本發明涉及用于工件的涂層，其具有至少一個層，該至少一個層包含由ＡｌｘＣｒ１－ｘ表示的金屬組分并包含由Ｏ１－ｙＺｙ表示的非金屬組分，其中ｘ是符合０≤ｘ≤０．８４的原子比，Ｚ是選自Ｎ、Ｂ、Ｃ中的至少一種元素，０≤ｙ≤０．６５，優選ｙ≤０．５...

涂覆體系包括：至少一個Ａ型層，Ａ型層基本由（ＡｌｙＣｒ１－ｙ）Ｘ組成，其中Ｘ描繪由Ｎ、ＣＮ、ＢＮ、ＮＯ、ＣＮＯ、ＣＢＮ、ＢＮＯ和ＣＮＢＯ組成的群組中的一種，ｙ描述金屬相部分的化學計量組成；和至少一個Ｂ型層，Ｂ型層基本由（ＡｌｕＣｒ１－ｕ...

本發明涉及一種應用靶的方法，該靶適于通過火花蒸發制備金屬氧化物層和／或金屬氮化物層的涂層工藝，其中該靶可在高于靶中所用金屬的熔點的溫度下運行，且其中該靶由其氧化物和／或氮化物是非導電性的金屬制成。此外，本發明還涉及一種靶的應用，該靶用于...

當借助于陽極（９）與陰極（７）之間的真空等離子體放電處理工件或基底表面并由此由于這種處理固體（１９）在陽極表面（２１）上形成并沉積時，該固體的ＤＣ比阻抗高于陽極材料的ＤＣ比阻抗，至少部分陽極表面通過在那里建立屏蔽等離子體（２５）而屏蔽于...

為了改進光伏電池和相應變換器面板的大規模工業制造，在具有本征硅化合物的微晶層（２）的光伏電池中，摻雜硅材料的相鄰層（３，１）中的至少一個被設計為非晶層。

一種真空鍍層設備，具有：反應氣體入口（１２）；至少一個具有平面的陰極（１１）的ＰＶＤ鍍層源（８、２１）；帶有多個基材（７）的基材載體（６），其中基材載體（６）二維地水平延展，該基材載體位于至少兩個ＰＶＤ鍍層源之間，多個基材（７）是切削刀...

本發明涉及鍍膜設備的框架式真空室，該真空室包括一個用鑲嵌板鑲嵌的框架。鑲嵌板與框架一起組成一個可產生真空的空間。該框架的蒙皮最好用一整塊金屬件切去大面積材料制成，由此形成鑲嵌板的孔洞，其優點是，鑲嵌板嵌入的地方沒有焊縫。

本發明涉及一種操作電弧源的方法，其中在目標的表面點燃或操作火花放電，并且同時利用分配有直流電壓ＤＶ的直流電流以及由周期性施加的電壓信號所生成的脈沖電流來饋送該火花放電。在此，所述電弧源上的電壓在幾微秒的時間跨度上被提高，以及所述電壓信號...

一種工件承載器（２）包括能夠圍繞驅動軸（４）進行旋轉的旋轉框架（３）和驅動部件（２２）。旋轉框架（３）能夠受到馬達（６）的驅動，并且承載著多個圍繞驅動軸（４）分布以便能夠圍繞保持器軸線進行旋轉的工件保持器（１３）。在固定件上面安裝在驅動...

在色輪制造過程的色環構造部分中，一種壓敏粘合劑（ＰＳＡ）用于將多個楔形玻璃濾光片在第一側面上附接到輪轂。然后，利用諸如環氧樹脂等強粘性粘合劑將濾光片的第二側面直接粘附到馬達的回轉表面，從而完成色輪制造。根據需要對環氧樹脂進行固化。壓敏粘...

用于工件的安裝在圓盤傳送帶（１９）上的行星齒輪架（２２）被設置在真空室內。用于包括離子（ＣＬ）的云的源（２４）被設置使得該云的中心軸線（ＡＣＬ）與圓盤式傳送帶（１９）的轉動軸線（Ａ２０）相交。該云（ＣＬ）在行星軸線（Ａ２２）的移動路徑（...

本發明涉及通過ＰＶＤ（物理氣相沉積）、特別是通過陰極弧蒸發制造氧化層的方法，其中粉末臺金靶被蒸發，且所述粉末冶金靶由至少兩種金屬或半金屬組分形成，選擇與所述靶相應的金屬或半金屬組分的化學組成從而使得在從室溫到液相轉變的加熱過程中，基于所...

本發明涉及一種制造由金屬和半金屬組分的三元和更高價氧化物構成的層的方法，其中這些氧化物的形成溫度基本上通過二元（或更高階）合金靶的組成（基于相圖）確定。

在所有情況下在圍繞圓盤（７）的環（５）上支撐有沿中心軸布置并具有保持器（８）的多個圓盤（７），所述保持器（８）均勻地分布在圓周上方、斜地向外傾斜并用于工件。連續的環（５）形成防止圓盤（７）不期望涂層的大致圓柱形的包層。該包層具有用于圓盤...

一種遠程等離子體源，包括平行布置并彼此電ＤＣ隔離的第一板狀電極（７ｓ）和第二板狀電極（７ｂ）。兩個電極（７ｓ，７ｂ）可操作地連接至Ｒｆ發生器（１１）。第一電極（７ｓ）具有自由地暴露于基板支持器（３）的表面，并具有沿其表面范圍分布的通孔（...

一種等離子體處理設備（３０、５０），包括具有室壁（３５）的工藝室、氣體進入裝置和氣體分布裝置、排氣裝置、以及用于襯底（３３）的襯底支架（３４）。導電平板（５１）被設置在所述室內，可與面對所述導電平板（５１）的ＲＦ電源（３９）電連接，所述...

一種用于從工件上脫除層體系的物質混合物，其由含水的堿性溶液組成，其含３－８重量％的ＫＭｎＯ４和同時堿含量為６－１５重量％。在一個實施方案中，該堿含量由ＫＯＨ或ＮａＯＨ形成，其中該溶液的ｐＨ－值大于１３。本發明的方法利用上述物質混合物對下...

氫滲透阻擋物的制備方法，包括以下步驟ａ）在基體（ＳＵＢ）上沉積包括至少一個層（Ｌ１；Ｌ２；Ｌ３）的層系統（ＬＳ）；其特征在于步驟ａ）包括以下步驟：ｂ）沉積至少一個包括至少三元氧化物的氫阻擋層（ＨＰＢＬ）。該裝置包括可密封的容積和形成限定...