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本發明公開了一種全鋁背場晶體硅電池及其制備方法。該全鋁背場晶體硅電池，包括硅片層（7），在硅片層（7）背面依次貼合有P+鈍化層（5）和鋁背導電層（4），該鋁背導電層（4）上設有背電極（6）。該方法是首先在太陽電池背面的除邊緣外所有位置印刷一...該專利屬于湖南紅太陽光電科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過湖南紅太陽光電科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種全鋁背場晶體硅電池及其制備方法。該全鋁背場晶體硅電池，包括硅片層（7），在硅片層（7）背面依次貼合有P+鈍化層（5）和鋁背導電層（4），該鋁背導電層（4）上設有背電極（6）。該方法是首先在太陽電池背面的除邊緣外所有位置印刷一...