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    用于測量X射線管的發(fā)射電流的裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:44343908 閱讀:28 留言:0更新日期:2025-02-18 20:57
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種用于確定X射線管(100)的發(fā)射電流的裝置,以及包括這種裝置的X射線管和X射線系統(tǒng)。該裝置包括:傳感器(110),其被配置成用于確定X射線管(100)的發(fā)射電流(107,108);以及第一X射線管導線(111)和第二X射線管導線(112),其被配置成用于操作X射線管(100)。傳感器(110)被布置在位于X射線管的高電壓電位側(cè)的第一X射線管導線(111)處和第二X射線管導線(112)處。傳感器(110)被配置和布置成用于測量由在傳感器(110)處疊加的磁場產(chǎn)生的合成磁場。該裝置被配置成用于基于合成磁場來確定X射線管(100)的發(fā)射電流(107,108)。本發(fā)明專利技術(shù)還涉及一種霍爾傳感器用于測量X射線管的發(fā)射電流的用途。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】

    本專利技術(shù)涉及x射線管領(lǐng)域,尤其是x射線管的發(fā)射電流感測領(lǐng)域。此外,本專利技術(shù)涉及檢測x射線管的高電壓電位側(cè)的發(fā)射電流。更具體而言,本專利技術(shù)涉及用于檢測x射線管的發(fā)射電流的裝置、包括這種裝置的x射線管、包括這種裝置的x射線系統(tǒng)、檢測x射線管的發(fā)射電流的方法以及霍爾傳感器用于檢測x射線管的發(fā)射電流的用途。


    技術(shù)介紹

    1、實際上,每個x射線管的發(fā)射電流以不同的方式取決于加熱電流和拾取電壓,對于相同類型的管也是如此。例如,在x射線管的長時間操作之后,可能會發(fā)生加熱絲表面的一些部分被蒸發(fā),因此加熱絲變得更細。然后,相同值的加熱電流可能導致產(chǎn)生比加熱絲表面的一些部分蒸發(fā)之前更大的發(fā)射電流。這可能導致通過x射線管的電流與獲取開始時期望的獲取電流值有相對較大的偏差。

    2、通常,控制x射線管的燈絲的溫度(即,通過燈絲的加熱電流),以便調(diào)節(jié)發(fā)射電流,即,從燈絲到陽極靶的發(fā)射電流。

    3、基于x射線管的發(fā)射電流測量是x射線管的功能的必要特征。例如,由于鎢絲磨損導致的燈絲故障(可能是一些x射線管的主要故障模式)可以從達到給定的發(fā)射電流所需的加熱電流中預測出來。

    4、為了確保患者安全(例如在x射線劑量方面),為了避免管過載(這意味著避免陽極上溫度過高),為了遵守法規(guī)方面,為了實現(xiàn)劑量調(diào)制以及為了實現(xiàn)管溫度監(jiān)控,x射線管的發(fā)射電流需要調(diào)節(jié)。

    5、因此,測量發(fā)射電流可以是x射線管監(jiān)控的一個改進特征。因此,需要直接、快速和精確地測量發(fā)射電流,并且需要快速和精確地調(diào)節(jié)x射線管的發(fā)射電流。


    <b>技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、需要一種改進的發(fā)射電流的測量過程,這進而將導致改善患者的安全性(例如在x射線劑量方面),用于監(jiān)測管過載(這意味著避免陽極上溫度過高),用于遵守法規(guī)方面,用于實現(xiàn)劑量調(diào)制以及用于改進管溫度監(jiān)管。

    2、本專利技術(shù)的專利技術(shù)人已觀察到,在x射線管的高電壓電位側(cè)的發(fā)射電流的測量允許實現(xiàn)快速、直接的發(fā)射電流測量,其中無需從其他的x射線管測量結(jié)果(例如,從加熱電流)中得出發(fā)射電流。

