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一種超結(jié)縱向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體管，包括：兼做漏區(qū)的N型重?fù)诫s硅襯底，在N型重?fù)诫s硅襯底的下表面設(shè)置有漏極金屬，在N型重?fù)诫s硅襯底的上表面設(shè)有N型摻雜硅外延層，在N型摻雜硅外延層內(nèi)設(shè)有間斷不連續(xù)的P型摻雜柱狀半導(dǎo)體區(qū)，在P型摻雜柱狀半導(dǎo)體...該專利屬于東南大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過東南大學(xué)授權(quán)不得商用。