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本發明公開了一種全鋁背場晶體硅電池及其制備方法。該全鋁背場晶體硅電池,包括硅片層(7),在硅片層(7)背面依次貼合有P+鈍化層(5)和鋁背導電層(4),該鋁背導電層(4)上設有背電極(6)。該方法是首先在太陽電池背面的除邊緣外所有位置印刷一...該專利屬于湖南紅太陽光電科技有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過湖南紅太陽光電科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種全鋁背場晶體硅電池及其制備方法。該全鋁背場晶體硅電池,包括硅片層(7),在硅片層(7)背面依次貼合有P+鈍化層(5)和鋁背導電層(4),該鋁背導電層(4)上設有背電極(6)。該方法是首先在太陽電池背面的除邊緣外所有位置印刷一...