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本發明公開一種監測等離子體工藝制程的方法，將一基片放置在一等離子體處理腔室內進行等離子體處理，所述等離子體處理裝置連接一入射光源和一光譜儀；等離子體在對所述基片進行處理的過程中發射背景光信號，所述背景光信號中包括波長已知的參考光信號；啟動所...該專利屬于中微半導體設備（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中微半導體設備（上海）有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種監測等離子體工藝制程的方法，將一基片放置在一等離子體處理腔室內進行等離子體處理，所述等離子體處理裝置連接一入射光源和一光譜儀；等離子體在對所述基片進行處理的過程中發射背景光信號，所述背景光信號中包括波長已知的參考光信號；啟動所...