本實(shí)用新型公開了一種用于陰極組件的釬焊工裝，其中，所述用于陰極組件的釬焊工裝包括形成有自上而下貫通的多個(gè)通孔的釬焊底座(1)和能夠貫穿部分所述釬焊底座的緊固螺釘(2)；其中，每個(gè)所述通孔自上而下形成為順次連通設(shè)置的第一通孔段(201)、...

本發(fā)明適用于微波模塊制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種S波段一分四功分器的制作工藝，該工藝包括如下步驟：S1、氣相清洗腔體、電路板及絕緣子；S2、將片電阻及功分器燒結(jié)到電路板上；S3、將電路板及絕緣子燒結(jié)到腔體上；S4、對(duì)步驟S3中燒結(jié)完畢的...

本發(fā)明公開了一種Ku波段40瓦功率放大器的制作工藝，步驟一：將Rogers電路板燒結(jié)到腔體上；步驟二：將阻容器件燒結(jié)到電路板上；步驟三：將功放管燒結(jié)到腔體上；步驟四：將前級(jí)放大器、濾波器、隔離器安裝到腔體上；步驟五：燒結(jié)電源模塊電路板并...

本發(fā)明公開了一種基于雙面印制板一次回流焊的方法，所述方法包括：通過(guò)絲網(wǎng)印刷將焊膏漏印在雙面印制板的A面的焊盤上；在雙面印制板的A面上點(diǎn)涂紅膠；將第一元器件放置在漏有焊膏的焊盤上，并使得第一元器件至少部分通過(guò)紅膠粘接在雙面印制板的A面上；...

本發(fā)明公開了一種LTCC基板燒結(jié)的方法，所述方法包括：將焊片和LTCC基板放入工件的腔體內(nèi)形成預(yù)裝組件，之后對(duì)預(yù)裝組件進(jìn)行預(yù)熱；其中，焊片的熔點(diǎn)為M，預(yù)熱的條件包括：預(yù)熱設(shè)為N個(gè)遞增的溫度梯度，分別為C1、C2…Cn，C1為45?55℃...

本發(fā)明公開了一種多頻點(diǎn)的振蕩器模塊的制作方法，包括如下步驟：步驟1：結(jié)構(gòu)件裝配前清洗；步驟2：混頻電路a的裝配；步驟3：混頻電路b的裝配；步驟4：高頻電路的裝配；步驟5：模塊的裝配；步驟6：模塊的封蓋，借助微電子組封裝工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了一...

本發(fā)明公開了一種共晶芯片組件的燒結(jié)方法，所述燒結(jié)方法包括：初步安裝：在工件的腔體內(nèi)涂覆助焊劑，之后將多個(gè)焊料片放置在腔體內(nèi)，在每個(gè)焊料片表面涂覆助焊劑，將共晶芯片組件分別壓緊在每個(gè)焊料片表面，形成預(yù)裝組件；燒結(jié)處理：將預(yù)裝組件依次進(jìn)行第...

本實(shí)用新型公開了一種固態(tài)微波源模塊結(jié)構(gòu)，所述殼體內(nèi)通過(guò)中間隔板，將殼體內(nèi)腔體設(shè)置為上腔、下腔；所述上腔內(nèi)設(shè)置有末端開口的第一垂直隔板將上腔分隔成兩個(gè)腔室；所述下腔內(nèi)設(shè)置有中部開口的第二垂直隔板將下腔分隔成兩個(gè)腔室；所述中間隔板上貫通設(shè)置...

本實(shí)用新型公開了一種鎖相頻率源模塊結(jié)構(gòu)，所述殼體內(nèi)設(shè)置有空腔，所述空腔中間兩側(cè)分別與第一水平隔板、第二水平隔板一端相連接；所述上腔和下腔之間設(shè)置有第三水平隔板；所述第二水平隔板末端設(shè)置有第一垂直隔板，所述第二上腔內(nèi)側(cè)與第二垂直隔板相連接...

本實(shí)用新型公開一種能量傳輸結(jié)構(gòu)，包括圓筒狀的帽子，位于帽子內(nèi)部的輸能窗、與帽子配合安裝的波導(dǎo)轉(zhuǎn)接法蘭，帽子內(nèi)圓頂部設(shè)有帶帽子波導(dǎo)孔的凸臺(tái)，波導(dǎo)轉(zhuǎn)接法蘭是由圓筒結(jié)構(gòu)和環(huán)形臺(tái)階垂直設(shè)置組成的截面為T形的結(jié)構(gòu)，圓筒結(jié)構(gòu)位于帽子內(nèi)部，且圓筒結(jié)構(gòu)...

