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    日本ITF株式會(huì)社專利技術(shù)

    日本ITF株式會(huì)社共有13項(xiàng)專利

    • 本發(fā)明實(shí)現(xiàn)一種在廣泛的加工條件下穩(wěn)定地發(fā)揮高性能的硬質(zhì)被膜等。一種硬質(zhì)被膜(12),包括包含Al<subgt;x</subgt;Cr<subgt;1?x</subgt;N的A層(A<subgt;1</...
    • 本發(fā)明提供一種耐破壞性、耐剝離性優(yōu)異,即使用于滑動(dòng)時(shí)反復(fù)產(chǎn)生大的接觸應(yīng)力的用途的情況下,也可發(fā)揮優(yōu)異的密合性,并具有充分的耐久性的被膜及其形成方法。一種復(fù)合被膜,包覆在基材上,在下層形成有氫含量不足5at%、膜厚為200nm~1000n...
    • 提供一種硬質(zhì)碳膜的制造技術(shù),所述硬質(zhì)碳膜于在含有MoDTC的油中滑動(dòng)時(shí),除了發(fā)揮優(yōu)異的耐磨耗性以外,也可一邊抑制研磨處理等所致的成本增高或工夫的產(chǎn)生一邊使滑動(dòng)面平滑化而發(fā)揮充分的低摩擦性。一種硬質(zhì)碳膜,其為形成滑動(dòng)構(gòu)件的滑動(dòng)面的硬質(zhì)碳膜...
    • 本發(fā)明提供一種活塞環(huán)及其制造方法,使用并不具有特別的功能的通常的成膜裝置且無(wú)需精密的控制地制造并提供低摩擦性與耐磨耗性優(yōu)異的活塞環(huán)。所述活塞環(huán),其為在環(huán)狀基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞環(huán),并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜,且自基材表面...
    • 本發(fā)明提供一種技術(shù),其為PVD法,卻可將耐久性優(yōu)異的厚膜的硬質(zhì)碳膜成膜,并且可使經(jīng)成膜的硬質(zhì)碳膜的耐碎片性與耐磨損性并存,并且可改善低摩擦性與耐剝離性。一種被覆膜,其為被覆于基材的表面上的被覆膜,且在利用明視場(chǎng)TEM圖像觀察截面時(shí),在厚...
    • 提供一種技術(shù),其為PVD法,卻可將耐久性優(yōu)異的厚膜的硬質(zhì)碳膜成膜,并且可使經(jīng)成膜的硬質(zhì)碳膜的耐碎片性與耐磨損性并存,并且可改善低摩擦性與耐剝離性。一種被覆膜,其為被覆于基材的表面上的被覆膜,且在利用明視場(chǎng)TEM圖像觀察截面時(shí),在厚度方向...
    • 活塞環(huán)及其制造方法
      使用并不具有特別的功能的通常的成膜裝置且無(wú)需精密的控制地制造并提供低摩擦性與耐磨耗性優(yōu)異的活塞環(huán)。一種活塞環(huán),其為在環(huán)狀基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞環(huán),并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜,且自基材表面朝向膜表面交替形成有sp
    • 活塞環(huán)及發(fā)動(dòng)機(jī)
      提供一種在外周滑動(dòng)面與上下面上生產(chǎn)性良好地形成有以與各面的要求性能相適應(yīng)的方式得到最優(yōu)化的膜質(zhì)的碳膜的活塞環(huán),并且提供一種使用此種活塞環(huán)的高性能的發(fā)動(dòng)機(jī)。一種活塞環(huán),其為在外周滑動(dòng)面及上下面上形成有碳膜的活塞環(huán),且碳膜為層疊膜質(zhì)不同的至...
    • 被覆膜及其制造方法以及PVD裝置
      本發(fā)明提供一種不僅充分地改善低摩擦性與耐磨損性的并存且改善耐碎片性或耐剝離性的被覆膜及其制造方法以及PVD裝置。一種被覆膜,被覆在基材的表面上,且具有在通過(guò)明視場(chǎng)TEM圖像對(duì)截面進(jìn)行觀察時(shí)相對(duì)地以黑白顯示的硬質(zhì)碳,白色的硬質(zhì)碳在厚度方向...
    • 被覆膜及其制造方法以及PVD裝置
      本發(fā)明提供一種不僅充分地改善低摩擦性與耐磨損性的并存而且也改善耐碎片性(耐缺損性)或耐剝離性的被覆膜及其制造方法以及PVD裝置。一種被覆膜,被覆在基材的表面上,并且形成有在通過(guò)明視場(chǎng)TEM圖像對(duì)截面進(jìn)行觀察時(shí)在相對(duì)于基材垂直的方向上相連...
    • 碳薄膜、制造其的等離子體裝置及制造方法
      本發(fā)明提供一種可抑制陰極物質(zhì)破裂的等離子體裝置。等離子體裝置10包括真空容器1、電弧式蒸發(fā)源3、陰極構(gòu)件4、永久磁鐵5、電源7、觸發(fā)電極8及擋板12。電弧式蒸發(fā)源3在真空容器1的側(cè)壁上與基板20相對(duì)向而固定。陰極構(gòu)件4包含具有突起部的玻...
    • 電弧蒸發(fā)源
      本發(fā)明提供一種電弧蒸發(fā)源,在真空中利用電弧放電使陰極材料熔解、蒸發(fā)而在基材表面成膜,包括形成為大致圓板形狀的陰極、及配置于陰極的背面?zhèn)鹊拇艌?chǎng)產(chǎn)生單元,磁場(chǎng)產(chǎn)生單元構(gòu)成為如下,即,利用在陰極的背面以磁極朝向相對(duì)于陰極的放電面為20°~50...
    • 本發(fā)明提供一種真空電弧蒸鍍法及真空電弧蒸鍍裝置、用真空電弧蒸鍍法制造的薄膜、物品及產(chǎn)品,即便在使用了大口徑陰極的情況下,也能使陰極表面的陰極材料均勻地消耗而提升陰極利用效率,從而能夠降低涂布成本。本發(fā)明的真空電弧蒸鍍法利用電弧放電使陰極...
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