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本發明涉及一種金屬-介質-金屬電容及其制造方法。通過本發明的電容及其制造方法，可以將具有較高介電常數的介質層的電容集成到采用常規或者較低介電常數介質的后道互連工藝中，從而可以實現在大容量集成電容的時候，提高電容的面積利用率和電容量的同時，不...該專利屬于上海集成電路研發中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海集成電路研發中心有限公司授權不得商用。
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本發明涉及一種金屬-介質-金屬電容及其制造方法。通過本發明的電容及其制造方法，可以將具有較高介電常數的介質層的電容集成到采用常規或者較低介電常數介質的后道互連工藝中，從而可以實現在大容量集成電容的時候，提高電容的面積利用率和電容量的同時，不...