鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用技術

一種鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，其化學式為MeBO3:xCe3+，其中0.01≤x≤0.05，MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，Me為Y、La、Gd或Lu。該鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在535nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本發明專利技術還提供該鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的制備方法及其應用。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】一種鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，其化學式為MeBO3:xCe3+，其中0.01≤x≤0.05，MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，Me為Y、La、Gd或Lu。該鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在535nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本專利技術還提供該鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的制備方法及其應用。【專利說明】鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用【
】本專利技術涉及一種鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜及其制備方法、以及薄膜電致發光器件及其制備方法。【
技術介紹
】薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的薄膜，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，仍未見報道。【
技術實現思路
】基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜及其制備方法、以及薄膜電致發光器件及其制備方法。一種鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，其化學式為MeBO3:XCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01 ≤ X ≤ 0.05, Me為Y、La、Gd或Lu。在優選的實施例中，鋪摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的厚度為80nm~300nm。一種鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟: 將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0X KT2Pa ~LOXKT3Pa ；調節襯底的溫度為250°C~650°C，轉速為50轉/分鐘~1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據MeBO3: xCe3+各元素的化學計量比將Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰通入反應室內，及然后通入氧氣，進行化學氣相沉積得到鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜其化學式為MeBO3: xCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01≤x≤0.05，Me為Y、La、Gd或Lu。在優選的實施例中，Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰摩爾比為1:1: (0.01~0.05)。在更優選的實施例中，Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰摩爾比為1:1: 0.02。在優選實施例中，氬氣氣流量為5~15sccm，氧氣氣流量為10~200sccm。一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的化學式為MeBO3:XCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01 ≤x ≤ 0.05,Me 為 Y、La、Gd 或 Lu。在優選實施例中，發光層的厚度為80nm~300nm。一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:提供具有陽極的襯底；在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的化學式為MeBO3:XCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01 ≤ X ≤ 0.05，Me 為 Y、La、Gd 或 Lu ;在所述發光層上形成陰極。在優選的實施例中，所述發光層的制備包括以下步驟:將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0X KT2Pa ~LOXKT3Pa ；調節襯底的溫度為250°C~650°C，轉速為50轉/分鐘~1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據MeBO3: xCe3+各元素的化學計量比將Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰通入反應室內，其中，氬氣氣流量為5~15SCCm，及然后通入氧氣，流量為10~200sCCm ;進行化學氣相沉積得到發光層化學式為MeBO3: xCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01≤x≤0.05，Me為Y、La、Gd或Lu。上述鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜(MeBO3: xCe3+)的電致發光光譜(EL)中，在535nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。【【專利附圖】【附圖說明】】圖1為一實施方式的薄膜電致發光器件的結構示意圖；圖2為實施例1制備的鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的電致發光譜圖；圖3為實施例1制備的鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的XRD圖；圖4為實施例1制備的薄膜電致發光器件的電壓與電流和亮度關系圖。【【具體實施方式】】下面結合附圖和具體實施例對鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜、其制備方法和薄膜電致發光器件及其制備方法作進一步闡明。一實施方式的鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，其化學式為MeBO3: xCe3+，其中MeBO3是基質，鋪元素是激活元素，0.01≤X≤0.05, Me為Y、La、Gd或Lu。優選的，鋪摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的厚度為80nm~300nm, x為0.02。該鋪摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜中MeBO3是基質,鋪元素是激活元素。該鋪摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在535nm波長區都有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。上述鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟:步驟S11、將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為L0X10_2Pa ~1.0X10_3Pa。在本實施方式中，襯底為銦錫氧化物玻璃(ITO)，可以理解，在其他實施例中，也可以為摻氟氧化錫玻璃(FTO)、摻招的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO);襯底先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入反應室。優選的，反應室的真空度為4.0X 10_3Pa。步驟S12、將襯底在600°C~800°C下熱處理10分鐘~30分鐘。步驟S13、調節襯底的溫度為250°C~650°C，轉速為50轉/分鐘~1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據MeBO3: xCe3+各元素的化學計量比將Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰通入反應室內。在優選的實施例中，Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰摩爾比為1:1: (0.01~0.05)。在更優選的實施例中，Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰摩爾比為1:1: 0.02。在優選實施例中，襯底的溫度優選為500°C，襯底的轉速優選為300轉/分鐘，氬氣氣流量為5~15sccm。更優選實施例中，気氣氣流量為lOsccm。步驟S14、然后通入氧氣，進行化學氣相沉積得到鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜其化學式為MeBO3:xCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01≤x≤0.05，Me為Y、La、Gd 或 Lu ο在優選的實施例中，氧氣氣流量為10~200sccm，x為0.02。更優選實施例中，氧氣氣流量為120sccm。步驟S15、沉積完畢后停止通入Me (DPM) 3、BH3和四甲基庚二酮鈰及氬氣，繼續通入氧氣使鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的溫度降至80°C~150°C。本實施方式中，優選的，使鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜的溫度降至100°C。可以理解，步驟S12和步驟S15可以省略。請參閱圖1，一實施方式的薄膜電致發光器件100，該薄膜電致發光器件100包括依次層疊的襯底本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種鈰摻雜稀土硼酸鹽發光薄膜，其特征在于，其化學式為MeBO3:xCe3+，其中MeBO3是基質，鈰元素是激活元素，0.01≤x≤0.05，Me為Y、La、Gd或Lu。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：周明杰，王平，陳吉星，黃輝，
申請(專利權)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
類型：發明
國別省市：