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本發(fā)明提供一種改進(jìn)的壓接式IGBT器件，包括管殼和同軸設(shè)于所述管殼上、下兩端的板狀金屬電極，下端金屬電極的內(nèi)側(cè)面上固定有凸臺，所述凸臺與上端金屬電極之間壓接有IGBT功率子模塊；所述IGBT功率子模塊包括柵極信號輸入端和柵極信號輸出端；所述...該專利屬于國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;國家電網(wǎng)公司;華北電力大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;國家電網(wǎng)公司;華北電力大學(xué)授權(quán)不得商用。