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本發明的實施方式提供能夠削減所檢測出的異常的解析所花費的工時的前置放大器、盤裝置、控制裝置以及解析方法。實施方式的前置放大器是設置于盤裝置的頭組件的前置放大器。實施方式的前置放大器具有：異常檢測電路，與所述頭組件的頭所具有的頭元件連接；...

本發明提供能夠提高可靠性的磁盤裝置。本實施方式涉及的磁盤裝置具備：盤；頭，其對所述盤寫入數據，從所述盤讀取數據；第1扇區組，其包括能夠基于第1奇偶校驗扇區執行以磁道為單位的糾錯處理的至少一個第1扇區和所述第1奇偶校驗扇區；以及第2扇區組...

提供能夠防止由BPD引起的半導體裝置的特性的降低的半導體裝置的檢查方法。實施方式包含下面的工序。準備包含碳化硅的半導體基板。通過透射偏振圖像取得裝置，生成所述半導體基板的透射偏振圖像的圖像數據。通過透射偏振圖像處理裝置對圖像數據進行圖像...

提供一種半導體裝置，能夠提高可靠性。一實施方式的半導體裝置具備：半導體部，其具有單元區域和設置在單元區域的外側的終端區域；第一電極，其設置在半導體部的背面上；第二電極，其設置在半導體部的正面側；控制電極，其經由沿從單元區域朝向終端區域的...

實施方式提供能夠防止因加濕水的凍結膨脹而導致的損傷的燃料電池系統。實施方式的燃料電池系統具備：燃料電池堆、氧化劑氣體供給驅動部、氧化劑氣體排出管線、第一氣體壓力調整部、密閉型的加濕水箱、加濕水供給管線以及加濕水排出管線。加濕水箱連接于氧...

課題在于，使控制程序的導入高效化。解決方案在于，工程工具具備導入部，該導入部對分別具有至少1個以上的變量或數組的多個構造體進行導入，所述導入部以使所述多個構造體中的參照其他構造體的構造體在所述其他構造體之后導入的方式，決定導入順序，并以...

具備：碳化硅層，包括第一導電型的第一碳化硅區域、第二導電型的第二碳化硅區域以及第一導電型的第三碳化硅區域，并具有第一面以及第二面；第一柵極電極以及第二柵極電極，沿第一方向延伸；第一面側的第一電極，包括在第一柵極電極與第二柵極電極之間與第...

實施方式提供提高了特性的半導體設備。實施方式的半導體設備包括：第1導電層，設置在基板上；第2導電層，被供給第1電壓，且設置在所述基板上；第3導電層，與輸出節點對應，且在所述第1導電層與所述第2導電層之間設置在所述基板上；第1開關設備，包...

提供能夠提高可靠性的半導體裝置。一實施方式的半導體裝置具備具有單元區域以及設于單元區域的外側的末端區域的半導體部、設于半導體部的背面上的第一電極、設于半導體部的表面側的第二電極、隔著在從單元區域朝向末端區域的方向上排列的多個第一絕緣膜中...

實施方式的半導體裝置具備：第一電極；第二電極；以及碳化硅層，所述碳化硅層包括：第一導電型的第一碳化硅區域；第二導電型的第二碳化硅區域，設置于第一碳化硅區域與第一面之間，與柵極電極對置，與第一電極電連接；第三碳化硅區域以及第四碳化硅區域；...

本發明涉及半導體裝置及其制造方法。根據一個實施例，一種半導體裝置包括：基板；設置在所述基板上的第一電極；設置在所述基板上并遠離所述第一電極的第二電極；以及被配置為連接所述第一電極和所述第二電極的片狀導電片，其中，所述導電片包括連接至所述...

實施方式提供能夠抑制開關時的噪聲的半導體裝置。在實施方式的半導體裝置中，第一引線框上的第一晶體管的第一端連接于第一引線框，第二引線框上的第二晶體管的第一端連接于第三引線框，第三引線框上的第三晶體管的第一端以及第二端分別連接于第三引線框以...

本發明的實施方式涉及盤裝置以及頭萬向架組件。一個實施方式涉及的盤裝置的HGA具有承載梁。所述承載梁具有兩個側軌、所述兩個側軌之間的板、所述板的第1平面、從所述板的端突出的提升片、以及從所述第1平面突出并且支承滑塊的突起。所述兩個側軌各自...

實施方式提供能夠在減少振鈴峰值的同時抑制部件空間的半導體器件。實施方式的半導體器件具備第一開關元件、第二開關元件以及電容器。第二開關元件與第一開關元件電連接。電容器具有第一端子、第二端子以及電容器部，該電容器部的一端電連接于第一端子，另...

實施方式提供能夠降低噪聲的半導體裝置。實施方式的半導體裝置包含：設置有第一電極及第二電極的第一開關元件、設置有第三電極及第四電極的第二開關元件、與第三電極連接的第一布線層、與第一電極連接的第二布線層及包含第一電介質層的第一電容器、基板、...

實施方式的二氧化碳電解裝置具備：電解單元，包含被供給二氧化碳氣體的陰極電極、陽極電極、以及介于陰極電極與陽極電極之間的電解質膜；電流供給部，向電解單元供給電流；以及控制部。將向電解單元供給的電流除以電解單元的平面有效面積而得到的值定義為...

本實施方式涉及磁盤裝置。在磁盤的半徑方向上設定多個第1位置。多個第1位置包括多個第2位置和不同于多個第2位置的第3位置。磁盤裝置的控制器執行分別對多個第2位置測定RRO(Repeatable?RunOut)修正值，不對第3位置測定RRO...

實施方式提供能夠在不含有有機氟化合物的情況下保持質子傳導性的水電解槽。實施方式的水電解槽具備：陽極電極，其包含將含有銥、且形成為納米片狀的陽極催化劑片材隔著間隙層疊而成的陽極催化劑層；陰極電極，其包含將含有鉑、且形成為納米片狀的陰極催化...

實施方式提供具有低電阻的半導體裝置。半導體裝置包括半導體芯片、第1導電體和密封體。半導體芯片具有第1面及與第1面對置的第2面，具有在第1面露出的第1電極、在第2面露出的第2電極、在第2面露出并且與第2電極之間具有間隔的第3電極，在第1方...

本發明的實施方式涉及熱輔助磁記錄再現裝置及其調整方法。在實施方式的熱輔助磁記錄再現裝置的調整方法中，維持熱輔助磁記錄再現裝置的熱輔助磁記錄頭在軌，針對熱輔助磁記錄頭，將進行數據記錄的記錄電流維持為小于閾值，對光源施加進行發光的光源驅動電流。