【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開總體上涉及熱聲成像，并且更具體地涉及用于使用射頻施加器來優先調節接收到的信號的熱聲成像的系統和方法。
技術介紹
0、背景
1、本節中的陳述僅提供與本公開相關的背景信息，并且可能不構成現有技術。
2、在高頻系統中，通常采用波導，以通過將在波導內傳播的電磁波的擴展限制為一維或二維來以最小的能量損失引導電磁波或聲音。根據要傳播的電磁波的性質，波導可以采用不同的形式。在許多情況下，采用濾波器來允許在某些頻率的電磁波通過并沿波導行進，同時拒絕在其他頻率的電磁波。例如，當傳播射頻（rf）波時，經常采用中空的、開口的導電金屬波導。在一些情況下，為了提供期望的濾波，這些中空的金屬波導裝配有由高電介質常數材料形成的實心插入件（solid?insert）。
3、在熱聲成像系統中已經采用了波導（例如上述那些波導）。熱聲成像是提供與組織的熱彈性性質相關的信息的成像形式。熱聲成像使用電磁能的短脈沖（例如rf脈沖），其被引導到受試者中，以快速加熱受試者內的吸熱特征，這繼而引起聲壓波，這些聲壓波使用聲接收器（例如一個或更多個熱聲或超聲換能器陣列）進行檢測。通過信號處理對所檢測到的聲壓波進行分析，并且處理該聲壓波以用于作為可由操作者解釋的熱聲圖像呈現。
4、為了在熱聲成像期間將rf脈沖引導到受試者中，采用波導的射頻（rf）施加器（radio?frequency?applicator）耦接到與要成像的受試者內的感興趣區域（roi）相鄰的組織。rf施加器到組織的次優耦接可能會引起問題（例如效率低下的能量傳輸、降
5、施加器內部及其最近的鄰接區域（待成像介質的頂層）的強電磁場以及皮膚層的高導電性在靠近施加器正面的地方產生強的雜散聲波。這種沒有臨床意義的波通過組織傳播并遮蔽來自各種成分的期望熱聲信號，從而干擾測量。
6、許多學術系統利用分離配置，其中施加器面向聲學傳感器（相對的幾何形狀）或與施加器成90度（垂直幾何形狀）。相對的幾何形狀確保干擾信號將最后到達，因此它暫時與感興趣的信號分離。垂直幾何形狀配置確保只有側向散射波將到達檢測器，從而大大減少接收到的干擾。
7、然而，這兩種配置的缺點是它們大大偏離了護理標準，因為反射模式超聲需要單獨的手持設備——施加器和檢測器。這將需要臨床醫生的相當大的適應，操作將是復雜的，并且將非常容易受到用戶操作的影響。此外，這些幾何形狀在臨床環境中用手持設備來執行，很多時候是不切實際的，并且更適合于全身小動物成像。
技術實現思路
0、概述
1、公開了一種用于熱聲成像系統的射頻施加器。該施加器包括：具有內部射頻源的波導，其中該波導具有開口；耦接到該波導并靠近該開口的電磁匹配層；以及耦接到匹配層的吸聲層。
2、在一個實施例中，電磁匹配層在15?mhz與2.5?ghz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為5至65，介電常數的虛部為0至60。
3、在一個實施例中，電磁匹配層在0.1?mhz與20?ghz之間的頻率范圍處具有大于3mrayl（兆瑞利）的聲阻抗。
4、在一個實施例中，其中吸聲層在15?mhz與2.5?ghz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為5至65，介電常數的虛部為0至60。
5、在一個實施例中，吸聲層在0.1?mhz與20?ghz之間的頻率范圍處具有在1.2?mrayl與1.8?mrayl之間的聲阻抗。
6、在一個實施例中，電磁匹配層在1?mhz與1000?mhz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至80，介電常數的虛部為0至60。
7、在一個實施例中，電磁匹配層在0.01?hz與100?hz之間的頻率范圍處具有大于1mrayl的聲阻抗。
8、在一個實施例中，吸聲層在1?mhz與1000?mhz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2到80，介電常數的虛部為0到60。
9、在一個實施例中，吸聲層在0.01?hz與100?hz之間的頻率范圍處具有在35?krayl（千瑞利）和1?mrayl之間的聲阻抗。
10、在一個實施例中，電磁匹配層在3?khz與30?khz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至100，介電常數的虛部為0至60。
11、在一個實施例中，電磁匹配層在50?khz與500?khz之間的頻率范圍處具有大于4mrayl的聲阻抗。
12、在一個實施例中，吸聲層在3?khz與30?khz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至100，介電常數的虛部為0至60。
13、在一個實施例中，吸聲層在50?khz與500?khz之間的頻率范圍處具有在0.4?mrayl與3?mrayl之間的聲阻抗。
14、在一個實施例中，電磁匹配層由高介電常數彈性體材料形成。
15、在一個實施例中，電磁匹配層由陶瓷材料形成。
16、在一個實施例中，電磁匹配層由包含嵌入固體基質中的高介電常數顆粒的復合材料形成。
17、在一個實施例中，吸聲層由開孔泡沫形成。
18、在一個實施例中，吸聲層由浸漬的軟木形成。
19、在一個實施例中，吸聲層由聲學無回聲吸收器形成。
20、在一個實施例中，吸聲層由橡膠基隔振材料形成。
21、提供本概述僅僅是為了介紹某些概念，而不是為了標識所要求保護的主題的關鍵或極其重要的特征。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種用于熱聲成像系統的射頻施加器，所述施加器包括：