    3、本專利技術(shù)的目的是提供x射線管的發(fā)射電流測量結(jié)果,其中可以快速、直接地測量發(fā)射電流。

    4、本專利技術(shù)由獨立權(quán)利要求來限定,其中進一步的實施例由從屬權(quán)利要求來限定。

    5、根據(jù)本專利技術(shù)的第一方面,一種用于確定x射線管的發(fā)射電流的裝置包括被配置成用于確定x射線管的發(fā)射電流的傳感器,且包括被配置成用于操作x射線管的第一x射線管導線和第二x射線管導線。傳感器被布置在第一x射線管導線處和第二x射線管導線處,其中傳感器被布置在x射線管的高電壓電位側(cè)。此外,傳感器被以這樣的方式配置和布置在第一x射線管導線處和第二x射線管導線處,即在第一x射線管導線中由x射線管的加熱電流產(chǎn)生的第一磁場、在第一x射線管導線中由x射線管的發(fā)射電流產(chǎn)生的第二磁場、在第二x射線管導線中由x射線管的加熱電流產(chǎn)生的第三磁場以及在第二x射線管導線中由x射線管的發(fā)射電流產(chǎn)生的第四磁場在傳感器處被疊加。傳感器被配置成用于測量由在傳感器處疊加的磁場產(chǎn)生的合成磁場。該裝置被配置成用于基于合成磁場來確定x射線管的發(fā)射電流。

    6、在本專利技術(shù)的上下文中,術(shù)語“x射線管導線”應(yīng)被理解為描述用于操作x射線管的導線,其中x射線管導線被配置成用于提供與x射線管的電源的連接。

    7、在本專利技術(shù)的上下文中,術(shù)語“高電壓電位側(cè)”應(yīng)被理解為描述x射線管的電壓側(cè),其具有與地電位側(cè)不同的電位,例如更高的電位。用于操作x射線管的部件,例如發(fā)生器,被連接到地電位,并且由發(fā)生器產(chǎn)生的用于操作x射線管的電力產(chǎn)生更高的電壓電位,被稱為高電壓電位側(cè)。發(fā)射電流的確定必須在高電壓電位上進行(例如,x射線管操作需要高達150kv),而測量結(jié)果是處于地電位的部件所需要的并被提供給處于地電位的部件。因此,不能使用標準的外部探頭。針對地電位側(cè)設(shè)計的裝置、部件和/或元件不能在高電壓電位側(cè)操作。因此,對裝置、部件等有特殊要求,以便能夠在高電壓側(cè)操作。

    8、在本專利技術(shù)的上下文中,術(shù)語“合成(resulting)磁場”應(yīng)被理解為描述可以由不止一個磁場的疊加組成的磁場。例如,合成磁場可以是主磁場,其包括或包含疊加的第一磁場、第二磁場、第三磁場和第四磁場,或它們的一部分。它可以包括第一磁場和第三磁場的減小的磁場以及非減小的第二磁場和第四磁場。

    9、在該實施例中,第一x射線管導線和第二x射線管導線被配置成用于提供被配置成用于驅(qū)動x射線管的發(fā)生器與x射線管的陰極之間的連接。陰極可包括燈絲,因此導線可以提供發(fā)生器與x射線管的燈絲之間的連接。具體而言,一個導線可以是輸入導線,而另一個導線可以是輸出導線。傳感器被布置在x射線管的高電壓電位側(cè)、在x射線管導線處,該導線提供從x射線管的發(fā)生器到x射線管的陰極的電流,反之亦然,其中連接發(fā)生器和x射線管的陰極的(x射線管)導線被以這樣的方式布置,即由加熱電流在每個導線中引起的磁場被減小。換句話說,從發(fā)生器進入陰極、燈絲和從陰極、燈絲出來的x射線管導線應(yīng)被定向,使得由加熱電流引起的磁場被減小或抵消。磁場的這種減小是由傳感器在x射線管導線處的具體布置結(jié)構(gòu)以及磁場在x射線管導線處產(chǎn)生的方式以及傳感器檢測磁場的方式所致。根據(jù)所選的傳感器布置結(jié)構(gòu)和/或傳感器元件,通過x射線管導線的加熱電流可以沿相同的方向流動,或者通過x射線管導線的加熱電流可以沿相反的方向流動。不同磁場的疊加導致的效果是:與加熱電流相關(guān)的磁場將被減小或在傳感器處將被抵消,使得只有關(guān)注的磁場,即發(fā)射電流的磁場對于傳感器仍然是可測量的。如上所述,加熱電流的凈貢獻實際上將為零,而由發(fā)射電流引起的磁場將導致可測量的結(jié)果。

