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本發(fā)明公開了一種雙大馬士革結(jié)構(gòu)中BARC的刻蝕方法，通過采用包括H2、Ar和CxFy系氣體的混合氣體作為刻蝕氣體，并且H2和Ar為主刻蝕氣體，CxFy系氣體為輔助刻蝕氣體；由于H2對(duì)光阻有較高的刻蝕率，而對(duì)下層氧化層的刻蝕率幾乎為零，從而減...該專利屬于上海華力微電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華力微電子有限公司授權(quán)不得商用。