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本發(fā)明涉及一種鑄造多晶硅或準單晶硅的方法，包括以下步驟：在多晶硅鑄錠爐的坩堝和石墨護板之間設置在鑄錠過程中抑制坩堝外表面的SiO2和石墨護板中的C發(fā)生反應的隔離層；使用所述多晶硅鑄錠爐通過定向凝固法鑄造多晶硅或準單晶硅。另外還提出一種鑄造多...該專利屬于江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司授權(quán)不得商用。