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一種掩膜版版圖的拆分方法、模塊和相關設備，所述掩膜版版圖的拆分方法，包括：獲取待拆分的掩膜版版圖，所述掩膜版版圖包括多個主圖形；從所述掩膜版版圖中獲取滿足鄰近位置關系的多個主圖形形成的圖形組，并從所述掩膜版版圖中獲取與所述圖形組中的主圖...

一種圖形量測方法、存儲介質及終端，其中圖形量測方法包括：獲取若干柵極收縮圖像，若干所述柵極收縮圖像包括若干校準組柵極收縮圖像和若干量測組柵極收縮圖像；提取各個所述校準組柵極收縮圖像的第一開口輪廓圖形；基于手動量測，獲取各個所述校準組柵極...

一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：補償層，覆蓋所述鰭部的部分側壁。由于補償層覆蓋鰭部的部分側壁，因此，在后續的工藝過程中，補償層可以起到平衡鰭部尺寸的作用，從而對鰭部的損耗進行補償，相應提高鰭部的質量和性能，進而提高半導體結構...

一種光學鄰近修正模型校準方法、存儲介質及終端，涉及半導體制造技術領域，其中光學鄰近修正模型校準方法包括：建立光學鄰近修正模型，所述光學鄰近修正模型包括光刻膠模型，所述光刻膠模型具有待計算的線性系數和非線性變量；基于局部算法搜索所述線性參...

一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供襯底和位于襯底上的鰭部，襯底包括基底以及位于基底上的隔離層，鰭部位于基底上，襯底包括第一器件區；在第一器件區的襯底上和第一器件區的鰭部上形成犧牲層，犧牲層頂部高于鰭部的頂部；在犧牲層內形成柵極開...

一種半導體結構及其形成方法，包括：形成位于基底上沿第一方向延伸的介質鰭槽、形成沿第二方向延伸且橫穿所述介質鰭槽的隔斷槽；形成位于介質鰭槽中第一犧牲層和位于隔斷槽中第二犧牲層；進行圖形化處理，獲得多個鰭，包括：圖形化第一犧牲層獲得犧牲鰭，...

一種封裝結構及封裝方法，封裝方法包括：提供橋接芯片晶圓，包括多個相連的互連芯片；對橋接芯片晶圓進行第一塑封處理，形成覆蓋橋接芯片晶圓一面的第一塑封層；進行第一塑封處理后，將橋接芯片晶圓和第一塑封層分割為多個互連芯片、以及覆蓋互連芯片一面...

一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成多個第一金屬層，多個第一金屬層沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，第一方向與第二方向相垂直；在基底上形成覆蓋第一金屬層側壁的犧牲層，犧牲層露出第一金屬層頂面；形成覆蓋第一金屬層...

本申請涉及半導體器件、半導體器件的形成方法和電子裝置，該半導體結構包括：襯底，位于襯底上的多個柵氧化結構和多個淺槽隔離結構，多個柵氧化結構和多個淺槽隔離結構沿第一方向間隔分布，位于每個淺槽隔離結構上的第一結構，第一結構包括沿第二方向間隔...

本發明提供一種半導體結構及其形成方法，其中，半導體結構包括：基底；溝道結構層，位于所述基底上方；器件柵極結構，位于所述基底上，且橫跨所述溝道結構層；源漏摻雜層，位于所述器件柵極結構兩側的溝道結構層中，且與所述溝道結構層沿其延伸方向的端部...

一種封裝結構及封裝方法，方法包括：第一晶圓的芯片區包括第一襯底以及第一襯底上的第一介質層，第一介質層中形成有互連通孔結構；在第一介質層的頂部形成第二介質層以及位于第二介質層中的電路互連結構，第二介質層與第一介質層之間具有第二刻蝕選擇比；...

一種平坦化工藝補償方法和系統、設備、存儲介質及計算機程序產品，補償方法包括：提供初始版圖，包括多個設計圖形；根據多個設計圖形的圖形特征，對初始版圖進行平坦化工藝特征預測；根據預測的初始版圖的平坦化工藝特征，在初始版圖中，在設計圖形側部設...

一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成阻擋層，阻擋層中形成有貫穿阻擋層且露出基底頂部的開口；在阻擋層上形成標記層，標記層中形成有第一標記凹槽和第二標記凹槽，第一標記凹槽環繞第二標記凹槽，且在縱向上，第一標記凹槽...

本申請公開了一種量測線的生成方法、裝置、設備及存儲介質，該方法包括：獲取掩模版圖和掩模版圖的曝光顯影圖，掩模版圖包括主圖形和設置在主圖形附近的至少一個第一輔助圖形；基于曝光顯影圖和掩模版圖，識別第一輔助圖形在曝光顯影圖中是否存在額外顯影...

本申請公開了一種光學鄰近修正方法、裝置、設備及存儲介質，該方法包括：獲取待修正版圖，待修正版圖包括缺陷圖形；形成對應待修正版圖中缺陷圖形的初始缺陷標記；基于初始缺陷標記與缺陷圖形，對初始缺陷標記進行區域調整處理，生成目標缺陷標記；基于目...

本申請提供一種半導體結構的特征獲取方法及系統，主要包括：對目標半導體結構進行第i次減薄后，采用二維圖像獲取裝置獲取目標半導體結構的第i二維掃描圖像，采用厚度檢測裝置獲取目標半導體結構的第i薄膜厚度；獲取N個第i二維掃描圖像和N個第i薄膜...

一種光學臨近效應修正模型的校正方法、存儲介質和終端，所述校正方法包括：提供初始光學臨近效應修正模型；基于不同光刻條件下的晶圓測量數據，獲取所述光束聚焦參數和計量平面參數之間線性相關的初始約束關系；提供表征所述光束聚焦參數和計量平面參數之...

一種半導體結構及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成沿第一方向延伸的介質鰭槽、形成沿第二方向延伸且橫穿所述介質鰭槽的隔斷槽；形成位于介質鰭槽中的第一犧牲層和位于隔斷槽中的第二犧牲層；圖形化第一犧牲層獲得的犧牲鰭，圖形化基底獲得半...

本申請公開了半導體結構的制造方法、半導體結構及電子裝置，該方法通過基底上第一鰭部和第二鰭部的關鍵尺寸、鰭部表面鈍化層的厚度，以及目標關鍵尺寸來確定當前刻蝕選擇比，并基于表征預設刻蝕選擇比與預設濕刻蝕工藝的對應關系的選擇比刻蝕工藝映射信息...

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種數字電路單元的結構、集成電路和電子裝置，包括位于襯底的CMOS單元和金屬布線層；CMOS單元包括位于襯底內的NMOS區域和PMOS區域、以及分別連接NMOS區域和PMOS區域的至少一個柵極結構，至少...