管內鍍膜設備及鍍膜技術，屬于特殊薄膜制備技術領域。采用磁控濺射鍍膜技術，以被鍍管的管壁為真空腔的側壁，兩端進行真空密封，并設置排氣口和充氣管道。放電陰極為圓柱狀，與被鍍管同軸設置，其內部水冷，但不在其中設置磁體，陰極外表面設置圓柱靶材，...

低溫用聚光型太陽能集熱器，屬于太陽能利用領域。包括非真空型集熱管、聚光鏡、水箱、進出水管。所用的集熱管為非真空型的，內管為金屬管，其表面具有高的陽光吸收比和較低的紅外發射比，外管為玻璃管或透明有機管。內外管之間相對位置由支撐件固定，進行...

具有散射表面的太陽能集熱管，屬于太陽能利用領域。由金屬內管、玻璃外管、密封波紋管等組成，內管外表面上設置太陽能吸收涂層，該太陽能吸收涂層由內而外依次為金屬薄膜光反射層、光吸收層、介質減反射層。本發明的技術特征在于，所述的金屬內管的外表面...

太陽能集熱管，屬于太陽能利用領域。光吸收層由完全氧化的氧化鋁和部分氧化的其它元素構成；采用在氬和氧氣氛中反應共濺射方法制備，其中一個靶為金屬鋁靶、用于沉積完全氧化的氧化鋁，另一個靶用于沉積部分氧化的其它金屬，其材料包括鉻、鉬、鎢、鈦、鋯...

具有陷光結構的太陽能集熱管，屬于太陽能利用領域。由金屬內管、玻璃外管、密封波紋管等組成，內管外表面上設置陽光吸收涂層，陽光吸收涂層由內而外依次為金屬薄膜光反射層、第1介質層、光吸收層、第2介質層。所述的2個介質層中的一個是由具有陷光功能...

多層金屬介質薄膜干涉型太陽能集熱管，屬于太陽能利用領域。由金屬或玻璃內管、玻璃外管密封而成，內管上設置陽光吸收層，從內到外依次交替沉積的金屬和介質薄膜構成，其中最內層可為金屬薄膜，最外層為介質薄膜，至少包含3層金屬薄膜和3層介質薄膜。內...

具有弧形熒光粉表面的等離子體顯示屏，屬于平板顯示技術領域。本發明的技術特征是，三基色熒光粉的表面呈弧形結構，并在熒光粉下設置干涉型可見光反射層。與廣泛采用的等離子體顯示屏相比，本發明的發光效率高，對降低等離子體顯示屏的功耗，提高使用壽命...

具有插指電極結構的等離子體顯示屏，屬于平板顯示技術領域。前板上Ｘ電極的匯流電極和Ｙ電極的匯流電極沿水平方向設置，Ｘ電極和Ｙ電極呈插指結構沿豎直方向設置，與各自的匯流電極垂直交叉連接。與已有技術相比，具備結構簡單、發光效率高等特點。

離線鍍膜低輻射玻璃，屬于節能技術領域，基本結構包括玻璃基底、介質層和銀層。其技術特征是，介質層包括多個子層，其中至少有一個子層是由硅或硅合金薄膜構成，或者由組分漸變的硅氧、硅氮、硅氧氮、硅合金氧、硅合金氮、硅合金氧氮等薄膜構成，或者由組...

一種低輻射玻璃，屬于節能技術領域，具有單銀層結構。該低輻射玻璃只采用一個介質層，其基本結構中，由下而上依次包括玻璃基底１０、銀層１１、介質層１２；所述的介質層由１到１０個子層構成，子層由硅薄膜、硅合金薄膜、硅氧薄膜、硅氮薄膜、硅氧氮薄膜...

一種低輻射玻璃，屬于節能技術領域，具有單銀層結構。該低輻射玻璃只采用一個介質層，其基本結構中，由下而上依次包括玻璃基底１０、銀層１１、介質層１２；所述的介質層由１到５個子層構成，子層由硅薄膜、硅氧薄膜、硅氮薄膜或硅氧氮薄膜構成。采用本發...

以硅基材料為介質層的低輻射玻璃，屬于節能技術領域，其基本結構中依次包括玻璃基底、介質層、銀層，其技術特征是，介質薄膜由組分漸變的硅氧、硅氮或硅氧氮薄膜構成。采用本發明的低輻射玻璃，不僅性能穩定，可靠性高，而且生產效率高，可大大降低成本，...

具有可見光反射層的等離子體顯示屏及其制備方法，屬于顯示技術領域。本發明的技術特征是在三基色熒光粉與障壁間溝道的外表面之間設置一層可見光反射層；該可見光反射層由不導電的非連續島狀結構的單層薄膜或雙層復合薄膜構成，單層薄膜或雙層復合薄膜中與...

具有三角型像素結構和按子行分場驅動的等離子體顯示屏，屬于顯示技術領域。顯示屏中每行包含兩個子行，兩個子行之間相同顏色的子像素之間有約一個像素尺寸的相互錯位，兩個子行共同構成在水平方向交互排列的三角型像素和倒三角型像素。子像素形狀為矩形，...

一種低輻射玻璃，屬于節能技術領域，其特征為：基本結構包括玻璃板、銀層、硅薄膜構成的介質層。采用本發明的低輻射玻璃，不僅性能穩定，可靠性高，而且生產效率高，可大大降低成本，有利于大規模推廣應用。

具有高發光效率的等離子體顯示屏及其制備方法，屬于顯示技術領域。本發明的技術特征是后基板上采用條形障壁，而尋址電極設置在兩條障壁之間溝道的外表面上，呈凹型；熒光粉涂覆在障壁之間的溝道內，覆蓋尋址電極；尋址電極采用金屬或多層復合金屬薄膜制備...

一種太赫茲波輻射源，屬于太赫茲波技術領域。基本結構包括微波源、連接波導和太赫茲波發生器。所述的太赫茲波發生器工作在管內真空狀態，主要包括發射電子的陰極、聚焦電極、微波輸入波導、微波諧振腔、電子束漂移群聚管、引出電極、厚膜電容、薄膜輻射天...

一種結晶硅薄膜的制備方法，屬于薄膜和太陽能利用技術領域。該方法依次包括：在玻璃襯底或已經沉積有透明導電薄膜的玻璃襯底上沉積一層金屬鋁、銅、銀、鐵、鈷、鎳、鎂等的薄膜，繼續沉積一層非晶硅薄膜或含氫非晶硅薄膜；將得到的沉積有上述薄膜的玻璃在...

本發明涉及具有抗全反射增透薄膜的發光二極管，屬于光電子技術領域，該發光二極管結構主要包括襯底，Ｎ型電極、Ｎ型層、發光層、Ｐ型層、Ｐ型電極（Ｎ型和Ｐ型的相對位置可以互換），還包括由金屬薄膜經過氧化形成的氧化物薄膜構成的抗全反射增透膜，所述...

一種具有陷光結構的硅薄膜光電池，屬于太陽能利用領域。基本結構由下而上為玻璃基片、二氧化硅層、透明導電薄膜、Ｐ型半導體硅層、Ｉ型半絕緣硅層、Ｎ型半導體硅層、銀和抗氧化金屬組成的復合薄膜反射電極。在反射電極下面的硅層具有在低熔點金屬非連續島...