本發(fā)明提供一種受試物質(zhì)的檢測方法，包括：工序A，在所述工序A中，添加含有受試物質(zhì)和水的檢體、具有應答部位與識別部位通過間隔物連接而成的結構的化合物以及表面活性劑；以及工序B，在所述工序B中，所述識別部位與所述受試物質(zhì)相互作用，檢測由所述...

本發(fā)明為一種內(nèi)毒素檢測方法，該方法使用具有熒光部位與識別部位通過間隔子連接的結構的熒光物質(zhì)，從受試對象的試樣中檢測內(nèi)毒素，該識別部位識別內(nèi)毒素的分子結構的特定部位。位。位。

本發(fā)明涉及由式(1)表示的化合物或其醫(yī)藥上可允許的鹽，式(1)中，R1～R3各自獨立地為規(guī)定的氨基、或規(guī)定的酰胺基、或者由式(2)表示的基團，R1～R3中的至少1個為式(2)表示的基團。中的至少1個為式(2)表示的基團。中的至少1個為式...

本發(fā)明提供一種可減少第一半導體層與第二半導體層之間的電流的泄漏的發(fā)光裝置。一種發(fā)光裝置，包括：基板；以及層疊體，設置于基板，且具有多個柱狀部，柱狀部具有：第一導電型的第一半導體層；第二導電型的第二半導體層，與第一導電型不同；以及發(fā)光層，...

本發(fā)明提供一種可增大所射出的光的強度的發(fā)光裝置。一種發(fā)光裝置，包括：基板；以及層疊體，設置于所述基板的基板面，且具有多個柱狀部，所述柱狀部具有發(fā)光層，所述發(fā)光層具有所述基板側(cè)的第一端、以及與所述基板為相反側(cè)的第二端，所述柱狀部的與所述層...

本發(fā)明提供一種可減小多個第一阱層中的形狀的偏差的發(fā)光裝置。一種發(fā)光裝置，具有層疊體，所述層疊體設置于基板，且具有多個柱狀部，多個柱狀部分別具有：發(fā)光層，具有多個第一阱層；第一半導體層，設置于基板與發(fā)光層之間，且含有Ga及N；光限制層，設...

本發(fā)明提供一種可減少在柱狀部的側(cè)面流動的電流的發(fā)光裝置及投影儀。發(fā)光裝置包括具有多個柱狀部的層疊體，多個所述柱狀部分別具有：第一半導體層；第二半導體層，其導電型與所述第一半導體層不同；以及發(fā)光層，設置于所述第一半導體層與所述第二半導體層...

本發(fā)明提供一種所射出的光為直線偏光的發(fā)光裝置及投影儀。一種發(fā)光裝置，具有層疊體，所述層疊體具有多個包含p個柱狀部的柱狀部集合體，所述p個柱狀部分別具有發(fā)光層，從所述層疊體的層疊方向觀察時，所述p個柱狀部中的q個第一柱狀部的所述發(fā)光層的最...

本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及投影儀，其可減小由第一阱層與第一GaN層的晶格常數(shù)差引起的結晶缺陷的產(chǎn)生的可能性。一種發(fā)光裝置，具有：基板；以及層疊體，設置于基板且具有柱狀部，所述柱狀部具有：第一導電型的第一GaN層；第二導電型的第二GaN層，...

本發(fā)明提供一種可減少第一半導體層與第二半導體層之間的電流泄漏的發(fā)光裝置。一種發(fā)光裝置，包括具有多個柱狀部的層疊體，所述柱狀部包括第一半導體層、導電型與所述第一半導體層不同的第二半導體層、以及設置于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的...

本發(fā)明涉及一種下述通式(I)所示的化合物或其鹽的制造方法，其中，包括：使賴氨酸或其保護物或其鹽與大蒜素或其保護物，在特定的三氟甲烷磺酸鹽的存在下反應而得到具有吡啶環(huán)的化合物或其鹽的工序。所述通式(I)中，R1和R2中的一個是-CH2CH...

本發(fā)明提供一種半導體光學元件陣列，其包括：具備形成有多個凹部的主面的半導體基板；形成于前述半導體基板的該主面上并且具備分別在前述多個凹部的正上方的多個開口部的掩模圖案；從前述多個凹部出發(fā)，通過前述多個開口部，向前述掩模圖案的上方生長的由...

本發(fā)明提供一種Ⅲ族氮化物結構體，其包括：在基板（１０２）表面的規(guī)定區(qū)域上形成的具有由金屬構成的表面的膜（１０８）；以及至少在基板（１０２）表面上形成的由Ⅲ族氮化物半導體構成的微細柱狀晶體（１１０）。在沒有形成所述膜（１０８）的所述基板（...