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本發明公開一種監測等離子體工藝制程的方法,將一基片放置在一等離子體處理腔室內進行等離子體處理,所述等離子體處理裝置連接一入射光源和一光譜儀;等離子體在對所述基片進行處理的過程中發射背景光信號,所述背景光信號中包括波長已知的參考光信號;啟動所...該專利屬于中微半導體設備(上海)有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過中微半導體設備(上海)有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種監測等離子體工藝制程的方法,將一基片放置在一等離子體處理腔室內進行等離子體處理,所述等離子體處理裝置連接一入射光源和一光譜儀;等離子體在對所述基片進行處理的過程中發射背景光信號,所述背景光信號中包括波長已知的參考光信號;啟動所...