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一種銅互連結構及其形成方法，本發明所提供的銅互連結構的形成方法包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有第一介質層以及貫穿所述第一介質層的第一互連結構；在所述第一介質層和第一互連結構表面形成第二介質層，所述第二介質層的材料含有氧原子，所...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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