本實(shí)用新型公開了一種太赫茲返波管慢波結(jié)構(gòu)，其中，所述太赫茲返波管慢波結(jié)構(gòu)包括電極塊本體(1)，設(shè)置于所述電極塊本體(1)內(nèi)部的冷卻水通道，且所述冷卻水通道的入水管(2)和出水管(3)延伸至所述電極塊本體(1)外部，且所述入水管(2)和所...

本實(shí)用新型公開了一種收集極電極，其中，所述收集極電極包括自外向內(nèi)順次套接設(shè)置的外絕緣瓷環(huán)(1)、內(nèi)電極筒(2)和電極塊(3)，且所述電極塊(3)的一個(gè)端面上形成有多個(gè)向內(nèi)凹陷的凹陷部(301)；其中，所述電極塊(3)中遠(yuǎn)離所述凹陷部(3...

本實(shí)用新型公開一種毫米波雷達(dá)控制器外殼，包括相互配合的上殼體(1)和下殼體(2)，上殼體(1)上設(shè)有第一支撐腿(3)和若干個(gè)散熱槽(4)，下殼體(2)上設(shè)有第二支撐腿(5)和用于安裝電路板的螺柱(6)，上殼體(1)和下殼體(2)通過(guò)第一...

本實(shí)用新型公開一種用于毫米波警戒雷達(dá)的支承結(jié)構(gòu)，包括相互配合的前殼體(1)和后殼體(2)，頂蓋(4)安裝在由前殼體(1)和后殼體(2)配合形成的腔體結(jié)構(gòu)的兩端；后殼體(2)上設(shè)有放置電源的電源殼體(5)，支承結(jié)構(gòu)還包括與電源殼體(5)配...

本實(shí)用新型公開了一種同步器專用測(cè)試盒，其特征在于，包括盒體，所述盒體包括設(shè)置在前邊的面板、設(shè)置在后邊的背板、設(shè)置在上邊的蓋板、設(shè)置在底面的底板，所述底板通過(guò)螺絲固定在所述盒體上，所述底板上設(shè)置有開關(guān)電源、底板測(cè)試電路板；所述蓋板通過(guò)螺絲...

本實(shí)用新型公開一種用于加工復(fù)合慢波管殼的工裝，包括下底座(1)、上壓塊(2)、定位導(dǎo)柱(3)和螺帽(4)，下底座(1)和上壓塊(2)之間通過(guò)四根定位導(dǎo)柱(3)連接，下底座(1)和上壓塊(2)上用于安裝定位導(dǎo)柱(3)的四組對(duì)應(yīng)的定位孔分別...

本發(fā)明涉及微波中功率脈沖放大器技術(shù)領(lǐng)域，公開X波段中功率連脈沖放大器的加工方法，包括：步驟1，低頻電路板燒結(jié)，步驟2，高頻電路板燒結(jié)，步驟3，元器件燒結(jié)，步驟4，裝配，步驟5，芯片共晶，步驟6，金絲鍵合，步驟7，封蓋，對(duì)F進(jìn)行封蓋處理，...

本發(fā)明公開了提高芯片充分接地和散熱的焊接方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟SS1：制備錫球；步驟SS2：向電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔中填充所述步驟SS1中的所述錫球；步驟SS3：加熱使所述步驟SS2中的焊盤接地孔中的所述錫球熔化。本...

本發(fā)明公開了一種X波段大功率檢波器的加工方法，所述加工方法包括：步驟1，微波電路板燒結(jié)；分別將微波電路板、絕緣子安裝到檢波器的腔體中形成組件，并且對(duì)所述組件進(jìn)行燒結(jié)；步驟2，元器件燒結(jié)；將檢波芯片HMC948LP3、四個(gè)電容以及三個(gè)電阻...

本發(fā)明公開了一種微波激勵(lì)高頻模塊的制作方法，包括如下步驟：步驟1：結(jié)構(gòu)件裝配前清洗；步驟2：穩(wěn)壓電路的裝配；步驟3：放大器芯片的共晶焊接和混頻器芯片的共晶焊接；步驟4：高頻電路的裝配；步驟5：模塊的裝配；該方法借助微電子組封裝工藝技術(shù)，...