【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種MEMS犧牲層刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一半導體結構；于所述半導體結構上制備犧牲層；于所述犧牲層上依次沉積氮化硅層和氧化硅層；回蝕部分所述氧化硅層至所述氮化硅層；以剩余的氧化硅層為掩膜，刻蝕部分所述氮化硅層至所述犧牲層；繼續以所述剩余的氧化硅層和剩余的氮化硅層為掩膜，刻蝕部分所述犧牲層至所述半導體結構；去除所述剩余的氧化硅層和所述剩余的氮化硅層，于剩余的犧牲層中形成聯通孔。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙大國，馬清杰，王贊，
申請(專利權)人：中航重慶微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：重慶;85
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。