隔著絕緣膜104與構(gòu)成薄膜晶體管IOOaUOOb的半導(dǎo)體膜106重疊而設(shè)置。另外，加強(qiáng)膜103的面積設(shè)定得大于該半導(dǎo)體膜106的面積。加強(qiáng)膜10本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種半導(dǎo)體裝置，包括：具有撓性的襯底上的第一島狀膜，在所述第一島狀膜和所述襯底之間夾有第一絕緣膜；所述第一島狀膜上的半導(dǎo)體膜；所述半導(dǎo)體膜上的柵電極，在所述半導(dǎo)體膜和所述柵電極之間夾有柵極絕緣膜；以及所述柵電極上的第二島狀膜，所述第二島狀膜上的第二絕緣膜，所述第二絕緣膜上的導(dǎo)電膜，其中，所述半導(dǎo)體膜的整個(gè)區(qū)域與所述第一島狀膜重疊，其中，所述第二島狀膜與所述柵電極重疊，其中，在所述第二絕緣膜中設(shè)置有開口部，且其中，所述導(dǎo)電膜通過所述開口部電連接于所述半導(dǎo)體膜。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：山崎舜平，后藤裕吾，村川努，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP
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