2.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述電磁匹配層在15?MHz與2.5?GHz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為5至65，介電常數的虛部為0至60。
3.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在15?MHz與2.5?GHz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為5至65，介電常數的虛部為0至60。
4.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在0.1?MHz與20?GHz之間的頻率范圍處具有在1.2?MRayl與1.8?MRayl之間的聲阻抗。
5.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述電磁匹配層在1?MHz與1000?MHz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至80，介電常數的虛部為0至60。
6.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在1?MHz與1000?MHz的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至80，介電常數的虛部為0至60。
7.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在0.01?Hz與1
8.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述電磁匹配層在3?kHz與30?kHz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至100，介電常數的虛部為0至60。
9.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在3?kHz與30?kHz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至100，介電常數的虛部為0至60。
10.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在50?kHz與500?kHz之間的頻率范圍處具有在0.4?MRayl與3?MRayl之間的聲阻抗。
11.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述電磁匹配層由陶瓷材料形成。
12.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層由開孔泡沫形成。
13.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層由浸漬的軟木形成。
14.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層由聲學無回聲吸收器形成。
15.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層由橡膠基隔振材料形成。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種用于熱聲成像系統的射頻施加器，所述施加器包括：
2.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述電磁匹配層在15?mhz與2.5?ghz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為5至65，介電常數的虛部為0至60。
3.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在15?mhz與2.5?ghz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為5至65，介電常數的虛部為0至60。
4.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在0.1?mhz與20?ghz之間的頻率范圍處具有在1.2?mrayl與1.8?mrayl之間的聲阻抗。
5.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述電磁匹配層在1?mhz與1000?mhz之間的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至80，介電常數的虛部為0至60。
6.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在1?mhz與1000?mhz的頻率范圍處具有的介電常數的實部為2至80，介電常數的虛部為0至60。
7.根據權利要求1所述的射頻施加器，其中，所述吸聲層在0.01?hz與100?hz之間的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：喬丹·施莫勒，克里斯托弗·納爾遜·戴維斯，邁克爾·M·桑頓，曹駿桓，伊丹·斯坦伯格，查爾頓·陳，克里斯托弗·布爾，
申請(專利權)人：安德拉生命科學公司，
類型：發明
國別省市：
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