    10、使用磁場補償,以便區(qū)分加熱電流和發(fā)射電流,兩者都在x射線管的高電壓電位側(cè)流動。因此,由于傳感器在x射線管導線處的具體布置結(jié)構(gòu),加熱電流的磁場可被減小,或者優(yōu)選地通過在傳感器處的磁場疊加來抵消。具體而言,通過疊加由加熱電流(即進入x射線管的輸入加熱電流和來自加熱管的輸出加熱電流)引起的磁場,這將在下文的圖中闡明。由于進入陰極、燈絲的加熱電流等于來自陰極、燈絲的加熱電流,因此如果相應(yīng)地選擇本實施例的裝置的布置結(jié)構(gòu)的幾何形狀,則加熱電流的凈磁場會減小或抵消。發(fā)射電流的剩余磁場導致在傳感器上產(chǎn)生可測量的信號,該信號不含任何剩余的加熱電流貢獻或至少僅含一些加熱電流殘余,這些殘余可在稍后階段被過濾掉。因此,由于加熱電流磁場減小,傳感器的動態(tài)范圍要求可被減小,這樣能夠?qū)崿F(xiàn)干凈的發(fā)射電流測量。因此,傳感器測量發(fā)射電流的剩余磁場,該剩余磁場與流過x射線管導線的發(fā)射電流有關(guān)。除了確定發(fā)射電流之外,傳感器還可被配置成用于生成發(fā)射電流信號,該信號可包括所確定的發(fā)射電流的值,并且該信號可以提供給x射線管的其他部件或本專利技術(shù)的實施例的其他部件,這將在下文中描述。

    11、確定x射線管的高電壓電位側(cè)的發(fā)射電流允許直接、快速地確定該電流,從而可以省略外部探針,并且也不需要從其他測量值(例如,加熱電流)中得出發(fā)射電流。此外,其優(yōu)點在于,x射線管的高電壓電位側(cè)可以配備這樣的裝置,從而可以進行本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種用于確定X射線管(100)的發(fā)射電流的裝置,所述裝置包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,

    4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,

    5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

    6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,

    7.根據(jù)前述權(quán)利要求1至5中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

    8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,

    9.根據(jù)前述權(quán)利要求1至7中的任一項所述的裝置,

    10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

    11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

    12.一種X射線管,包括:

    13.一種X射線系統(tǒng),包括:

    14.一種用于測量X射線管的發(fā)射電流的方法,所述方法包括:

    15.一種霍爾傳感器用于測量X射線管的發(fā)射電流的用途,其中通過將在第一X射線管導線中由所述X射線管的加熱電流產(chǎn)生的磁場、在所述第一X射線管導線中由所述X射線管的所述發(fā)射電流產(chǎn)生的磁場、在第二X射線管導線中由所述X射線管的所述加熱電流產(chǎn)生的磁場以及在所述第二X射線管導線中由所述X射線管的所述發(fā)射電流產(chǎn)生的磁場疊加,并通過基于由在所述霍爾傳感器處疊加的磁場產(chǎn)生的合成磁場而確定所述X射線管的所述發(fā)射電流來進行測量。

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    【技術(shù)特征摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】

    1.一種用于確定x射線管(100)的發(fā)射電流的裝置,所述裝置包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,

    4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,

    5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

    6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,

    7.根據(jù)前述權(quán)利要求1至5中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

    8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,

    9.根據(jù)前述權(quán)利要求1至7中的任一項所述的裝置,

    10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括:

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    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:T·羅伊施C·卡爾C·霍姆斯
    申請(專利權(quán))人:皇家飛利浦有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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